300MIL
13802
DIP16/22+
原厂原装现货
300MIL
6500
-/23+
原装
300MIL
6500
-/21+
原装正品
300MIL
6500
-/23+
原装
300MIL
13802
DIP16/22+
原厂原装现货
300MIL
7000
DIP16/23+
只做原装现货
300MIL
5000
SOP20/21+
诚信经营...品质保证..价格优势...可提供一站式配套
300MIL
540030
DIP16/22+
十年配单，只做原装
300MIL
10050
-/2021+
原装有意者来电或QQ来电
300MIL
65286
-/21+
全新原装现货，长期供应，免费送样
300MIL
138000
DIP16/21+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
300MIL
23817
SOP20/23+
原装 BOM表一站配套
300MIL
626
SMD/2018+
原装 部分现货量大期货
300MIL
41101
SOP20/-
大量现货，提供一站式配单服务
300MIL
6500
-/21+
原装正品
300MIL
540030
DIP16/22+
十年配单，只做原装
300MIL
540030
DIP16/22+
原装现货
300MIL
7000
DIP16/23+
只做原装现货
300MIL
28700
SOP20/22+
全新原装 价格优势 长期供应
300MIL
10000
SOP20/2023+
原装现货 支持实单
1 简介 本文介绍的单片机多机并行通讯系统，使用89c51作为主机，多片89c2051作为从机。（89c2051为20脚300mil封装，带有2k flash e2prom的单片机，除了少了两个并口外，具备mcs-51系列单片机所有功能。因为其体积小，功能强，必将在单片机应用领域内广泛使用）。这种并行通讯方法适用于在多站点，多层次的检测和控制系统中充当通信控制器的角色；也适合于用作单片机串行口扩充电路。 图1 芯片的逻辑图及四种工作状态 图2 单片机并行通信原理框图 2 三态总线缓冲寄存器74hc646 在单片机构成的多机并行通讯系统中，总线上的信息交换一般采用pio（并行接口）和双端口寄存器等方法，并辅助以总线仲裁电路。通常使用的并行接口芯片有8155，8255等。本文介绍一种简单的并行接口电路，它既能取代8255等芯片，还能使电路结构更加简单和紧凑。该电路由一片74hc74和一片74hc646（300mil窄封装）构成。 74hc646是三态总线缓冲寄存器，其实也是一个双端口共享存储器，只是共享存储区很小的，仅有一个数据输
6mb和32mb两种容量，提供封装体积较小、可有效节省成本的208mil so8封装。w25x16和w25x32与华邦受欢迎的w25x10/20/40/80 (从1mb到8mb的串口式闪存)为同一产品系列，在整个记忆结构方面是以高性能和可灵活运用的4kb sector为特色。w25x16 和w25x32的应用产品包括dvd光储存、 桌上型和笔记型计算机、wlan 设备、dsl 调制解调器、打印机，无绳电话机等。 一般容量比16mb(含)大的高容量串行式闪存仅提供较大及较贵的16-pins 300mil so16封装。而华邦w25x16和w25x32则提供8-pins 208mil 的so8封装, 其面积相当于16-pins soic一半，可缩小并简化印刷电路板的设计。 w25x16和w25x32支持标准的spi读取数据速度达75mhz 。采用双重输出(dual output) 读取功能，其传输速率可达150mhz(>18mb/sec)，在相同的4个spi接脚下，每个频率可提供2位数据输出。用25x「双重输出(dual output) spi」可提供高性能的串口式闪存，容许更加快速
由于耦合信号的频率成分比入侵信号的频率成分更高，所以其损耗比原始的gbps信号受到的损耗要大，自然对噪声指标的影响就降低了。 大多数版图设计工具根据由布线几何形状和材料决定的耦合系数来估算耦合的影响，这就导出了限制平行距离的线性估计公式，它降低了布线密度。事实上，在长的布线上耦合会达到饱和状态。在估算过程中忽略饱和效应会导出比需要量更密的布线设计规则。为此，要采用specctraquest进行全面的仿真以决定设计中的耦合规则。 对于2.5gbps数据，上升时间的典型值是150ps，饱和长度大约是300mil，这就是说，实际耦合线可以长于300mil而不增加耦合预算值。表2显示了2.5gbps速率、摆幅500mv、上升时间为110ps的信号的耦合饱和参数和损耗。耦合在大约300-400mil处达到饱和，因为损耗使其幅度在长布线上出现较大衰减。根据这一规律，设计工程师可以更有效地布线，而这一点比许多版图设计工具给出的设计规则更有效。 用maxwell 2d/3d设计复杂布线结构 对于传输速率在10g到12.5gpbs的较高速率，fr-4板材会产生很大的损耗，要采用其它损耗特性更佳的板材。如图1所示为一
