320KS002B16
Extender Backshell
GLENAIR
320KS002B16PDF下载
320KS002C16
Extender Backshell
GLENAIR
320KS002C16PDF下载
320KS002G16
Extender Backshell
GLENAIR
320KS002G16PDF下载
320KS002M16
Extender Backshell
GLENAIR
320KS002M16PDF下载
320KS002NF16
Extender Backshell
GLENAIR
320KS002NF16PDF下载
频率变化过大，由式（6－40）可知fvco=因此，ml4425在电路切换前后： 式中，“2”表示切换后状态，“1”表示切换前状态。 显然，不管是电容切换法还是电阻切换法，电路切换前后，变化结果都一样，两者均超过vc0响应突变，因此，两种方法都不能使电机正常起动。 为了解决上述矛盾， 笔者提供了以下方案，简称瞬时变压电阻切换法，其主要工作原理是切换时，在rvco改变时，同时改变vrc大小，以使接近1。具体实验切换步骤如下： 1）初设cvco=1.5nf，rvco＝320kω。 2）当vrc=6.5v后，vrc和rvco同时变化。其中，rvco由320kω切换至80.5kω，同时vrc“瞬时切换”至2v的二极管。所谓瞬时切换，是指切换至2v的二极管后，延时j秒（j<1s）后，立即断开，其具体框图如图1 所示。 图1 电路切换框图 上述参数设定原因如下： 1）rvco初始设定为320kω是为了使电机正常起动，小于此值，则ml4425在cvco=1.5nf情况下，电机无法正常起动。 2）vrc=6.5v才切换，主要是考虑到后级滞
作的基础上，使用iar公司的集成开发环境embedded workbench编写出简单的测试程序，其中包括汇编语言、c语言,只要在ew中，利用它提供的嵌入式c/c++优化编译器，汇编器，连接定位器就可以生成目标机的可执行程序，利用ew的c-spy调试器中支持的rdi接口就可以和bdi2000/1000建立连接，直接将编写的代码下载到板上在线仿真。由于bdi2000仿真器是通过10兆以太网连接计算机，并且通过jtag接口与目标机相连，bdi2000与目标机的通信速率可达16兆/秒，程序下载速率可达320k字节/秒，因此可以大大提高平台软件开发的效率。 在初步的测试程序编写完成以后，逐步对板上的其他外设和通讯端口进行测试。 3.3 带有简单调试功能的串口监控程序 netcarm7上的串口除了可以提供少量数据传送、控制信息的输入输出以外，为了方便平台的软件维护我们还开发了一个基于板上串口的监控程序，经rs-232接口就可将pc与netcarm7相连，完成以下功能：1).显示处理器各状态下寄存器的值。2).修改指定地址的sram、flashrom中的内容。3).查看指定地址的存储器
/www.iar.com)的集成开发环境embedded workbench编写出简单的测试程序，其中包括汇编语言、c语言,只要在ew中，利用它提供的嵌入式c/c++优化编译器，汇编器，连接定位器就可以生成目标机的可执行程序，利用ew的c-spy调试器中支持的rdi接口就可以和bdi2000/1000建立连接，直接将编写的代码下载到板上在线仿真。由于bdi2000仿真器是通过10兆以太网连接计算机，并且通过jtag接口与目标机相连，bdi2000与目标机的通信速率可达16兆/秒，程序下载速率可达320k字节/秒，因此可以大大提高平台软件开发的效率。在初步的测试程序编写完成以后，逐步对板上的其他外设和通讯端口进行测试。3.3 带有简单调试功能的串口监控程序netcarm7上的串口除了可以提供少量数据传送、控制信息的输入输出以外，为了方便平台的软件维护我们还开发了一个基于板上串口的监控程序，经rs-232接口就可将pc与netcarm7相连，完成以下功能：1).显示处理器各状态下寄存器的值。2).修改指定地址的sram、flashrom中的内容。3).查看指定地址的存储器中的内容。4).将用户编写
dc303a引脚排列及内部原理图 如图1 所示，s1和s3开关有in1控制，s2和s4由in1控制。s1和s3、s2和s4为异动开关，两者一开一闭，其动作逻辑如表1所示（“逻辑”为对应的控制端in1或in2）。 表1 dg303a切换逻辑 图2所示为实验中具体的切换电路原理图。 如图2所示，由滞环电路的输出uo控制电阻切换，由单稳态输出pout控制vco输入电压uv的切换。当速度信号电压uv上升到6.5v后，vrc和rvco。同时变化。其中，rvco由320kω切换至80.5kω，同时uv“瞬时切换”2v的稳压管。所谓瞬时切换，是指切换至2v的稳压管后，延时t秒（t≈25ms）后，立即断开。 图2 ml4425应用于高速电机的切换原理框图 欢迎转载，信息来自维库电子市场网（www.dzsc.com） 来源:ks99
