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稳压,12mA,1W,稳定电压22V
-5w的线绕电阻器;r14-r16均选用lw的金属膜电阻器。 rp选用3w的精密合成膜电位器或线绕电位器。 cl、c2和c7均选用耐压值大于400v的cbb电容器;c3和c6均选用耐压值为5ov的铝电解电容器;c4和c5均选用耐压值为160v的涤纶电容器。 vdl-vd4和vdl3均选用1n6308(3a、600v)型硅整流二极管;vd5-vdl2均选用in4007(1a、800-1000v)型硅整流二极管;vdl4和vdl5均选用2cz系列的10a、1200v的硅整流二极管。 vs选用1n4748型 (lw、z4v)型硅稳压二极管。 vl选用s9013或3dg6c型硅npn晶体管;v2选用3ax3lc型锗pnp晶体管。 vu选用bt35型单结晶体管。 vtl和vt2均选用3ct系列的loa、l2oov晶闸管。
器;r14~r16均选用1w的金属膜电阻器。 rp选用3w的精密合成膜电位器或线绕电位器。 c1、c2和c7均选用耐压值大于400v的cbb电容器;c3和c6均选用耐压值为50v的铝电解电容器;c4和c5均选用耐压值为160v的涤纶电容器。 vd1~vd4和vd13均选用1n6308(3a、600v)型硅整流二极管;vd5~vd12均选用1n4007(1a、800~1000v)型硅整流二极管;vd14和vd15均选用2cz系列的10a、1200v的硅整流二极管。 vs选用1n4748型(1w、24v)型硅稳压二极管。 v1选用s9013或3dg6c型硅npn晶体管;v2选用3ax31c型锗pnp晶体管。 vu选用bt35型单结晶体管。 vt1和vt2均选用3ct系列的10a、1200v晶闸管。