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。 现在已经制造出40 mm sic晶片,1990年已有30 mm sic晶片上市,在电力电子技术中,开始用sic器件代替si器件。例如,sic肖特基二极管 已有商品问世,定额为300v、600v、1200v/20a,反向恢复时间接近于零,175℃以下sic肖特基二极管的反向电流几乎不变。 据《电力电子》杂志2004年第4期报道,已经试制出一批sic器件样品,如sic功率mosfet,定额为:750v/15ma,rdc(on)=66mω;1998年研制 出耐压达1400v,通态电阻为311mω的sic功率mosfet。其他又如sic晶闸管,950v/16a,通态压降为3.67v;1999年研制出耐压达790v,通态压 降为1.5v,电流密度为75a/cm2的sic igbt。 可以预见,碳化硅将是21世纪最可能成为应用成功的新型功率半导体器件的材料。 来源:ks99