单电源操作电压:2.5V;16字节一次性可编程(OTP)安全存储器;低功率CMOS工艺:典型有源电流:1mA,典型待机电流10μA(电压5.5V),典型待机电流5μA(电压3.0V);8个256字节模块(8×256×8)组成;2线串行接口总线,I2CTM兼容;输入功能地址可级联8个装置;输出斜率控制以避免地弹;施密特触发器抑制噪声;兼容100kHz(2.5V)和400kHz(5V)时钟频率;自定时擦/写周期;16字节页写入缓冲区;典型页写入时间:2ms;对全部存储器硬件写保护;可以作为一个串行的ROM;可用的工厂模式编程(QTP);ESD静电保护>4000V;多于1000000次的擦/写操作;数据保留>200年;温度范围:0~+70℃/-40~+85℃