维库电子市场网-十六年专注打造电子元器件采购网

双极性集成电路的ESD保护

阻止传递到芯片内部敏感电路的较高能量，内部钳位二极管用于保护ic免受过压冲击。应用电路的外部去耦电容可将esd电压限制在安全水平。然而，小容量的去耦电容可能影响ic的保护电路。如果使用小去耦电容，通常需要外部esd电压钳位二极管。 esd传递模式 esd电平用电压描述，这个电压源干与ic相连的电容上的储存电荷。一般不会考虑有上千伏的电压作用于ic。为了评估传递给ic的能量，需要一个模拟放电模型的测试装置。 esd测试中一般使用两种充电模式(图1)，人体模式(hbm)下将电荷储存在人体模型(100pf等效电容)中，通过人体皮肤放电(1.5kω等效电阻)。机器模式(mm)下将电荷储存在金属物体，机器模式中的放电只受内部连接电感的限制。 以下概念对于评估集成电路内部的esd传递非常有用： 1．对于高于标称电源的电压来说，ic阻抗较低。 iesd=vesd／z zhbm=1.5kω 2．在机器模式下，电流受特征阻抗(约50ω )的限制。 zmm=v／i=l／c0 低阻能量损耗： e=1／2c0×v2和e=1／2l×i2 3．如果esd电流主要流入电源去耦电容，

电容容量测试仪

容的容量，对于电气技术人员、老牌收音机发烧友和无线电爱好者都是好帮手。 常见的 555 定时器是此电路的核心部件，它的作用是将被测量电容 (cx) 充电到固定电压，然后被测电容通过回路放电，电流表测量出流过 47 ω电阻的电流。 因为 555 定时器每秒钟重复这个过程几次，使得电流表的指针保持稳定。 电流会因电容容量的大小而不同，即电流表指针会根据被测电容的容量作相应的偏转，也就是说，电容容量与线路电流的比例是线性的，就像用于测量电压和电流的万用表。 此表有五个挡位，从 100pf 到 1μf ，通过一只两极五挡开关切换，另外，开关× 10 用于测量较大容量的电容，电流分成两路，测量100pf 、 1000pf 、 0.01μf 、 0.1μf 或 1μf 以上电容显示更准确。 元器件的精确度不是十分完善的。即使是最好的器件。一般九只电阻也考虑有 2 ％的误差。如果没有 oa47 二极管。可用 oa91 或 oa95 锗二极管代替。将此电路装入一只塑料盒中，与万用表差不多大，但是稍深一点更好。在财力许可下，测试仪的测量仪表要尽可能大，因为它决定了测量显示的精确度。你

电解电容好坏的检测

知道电解电容的极性后，就可以用“×1k”挡（对耐压10v或以下）或“×10k”挡（对耐压16v以上）按如图所示的接法进行测量。测量时红表笔接负极，黑表笔接正极。 刚接通的瞬间，将看到指针大幅向右摆动。若指针不摆动，说明是开路；若电容器的电容量标称值大大，指针摆动幅度较小，说明电容内的电解质已干涸，致使容量减小（可与好的电解电容比较摆动幅度）。过一会儿指针将向左回移，对电容量在几百微法以下的电容器，可在短时间内看到指针停留在较大阻值位置上，这一阻值称为“正向漏电阻”，该值越大越好。对于100pf或以上的电容器，不但测量时向右摆动的幅度很大，有“打针”现象（但关系不大），而臣长时间回不来，这也属正常情况，但最后仍应有较大的漏电阻。若指针在停留在0ω处，则说明电容器发生短路。若万用表的指针长时间左右游移不定，说明该电容器质量欠佳。 表盘上的b表示测量一个正常电容器（如100pf）时指针摆动的幅度。若待测电容器c指摆动位置在a处（b的左边），则电容器内的电解质干涸，电容量较小；指针最后停留的位置十分接近∞，则说明电容器的“正向漏电阻”比，漏电流较大。若指针恒定在0ω处，则说明该电容器已短

