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VND14NV04

更新时间:2025-06-13 01:07:29

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深圳市诚研翔科技有限公司
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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规则
带有此标记的料号：
1.表示供应，口碑良好，缴纳了保证金，经维库认证中心严格审查。
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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深圳市楚胜电子有限公司
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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深圳市创胜达电子有限公司
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深圳市赛思尔科技有限公司
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STMicroelectronics PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关

MOSFET N-CH 40V 12A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

VND14NV04 概述

VND14NV04是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。它采用SOT-223封装，适用于表面贴装技术。该MOSFET具有低导通电阻特性，在栅极电压为10V时典型值仅为40mΩ，这有助于减少在开关应用中的功率损耗。其最大漏源电压（VDS）可达40V，连续漏极电流（ID）在25°C下可高达14A，适合于各种中等功率的开关应用，如直流电机驱动、负载开关以及电源管理电路中。在需要高效能量转换和快速开关特性的场景中表现良好，例如电动工具、消费电子设备内的电源转换模块。使用时应注意散热设计以确保器件工作在安全温度范围内。

VND14NV04 规格参数