ramtron international公司宣布推出新款的平行f-ram内存fm14c88，它可满足磁盘阵列(raid)储存服务器及主机总线适配卡(hba card)等应用需求。 与nvsram相较，fm14c88的读写速度更快，工作电压更低。fm14c88的容量为256kb、工作电压为2.0至3.6v，采用工业标准300mil宽度的32脚soic封装，具有高速存取、无延迟写入、几乎无限的读写次数及低功耗等特点，是取代bbsram (电池供电的sram)或非挥发性sram (nvsram)等内存的理想方案。 fm14c88是一款采用32k×8配置的标准平行非挥发性铁电随机存取内存(f-ram)，读写作业与标准sram相似，能够在断电后保存资料，并提供超过635年(55℃)的资料保存能力，避免了bbsram (电池供电的sram)或非挥发性sram (nvsram)方案中电池、电容器的不可靠性、高成本和设计复杂性等问题。f-ram具有写入速度快，几乎无限的读写次数(写入次数大约为1014次)等特点，使其成为raid储存服务器及产业自动化等应用的理想选择。 fm14c88在系统
钟线，每条过孔数不要超过2个，平均不得超过1.5个。 2.3)频率小于66m的时钟线，每条过孔数不要超过3个，平均不得超过2.5个 2.4)长度超过12inch的时钟线，如果频率大于20m，过孔数不得超过2个。 2.5)如果时钟线有过孔，在过孔的相邻位置，在第二层（地层）和第三层（电源层）之间加一个旁路电容、如图2.5-1所示，以确保时钟线换层后，参考层（相邻层）的高频电流的回路连续。旁路电容所在的电源层必须是过孔穿过的电源层，并尽可能地靠近过孔，旁路电容与过孔的间距最大不超过300mil。 2.6)所有时钟线原则上不可以穿岛。下面列举了穿岛的四种情形。 2.6.1) 跨岛出现在电源岛与电源岛之间。此时时钟线在第四层的背面走线，第三层(电源层)有两个电源岛，且第四层的走线必须跨过这两个岛. 2.6.2) 跨岛出现在电源岛与地岛之间。此时时钟线在第四层的背面走线，第三层(电源层)的一个电源岛中间有一块地岛，且第四层的走线必须跨过这两个岛。 2.6.3) 跨岛出现在地岛与地层之间。此时时钟线在第一层走线，第二层(地层)的中间有一块地岛，且第一层的走线必须跨过地
继w25x10/20/40/80(从1mb到8mb)热销后，华邦电子进一步推出更高容量的w25x16(16mb)和w25x32(32mb)产品，串列式闪存可应用范围包括dvd光存贮、台式机和笔记本电脑、wlan设备、dsl调制解调器、打印机，无线电话机等。 16mb和32mb均可提供包装小成本低8个引脚的208mil so8封装，更高容量的串列式快闪存贮器(比16mb更大的容量)通常不能使用8个引脚, 而采用包装大成本高16个引脚的300mil so16封装。华邦的w25x16和w25x32的封装面积相当于16个引脚soic的一半，可使用8个引脚208mil so8在更小和更简单的印刷电路板上。so8也考虑到以相同脚位可适用4mb到32mb的容量。 w25x16和w25x32支援标准的spi接口，读取资料速度达75mhz的时钟。采用双重输出(dual output)读取功能，其传输速率可高达150mhz时脉(>18mb/秒)，即在相同的4个spi脚位下，每个时脉可提供2位资料输出。采用25x“双重输出(dual output) spi”的功能，可提供高性能的串列式闪存