应用于EMI及ESD的新型片式元器件

。例如，太阳诱电公司推出0402尺寸的hk1005型mlci用于pdc制式800/1500mhz双频移动电话。其中1.5～10nh低电感量品种用于rf功率放大器取代印刷式微带电感线圈，使1w功率放大器模块的体积降至0.18cc（10×10×1.8mm3）。 传统陶瓷电容器采用1类热稳定型和2类高介电系数型陶瓷材料作为电介质，按照iec等国际标准规定，其测试频率分别为1khz和1mhz，故俗称“高频”瓷介电容器和“低频”瓷介电容器。在线路板插装的电容器引线长度约2～3mm，标称电容量为1000～100pf的高频瓷介电容器的固有谐振频率f0约60～200mhz，10pf及更小容量规格约600～1000mhz。一方面，电容器的使用频段应远低于固有谐振频率。另一方面对于高于1mhz的频率范围，电容器的损耗因子受介质极化、引线与电极集肤效应和电导率等诸多因素影响而急剧增高，即q值迅速下降。这就是常规“高频”瓷介电容器在高频特性方面的欠缺，而使之在高频段应用受到极大局限。早在60年代就出现了将多层陶瓷电容器（mlc）的芯片用作厚薄膜混合集成电路（hic）的外贴元件，并因其无引线结构而被称为无感电容，在相当

关注电容的共振频率

压型或片型电容并联连接使用(图1)。 图2是测定1p～100ptf的铝电解电容的阻抗一频率特性曲线。从曲线上可知，阻抗与静电容量成比例，变为低阻抗。一般地，使用4，7p～47pf的电容，但在高频下，就会具有数ω的阻抗z。此时，从△v＝｜z｜×△i的关系来看，在电源电流变化大的电路中，不能抑制端子电压的变动。 图1 适于作电源旁路电容的电容 图2 铝电解电容的(1/4.7/10/47/1o0μf)阻抗－频率特性(f＝10k～4omhz，标识点f＝1mhz，10opf),由于用100pf以上的电容会使阻抗下降，所以在端子电压变动大的电路中，能得到容许大容量化的良好效果。 图3是测定1pt～100pf的浸渍式钽电解电容的阻抗一频率特性曲线。它和图2中所示的铝电解电容的倾向不同。即同样的静电容量，阻抗很低，可期望其作为旁路电容的效果。但是考虑到钽电解电容的可靠性，并不常用。钽电解电容的充电电流和放电电流不像铝电解电容那样，可取值很大，因此如出现故障，会变成短路。 图2 钽电解电容（1/4.7/ 10/47/100μf）的阻抗－频率特性(f＝10k～4omhz，标识点f＝

电容器100pF以上挑选电路

电容器(100pF以上)挑选电路图

  来源:university

石英晶体谐振器术语以及应用指南

度（25±2℃）时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。 4、 温度频差：在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度（25±2℃）时工作频率的允许偏差。 5、 老化率：在规定条件下，晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为年老化率。 6、 静电容：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容，通常用c0表示。 7、 负载电容：与晶体一起决定负载谐振频率fl的有效外界电容，通常用cl表示。负载电容系列是：8pf、12pf、15pf、20pf、30pf、50pf、100pf。只要可能就应选推荐值：10pf、20pf、30pf、50pf、100pf。 8、 负载谐振频率（fl）：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为 电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。 9、 动态电阻：串联谐振频率下的等效电阻。用r1表示。 10、 负载谐振电阻：在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用rl表示。 rl＝r1（1+c0/cl）2 11、 激励电平：晶体工

石英晶体谐振器

，基准温度（25±2℃）时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。 4、 温度频差：在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度（25±2℃）时工作频率的允许偏差。 5、 老化率：在规定条件下，晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为年老化率。 6、 静电容：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容，通常用c0表示。 7、 负载电容：与晶体一起决定负载谐振频率fl的有效外界电容，通常用cl表示。负载电容系列是：8pf、12pf、15pf、20pf、30pf、50pf、100pf。只要可能就应选推荐值：10pf、20pf、30pf、50pf、100pf。 8、 负载谐振频率（fl）：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为 电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。 9、 动态电阻：串联谐振频率下的等效电阻。用r1表示。 10、 负载谐振电阻：在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用rl表示。 rl＝r1（1+c0/cl）2 11、 激励电平：晶体工作时所消耗

变容二极管

端为红色环。现给两个管脚分别编上序号（1）、（2）。 首先选择500型万用表的r×1k档，具体操作步骤见图4。首先将红表笔接①脚，黑表笔接②脚，测得电阻值为6.5kω，与此同时记下表针倒数偏转格数n′≈19.7格。然后交换管脚位置后重新测量，电阻值变成无穷大。由此判定第一次为正向接法，正向电阻为6.5kω，正向导通电压vf=0.03v/格×9.7格=0.59v。第二次则属于反向接法。该管子具有单向导电性（参见图3(b)），并且靠近红色环的管脚为正极。欲测量变容二极管的结电容，可选用100pf量程的线性电容表。