为正，和用非常高能量或惰性气体注入时一样)。用其他物质(ppp, pps,ppv(polyparaphenyl vinylene))有相似的行为。在这些膜中，掺杂用低能(30kev)注入，用典型的参数d≈2×1015ion/cm2和j≈0.2μa/cm2。koshida和wachi用12kev钠离子注入本征p型聚乙炔基体制作pn结时，首次观察到低能区注入时的化学掺杂效应。现已能够用在本征绝缘的ppp(聚对苯)基质中连续注入卤素和碱金属离子的方法制作pn结 [11]。低能注入时，热电动势率s在t≈320k出现转变（临界点）。这个转变是由于从低温时导电过程（服从变区域跳跃导电规律）到热激活（和极化态或带尾相联系的定域态中）导电机理（ea）的变化[11]。davenas 对离子注入聚乙炔膜的稳定性作了研究。用碘离子注入聚乙炔后，聚乙炔样品对氧的敏感性降低[2,5]。100℃时离子注入聚乙炔在10小时内稳定性显著地保持，而用碘化学掺杂的聚乙炔样品在同样时间内掺杂浓度减小了一半[5] 。 用化学掺杂不能使其电导率增加的聚合物（例聚乙烯咔唑(pvk)）用离子注入可增加其电导率[6]。用高能离子辐照聚合物膜
arm7做实时解码是可以的arm7做实时解码是可以的,只要有iis的dma功能.我们已在44b0x上实现,跑67mhz,mp3码流可以到320k但做编码就不行了http://www.mcusky.com/44b0mp3/arm-mp3.asp
ser 发表于 2005-3-9 12:07 arm 论坛 ←返回版面 編碼可能arm7就不行了， mp3 encoder所需的资源更多。 而且高速率的肯定不行。 要是arm7，确定要放弃实时编码。 要是你做得话，把pcm读到buffer，让它慢慢编，也没关系。 呵呵 apple 发表于 2005-3-9 13:23 arm 论坛 ←返回版面 arm7做实时解码是可以的 arm7做实时解码是可以的,只要有iis的dma功能.我们已在44b0x上实现,跑67mhz,mp3码流可以到320k但做编码就不行了http://www.mcusky.com/44b0mp3/arm-mp3.asp lhler2002 发表于 2005-3-9 14:21 arm 论坛 ←返回版面 谢谢masser和apple,顺便帖上其他版面对此问题的讨论！！ fazi 发表于 2005-3-4 11:46 dvb与视音频 ←返回版面 可以实现~~ 由于一般arm没有fpu,所以定点算法的优化很重要~如果做的够好~可以轻松实现~~cpu资源的占用与算法有很大的关系~偶个人觉得:[俺现在还没
把刚才问题拿出来讨论（pwm脉冲后出现骚扰）l大小为10uh，c大小为10uf，不大会是谐振，计算谐振频率为15.98k，输入pwm脉冲信号为320k左右，最为重要的证据是，无论改变电感或者电容大小，15v脉冲骚扰没有任何改变迹象，发个图来看看把
1g。 10、可做外置插卡mp3方案 11 、目前量产款式：大月光宝盒、小月光宝盒、大朝华、平果系列（ipod）、外置插卡方案近期推出。二、方案基本规格（以月光宝盒款式为例）1.显示屏七彩或单色点阵（96*26、128*32、132*32）2.连接电脑 高速usb（读1000k byte，写800k byte） 3.内存 快闪存储器：64m－1g(nand flash兼容性较好) 4.录音 采样率 8khz 5.录音格式wav（32k bps、96k bps） 6.mp3比特率8k bps – 320k bps 7.wma、wmv、asf比特率 5k bps – 384k bps 8.频率响应20hz至20khz 9.信噪比 85db 10.fm收音机 接收频率范围87mhz – 108mhz 存台数 2011.耳机最大输出 （l）10mw＋（r）10mw（32ohm） 12.音乐格式 mp1、mp3、wma、wmv、wav13.使用温度 -5至40摄氏度 14.语言显示 :简体中文、英文、繁体中文、法文、意大利言文、西班牙文、端典文、丹麦文、葡萄牙文、日文、韩文、俄文、泰文等多国语言 15.
我用的是40106，电阻没这么大，320k左右可调频率在8000－9600之间
联系人：
联系方式：