ramtron international公司宣布推出新款的平行f-ram内存fm14c88，它可满足磁盘阵列(raid)储存服务器及主机总线适配卡(hba card)等应用需求。 与nvsram相较，fm14c88的读写速度更快，工作电压更低。fm14c88的容量为256kb、工作电压为2.0至3.6v，采用工业标准300mil宽度的32脚soic封装，具有高速存取、无延迟写入、几乎无限的读写次数及低功耗等特点，是取代bbsram (电池供电的sram)或非挥发性sram (nvsram)等内存的理想方案。 fm14c88是一款采用32k×8配置的标准平行非挥发性铁电随机存取内存(f-ram)，读写作业与标准sram相似，能够在断电后保存资料，并提供超过635年(55℃)的资料保存能力，避免了bbsram (电池供电的sram)或非挥发性sram (nvsram)方案中电池、电容器的不可靠性、高成本和设计复杂性等问题。f-ram具有写入速度快，几乎无限的读写次数(写入次数大约为1014次)等特点，使其成为raid储存服务器及产业自动化等应用的理想选择。 fm14c88在系统
世界顶尖的非易失性铁电存储器 (f-ram) 和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation推出并口f-ram存储器fm14c88，适合raid(磁碟阵列)存储服务器及主机总线适配卡 (hba card) 等应用。 与nvsram相比，fm14c88的读写速度更快, 工作电压更低。fm14c88 的容量为256kb、工作电压为2.0至3.6v，采用工业标准300mil宽度的32脚soic封装，具有高速访问、无延迟(nodelay?) 写入、几乎无限的读写次数及低功耗等特点，是取代bbsram (电池供电的sram) 或非易失性sram (nvsram)等存储器的理想方案。 ramtron市场拓展经理李鸿钧称：“fm14c88的引脚和功能与cy14b256l和 stk14c88-3 等nvsram兼容，具有实时非易失性写入和快速上电运作等优势，不像nvsram需要大电容或bbsram需要电池来支持断电时的数据存储。对比bbsram和nvsram等方案, fm14c88更能节省成本和基板空间，简化生产，提高产品的可靠性。” 关于f
在某些应用领域可代替dram。 另外，提供定制的软件驱动系统及闪存文件系统软件spansion ffs，后者可自动管理读写、擦除闪存等操作，为并行及串行nor闪存提供提供快速读写能力。 fl-s系列可应用于实时3d显示仪表盘和车载娱乐系统等汽车电子、数字电视和机顶盒等消费电子、智能电表、wimax系统。 128mb和256mb fl-s闪存现已提供样片，将于10月投产。512mb及1gb产品将分别在2011年四季度及2012年二季度投产。 封装方面，采用16引脚so封装（300mil），8引脚so封装（128mb预计尺寸208mil），6x8mm的8引脚wson封装（128mb及256mb），6x8mm的24球bga封装。
释道，“ds4026在校准器件的时候可检测到频率波动。随后器件消除了频率波动对系统整体性能的影响。” 其他系统特性 ds4026数字tcxo还具有很多其他tcxo所没有的独特的功能和特性。包括±3℃精度、可输出读数的温度传感器、16位dsp控制dac，可实现频率稳定、定时以及校准功能。频率调整以及温度读数通过i2c控制接口实现。ds4026的频率可以以优于1ppb的分辨率进行调整，整个可调范围大于±10ppm。器件工作在3.3v±5%的电源电压下，采用标准的300mil 16引脚so封装。该器件完全兼容rohs规范，可提供商业级和工业级温度版本。 该tcxo可以支持要求具有超高精度和稳定时基的应用，例如无线基础机构应用、sonet/sdh系统、仪表和测试系统以及gps导航设备。 ds4026起价为$20.00(10k片起，美国离岸价)。现备有样品。
是这样的：有一个元器件，比较特殊，我的protel dxp里面没有于是自己制作原理图库和pcb封装库，从而制作集成库制作原理图库的时候，比较简单吧，是不是自己画个矩形，再画上所有的管脚就可以了？制作pcb封装库的时候，我是用制作向导制作的，但是使用向导的时候，不知道该如何修改焊点规格设定具体来说：我的那个器件是dip封装，20个管脚，但是管脚之间距离比较窄，50mil（1.27mm）；管教较细（0.3mmx0.25mm），两列管脚趾间为距离300mil，50mil和300mil都设定好了，就是不知道焊点该如何设定过孔大小一定要大于0.3mm吧？但是大的太多也不行吧？谁帮我选个最常用的值吧？我怕自己选的不是最常用的，让人家制作pcb的人看笑话
dip8的应该都一样的。都是窄的，还没见过宽的dip8 ^_^dip有两种，一种是窄的，列宽300mil，另一种是宽的，列宽是600mil．管脚间距都是一样的，都是100mil.