NS 推出高保真度音频运算放大器

位增益稳定，输出电流高达 45ma。该款芯片在上述的供电电压范围内操作时，其输入电路的共模抑制比 (cmrr) 及电源抑制比 (psrr) 都高达 108db 以上，而输入偏置电流则低至 10na (典型值)。在输出级的全力支持下，lm4562 运算放大器的音频功能可以得到充分的发挥。这个输出级若驱动 2k 的负载，输出摆幅不会超过供电电压的 1v；若驱动 600 的负载，输出摆幅则不会超过供电电压的 1.5v。 lm4562 运算放大器即使驱动高达 100pf 的电感负载，也可充分发挥其性能。这款芯片设有可抑制开关/切换噪声的静音功能，可使放大器的输出降低至等同静态电流，对节省用电很有帮助。此外，这款芯片也设有过热停机及输出短路等保护功能。 lm4562 芯片采用标准的 soic 封装，单颗价为2.35 美元，已有大量现货供应。此外，这款芯片也另有 dip 封装可供选择，单颗价为 2.65 美元，而采用金属容器封装的芯片则每颗售 9.95美元。前两款芯片的售价都以 1,000 颗为采购单位，而后者是以100颗为采购单位。lm4562 芯片

ESD保护器件的主要特性参数分析及典型应用

成本，对于同时需要这几种保护功能的端口来说，可谓设计者的首选(图4)。 5.usb保护 一般usb的esd保护分上行(图5)和下行(图6)两种情况。针对usb1.1的esd保护下行主要采用了nuf2101，上行esd保护采用stf202或者nuf2221w1t2。这些产品即能满足usb线路终端的esd保护，还具有良好的滤波功能。 6.音频/扬声器数据线路保护 在音频数据线路保护方面(图6)，由于音频回路的信号速率比较低，对器件电容的要求不太高，100pf左右都是可以接受的。有的手机设计中将耳机和麦克风合在一起，有的则是分立线路。前一种情况可以选择单路tvs，而后一种情况如果两个回路是邻近的，则可以选用多路tvs阵列，只用一个器件就能完成两个回路的保护。 7.按键/开关 对于按键和开关回路，这些回路的数据率很低，对器件的电容没有特殊要求，用普通的tvs阵列都可以胜任。 本文总结 以上的产品主要是针对数据线路的esd保护。在表1中所列器件中有四款是专为为usb、以太网、防火墙和其他高速数据应用

使用视频放大器和比较器的单稳态电路

一个视频放大器的输出在其到达一个肖特基比较器之前就被分化。传播延迟减小到典型的10ns。输出脉冲宽度是由c的值设定的，c为100pf时，脉冲宽度大约是90ns。 来源:zhengwei

宽波段振荡器（频率范围为5000-1）

振荡电阻r可调至位于10k和50m之间的任何值，这样可得到位于400khz到100hz之间的频率。使振荡电阻返回至q1的集电极，可确保q1的基极电流只是来自定时电容ct。当三极管释放时，定时电容可再充电，三极管释放的电压等于q2的基极发射电压加上q1和q2减少的基极发射电压。三极管然后开始导电，电容器cs用于加速转变。合适的值应该在100pf的时候。 来源:zhengpingping

采用各基本元件制作分频器电路

分频器”。这里的分频上针对单频信号而言的。这种分频一般指在数字电路。2、分频是对信号中不同频率成分的各种信号分开，分成几个频率段。实现分频的电路或装置称为“分频器”。这里的是针对由很多不同频率成分组成的混合信号而言的。这种分频一般指音响电路。 材料bom表： r1= 10k欧姆；r2=100k欧姆；r3=680欧姆；r4=1m欧姆；r5-6-7=100k欧姆；r8=47欧姆；r9-10-11=100k欧姆；c1= 1000uf 25v；c2-3= 100nf 100v 陶瓷制的；c4-5= 100pf陶瓷制的；ic1= 4011；t1= 110/220vac //8v 100ma；d1-2= 1n4007；d3= 5.1v 0.5w 齐纳；d4-5= 1n4148。 来源:阴雨

新型简易多量程电容计电路

如图所示为电容器测量电路，可测量1uf以内的电容量，分为5个量程：100pf、1000pf、0.01uf、0.1uf和1uf.电路中ica的输出脉冲的下跳变沿经cs、rs微分后去触发icb.icb输出的平均值电压或电流正比于cx,平均值电流将由电表指示。w1用于调整满刻度，cx接1uf或0.1uf标准容量电容器，调w1使表头指示满度值。w2~w4是调零电阻器，因为7556输出直流失调电压对各量程的影响略有不同，故分开调零。 来源:阴雨

