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寸 在to系列封装的晶体管中,其t0一3封装外形与国产管的f一2封装外形基本相同;to一92封装外形与国产管s-l、s-4的封装外形基本相同;to一220封装外形与国产管s一7b封装外形基本相同;t0一202封装外形与国产管s一6封装外形基本相同。 采用to系列封装的常用晶体管有:t0一3为:2sd869、2sd850、2sd951、2sd821、2sd871、2sd822;t0一92为:2sa562、2sa608、2sa1015、2sc388、2sc1815、2sc536;to一220为:2sa940、2sb546、2sc2073、2sc4004、2sd880、2sdl138、d880、3cg940、ds3l、bu406、bu407等。 来源:ks99
选用1/2w金属膜电阻器;r2、r3和r5-r9均选用1/4w碳膜电阻器;r4和rlo均选用2w金属膜电阻器。 rp选用小型实心电位器或可变电阻器。 cl和c2均选用耐压值为i6v的铝电解电容器;c3和c4选用独石电容器或涤纶电容器。 vd1选用1n4001或1n4007型硅整流二极管;vd2和vd3选用不着n4148型硅开关二极管。 vl选用φ3mm的发光二极管。 vs1和vs2均选用1/2w的硅稳压二极管。 ur选用2a、5ov的整流全桥。 v1选用3calof或3cd568、2sa940、2n6476等型号的硅pnp晶体管;v2选用s90133或c8050型硅npn晶体管;v3选用3ddl00a或3da410、bd410、mje5655、2sd401、2sd381等型号的硅npn晶体管。 ic选用cd4o11型四与非门集成屯路。 t选用low、二次电压为l2v的电源变压器。 来源:零八我的爱
1.5A/150V
* pnp 2sa608f 30v 0.1a 0.25w * * pnp 2sa673 50v 0.5a 0.4w * * pnp 2sa720-q 50v 0.5a 0.4w * * pnp 2sa778ak 180v 0.05a 0.2w * * pnp 2sa904 90v 0.05a 0.2w * * pnp 2sa933s 50v 0.1a 0.9w * * pnp 2sa940 150v 1.5a 1.5w * * pnp 2sa950y 150v 0.8a 0.6w * * pnp 2sa966y 30v 1.5a 0.9w * * pnp 2sa968y 160v 1.5a 25w * * pnp 2sb1013a 30v 0.5a 0.3w * * pnp 2sb1185 60v 3a 25w * 75mhz pnp 2sb1238 80v 0.7a
(四)中、低频晶体管 低频晶体管的特征频率一般低于或等于3mhz,中频晶体管的特征频率一般低于30mhz。 1.中、低频小功率晶体管 中低频小功率晶体管主要用于工作频率较低、功率在1w以下的低频放大和功率放大等电路中。 常见的国产低频小功率晶体管有3ax1~3ax15、3ax21~3ax25、3ax31、3bx31、3ax81、3ax83、3ax51~3ax55、3dx200~3dx204、3cx200~3cx204等型号,表5-7是各管的主要参数。 常用的进口中、低频小功率晶体管有2sa940、2sc2073、2sc1815、2sb134、2sb135、2n2944~2n2946等型号,各管的主要参数见表5-8。 2.中、低频大功率晶体管 中、低频大功率晶体管一般用在电视机、音响等家电中作为电源调整管、开关管、场输出管、行输出管、功率输出管或用在汽车电子点火电路、逆变器、不间断电源(ups)等系统中。 常用的国产低频大功率晶体管有3dd102、3dd14、3dd15、3dd52、dd01、dd03、d74、3ad6、3ad30、3da58、df104等型号。 常用的进口中、低频大功
