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其它信息:
串行闪存,组织结构为1M位/128KB(131072),每个程序可编程为页256字节,均匀的4KB扇区/64KB块;单个或双重输出SPI:时钟、芯片选择、数据输入/输出、数据输出,可选择的保持方法;数据传输率达到100Mbit/s,时钟频率50MHz,快速读出双输出指示,自动增强读出能力;4KB扇区的灵活性结构,扇区擦除(4KB),块擦除(64KB),分页式程序达到程序256字节小于2ms,100000擦/写周期,掉电数据保持20年;低功耗,电源电压:2.3~3.6V,动态电流:5mA,待机电流1μA(典型值); 温度范围:- 40~+85℃;软件和硬件写保护:写保护全部或部分存储器,WP引脚启用/失效保护,顶部或底部阵列保护
引脚图: