直流电流(icm) 一般要求用icm与原管相等或较大的晶体管进行置换(代换)。 实际不同厂家关于icm的规定有所不同,有时差别很大,我们要注意到厂家给出的测试条件。常见的有以下几种: ⑴根据集电极引线允许通过的最大电流值确定icm。这个数值可能很大,例如,一只pcn=200mw的晶体管,其icm可能会超过1a。 ⑵根据pcm确定icm,即pcm=icm×uce确定icm。这个规定下的pcm值比普通晶体管较小,比开关管较大,例如pcm都是10w的普通晶体管2sc2209和开关管2sc2214,其icm值却分别为1.5a和4a。 ⑶根据晶体管参数(饱和压降、电流放大系数等)允许变化的极限值确定icm。例如3dd103a晶体管的icm是按其β值下降到实测值的1/3时确定的(icm=3a)。 3.击穿电压 用于置换(代换)的晶体管,必须能够在整机中安全地承受最高工作电压。晶体管的击穿电压参数主要有以下5个: ⑴bvcbo:集电极-基极击穿电压。它是指发射极开路,集电极电流ic为规定值时,集电极-基极间的电压降(该电压降称为对应的击穿电压,以下的相同)。 ⑵bvc
电流(icm) 一般要求用icm与原管相等或较大的晶体管进行置换(代换)。 实际不同厂家关于icm的规定有所不同,有时差别很大,我们要注意到厂家给出的测试条件。常见的有以下几种: ⑴根据集电极引线允许通过的最大电流值确定icm。这个数值可能很大,例如,一只pcn=200mw的晶体管,其icm可能会超过1a。 ⑵根据pcm确定icm,即pcm=icm×uce确定icm。这个规定下的pcm值比普通晶体管较小,比开关管较大,例如pcm都是10w的普通晶体管2sc2209和开关管2sc2214,其icm值却分别为1.5a和4a。 ⑶根据晶体管参数(饱和压降、电流放大系数等)允许变化的极限值确定icm。例如3dd103a晶体管的icm是按其β值下降到实测值的1/3时确定的(icm=3a)。 3.击穿电压 用于置换(代换)的晶体管,必须能够在整机中安全地承受最高工作电压。晶体管的击穿电压参数主要有以下5个: ⑴bvcbo:集电极-基极击穿电压。它是指发射极开路,集电极电流ic为规定值时,集电极-基极间的电压降(该电压降称为对应的击穿电压,以下的相同)。 ⑵b
4.0A/100V
(代换)。2.集电极最大允许直流电流(icm)一般要求用icm与原管相等或较大的晶体管进行置换(代换)。实际不同厂家关于icm的规定有所不同,有时差别很大,我们要注意到厂家给出的测试条件。常见的有以下几种:⑴根据集电极引线允许通过的最大电流值确定icm。这个数值可能很大,例如,一只pcn=200mw的晶体管,其icm可能会超过1a。⑵根据pcm确定icm,即pcm=icm×uce确定icm。这个规定下的pcm值比普通晶体管较小,比开关管较大,例如pcm都是10w的普通晶体管2sc2209和开关管2sc2214,其icm值却分别为1.5a和4a。⑶根据晶体管参数(饱和压降、电流放大系数等)允许变化的极限值确定icm。例如3dd103a晶体管的icm是按其β值下降到实测值的1/3时确定的(icm=3a)。3.击穿电压用于置换(代换)的晶体管,必须能够在整机中安全地承受最高工作电压。晶体管的击穿电压参数主要有以下5个:⑴bvcbo:集电极-基极击穿电压。它是指发射极开路,集电极电流ic为规定值时,集电极-基极间的电压降(该电压降称为对应的击穿电压,以下的相同)。⑵bvceo:集电极-发射极击穿电压。它是指