)前面的电平标准摆幅都比较大，为降低电磁辐射，同时提高开关速度又推出lvds电平标准。lvds：low voltage differential signaling 差分对输入输出，内部有一个恒流源3.5-4ma，在差分线上改变方向来表示0和1。通过外部的100欧匹配电阻(并在差分线上靠近接收端)转换为±350mv的差分电平。lvds使用注意：可以达到600m以上，pcb要求较高，差分线要求严格等长，差最好不超过10mil(0.25mm)。100欧电阻离接收端距离不能超过500mil，最好控制在300mil以内。下面的电平用的可能不是很多，篇幅关系，只简单做一下介绍。如果感兴趣的话可以联系我。cml：是内部做好匹配的一种电路，不需再进行匹配。三极管结构，也是差分线，速度能达到3g以上。只能点对点传输。gtl：类似cmos的一种结构，输入为比较器结构，比较器一端接参考电平，另一端接输入信号。1.2v电源供电。vcc=1.2v；voh>=1.1v；vol<=0.4v；vih>=0.85v；vil<=0.75vpgtl/gtl+：vcc=1.5v；voh>=1.4v；vol
及 diode0.7 石英晶体振荡器 xtal1 晶体管、fet、ujt to-xxx(to-3,to-5) 可变电阻（pot1、pot2） vr1-vr5 当然,我们也可以打开c:\client98\pcb98\library\advpcb.lib库来查找所用零件的对应封 装。 这些常用的元件封装,大家最好能把它背下来,这些元件封装,大家可以把它拆分成两部分 来记如电阻axial0.3可拆成axial和0.3,axial翻译成中文就是轴状的,0.3则是该电阻在印 刷电路板上的焊盘间的距离也就是300mil（因为在电机领域里,是以英制单位为主的。同样 的,对于无极性的电容,rad0.1-rad0.4也是一样;对有极性的电容如电解电容,其封装为r b.2/.4,rb.3/.6等,其中“.2”为焊盘间距,“.4”为电容圆筒的外径。 对于晶体管,那就直接看它的外形及功率,大功率的晶体管,就用to—3,中功率的晶体管 ,如果是扁平的,就用to-220,如果是金属壳的,就用to-66,小功率的晶体管,就用to-5 ,to-46,to-92a等都可以,反正它的管脚也长,弯一下也可以。 对于常用的集成ic电路,
s谁知道这25mil是怎么算来的吗？是根据导体中电子运动速度算出来的吧，波长等于速度除以频率！导线之间的长度差不得大于半波长是吧？那导体中的电子运行速度是多少？以前学的都忘记了哈，刚在网上查了一个说是0.74mm每秒，好像不对！如果真是要求差值在25mil内，那可要花不少时间，并且受布局影响有的还不可能达到！我画的时候，只是保证了每一组dqs与dq之间差值在300mil内，多数在200mil左右，要求跑的速度也就100m。这样的布线结果不知道会怎样，心里没底可又不能完全达到25mil的要求。
联系人：
联系方式：
