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当前位置：维库电子市场网>IC>2n5302 更新时间:2024-04-27 05:51:07

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2n5302中文资料

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 产品种类:

    Transistors Bipolar (BJT)

  • 晶体管极性:

    NPN

  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:

    60 V

  • 最大直流电集电极电流:

    30 A

  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:

    40

  • 配置:

    Single

  • 最大工作频率:

    2 MHz

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装 / 箱体:

    TO-204-2 (TO-3)

  • 封装:

    Tray

  • 集电极连续电流:

    30 A

  • 最小工作温度:

    - 65 C

  • 功率耗散:

    200 W

  • 工厂包装数量:

    100

  • 2N5302G的技术参数

    产品型号:2N5302G
    类型:NPN
    集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):60
    集电极最大持续电流IC(Max)(A):30
    直流电流增益hFE最小值(dB):15
    直流电流增益hFE最大值(dB):60
    最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):2
    功率耗散PD（W）@25℃:200...

  • 2N5302

    30.0A/60V

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