万用表-相位测试仪电路原理

袖珍型数字万用表没有l,c测量功能，即使便携式数字表也没有附加测l功能。该附加仪与dt-830b配合，即可以测l也可以测电路，电感的测量范围为0.1uh-2h,分六档，最小分辨率为0.uh,精度为2%以内。c的测量范围为0.1pf~1μf,分四档，最小分辨率为0.1pf,精度为1%左右。 测电容c的电路如图，由双d触发器cd4013等构成。调200pf以上电容，数字表用直流2v档，并要用精度为1%以内的各量程标准电容分别校正；而测200pf以内电容，应用1%以内的100pf电容校正后再用数字表200mv档去测量。此时量程开关应打在1nf档。本电路若布局合理，最小杂散电容为3pf左右。 如图电路wield测l电路。ic1a、ic1b与电阻、电容晶振等构成500khz中频振荡器，若不经分频而输入，则为最小量程20μh。 来源:qick

Wavecom模块的MIC电路问题（2）

to：feng_zc 谢谢！c2、c3、c4：低通滤波有点不明白c2、c3、c4：低通滤波有点不明白，还请再指点。1. 低通滤波是指滤掉低频波吗？按理可闻声波（低频）应该传到mic1p和mic1n。根据容抗xc＝1/（2pifc），这里c大小为47pf到100pf可闻声波：人耳能听到的声波，其频率范围大致在20hz~20 000 hz之间(1)xc = 1/(2*3.14 * 20 000hz * 100pf*10-12) = 79617.8欧姆；(2)xc = 1/(2*3.14 * 20hz * 47pf) = 169399647.6欧姆；所以是否应为滤高频波？请指点。2.一般滤波电容都是一边接地，一边接线路，那这里c3是两边都接线路，其工作原理是怎样的呢？谢谢！

LPC2292,如用有源晶振，是否要串联100PF电容？

lpc2292,如用有源晶振，是否要串联100pf电容？lpc2292,如用有源晶振，是否要串联100pf电容？

研讨翻译：运算放大器如何驱动电容负载？

ty）”。另外，也有提供“小信号过冲与电容负载”（small-signal overshoot vs. capacitive load）关系的典型数据的。查阅这些图时，你会明白，过冲（the overshoot）会随所加的电容指数地增加，它接近100%则运算放大器也接近不稳定。（如果可能，请有效地保持远离这个极限值）。（同时我们还会注意到，这个图形对应着一个指定的增益）。对于电压反馈型运算放大器，电容负载的驱动能力也是随着增益的增大而增加的，因此，对于电压反馈放大器，如果它能在单位增益时可以驱动100pf的电容，则它在10倍增益时就可以驱动1000pf的电容。［译注］文中“avf”疑是“a vf（a voltage feedback）”的笔误，如果是，这算是我第二次发现adi文献存在问题，另参见后面的cf。当然，文章原来有几个地方是存在标点后不带空格的小小问题的。[我认为你的猜测是对的，我也是这样理解的。]另外，此处的结论还告诉我们，为了提高电容负载的驱动能力，可以适当减小衰减输入幅度来提高放大器的闭环增益。【005】【005】

用OPA129制作电流转电压电路，工频噪声的来源为何？如何去除？

建议修改电路 地线是不能随便加的。由于你说“把电路上的bnc外壳用导线接到实验室敷设的地线接线柱上之后，噪音反而更夸张”，貌似你的电路以及外部连接已经形成环地了。 你的光敏管阳极接在地上，很容易受到干扰，建议改变工作方式，将光敏管短路，测短路电流，这样还有一个好处——输出电压与光强度成正比。 修改方法很简单，将光敏管的阳极与地断开，连接到opa129的3脚，再将c2换成100pf。这时候切断了工频干扰的电感耦合的回路，同时，电容耦合干扰变成了共模干扰，大部分也会被抑制掉。

求助关于电源泵的电容问题

求助关于电源泵的电容问题求助一下各位，这个图是电源泵的电路。输入两个相位相反的5v方波，通过电源泵，输出一个13.5v的电压。请问如果我把c258，c259从10000pf换做100pf，会对其性能产生影响么？这两个电容起什么作用？ 多谢多谢。