励 10000 1500 25 20 8 40~320 cs11 514 功放 20000 2000 50 50 8 40~320 b514 536 激励 20000 1500 60 50 70~240 b536 3cd5b 544 预视放 750 1000 25 25 180 60 cd715 2sa950 2sb733 546 功放 20000 2000 200 150 90 2sa940 549 帧输出 2sb631 2sa794 562 低放 900 1000 25 20 >60 cd715 2sb544 2sa966 566 电源 40000 4000 70 50 7 60~200 3cf5a/b cd77-1a/b 568 功放 30000 2000 200 60~320 3cf5a cd568 621 电源 600 1
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输入端电压而输出高电平,使v3导通,k吸合,其常闭触头断开,从而保证负载 (用电器)不会因过电压而损坏。 元器件选择 r8和r9均选用lw金属膜电阻器,其余各电阻器选用1/4w或l/2w金属膜电阻器。 rpl和rp2均选用精密可变电阻器。 cl-c4均选用耐压值为16v的铝电解电容器。 vdl-vd4均选用ln5404型硅整流二极管。 vs选用1/2w、6v的硅稳压二极管,例如ln5233a或ln5995b等型号。 vl选用dsl5或2sc2073型硅npn晶体管;v2选用csl5或2sa940型硅pnp晶体管;v3选用s805o或c8050型硅npn晶体管。 ic选用lm324型运算放大集成电路。 m选用l2v直流电动机。 k选用jrx-l3f型l2v直流继电器,使用时将其两组常闭触头并联,以增大电流负荷。 t采用300-500w的电源变压器改制。先计算出匝/伏比等有关数据后再进行绕制,每5v处取出一抽头并作好标记。先绕wl-w3绕组,后绕w4和w5绕组。将t各抽头的外接点与滑臂的滑动触头分别装在两块完全一样的印制板上,粘合后对应连接。滑臂为上、下两片型式,印制板夹在其中间,
入端电压而输出高电平,使v3导通,k吸合,其常闭触头断开,从而保证负载 (用电器)不会因过电压而损坏。 元器件选择 r8和r9均选用lw金属膜电阻器,其余各电阻器选用1/4w或l/2w金属膜电阻器。 rpl和rp2均选用精密可变电阻器。 cl-c4均选用耐压值为16v的铝电解电容器。 vdl-vd4均选用ln5404型硅整流二极管。 vs选用1/2w、6v的硅稳压二极管,例如ln5233a或ln5995b等型号。 vl选用dsl5或2sc2073型硅npn晶体管;v2选用csl5或2sa940型硅pnp晶体管;v3选用s805o或c8050型硅npn晶体管。 ic选用lm324型运算放大集成电路。 m选用l2v直流电动机。 k选用jrx-l3f型l2v直流继电器,使用时将其两组常闭触头并联,以增大电流负荷。 t采用300-500w的电源变压器改制。先计算出匝/伏比等有关数据后再进行绕制,每5v处取出一抽头并作好标记。先绕wl-w3绕组,后绕w4和w5绕组。将t各抽头的外接点与滑臂的滑动触头分别装在两块完全一样的印制板上,粘合后对应连接。滑臂为上、下两片型式,印制板夹在其中间,
可能是2sa940(pnp)
pnp 2sa562t 30v 0.4a 0.3w * * pnp 2sa564a 25v 0.1a 0.25w * * pnp 2sa608f 30v 0.1a 0.25w * * pnp 2sa673 50v 0.5a 0.4w * * pnp 2sa720-q 50v 0.5a 0.4w * * pnp 2sa778ak 180v 0.05a 0.2w * * pnp 2sa904 90v 0.05a 0.2w * * pnp 2sa933s 50v 0.1a 0.9w * * pnp 2sa940 150v 1.5a 1.5w * * pnp 2sa950y 150v 0.8a 0.6w * * pnp 2sa966y 30v 1.5a 0.9w * * pnp 2sa968y 160v 1.5a 25w * * pnp 2sb 2sb1013a 30v 0.5a 0.3w * * pnp 2sb1020 100v 7a 40w 6000 * pnp(达林顿) 2sb1079 100v 20a 100w 5000 * pnp(达林顿) 2sb1185 60v 3a 25w * 75mhz