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详解MOSFET的驱动技术及应用
候的的启动电流。驱动源参数为12v ，100khz， d=0.5。驱动变压器电感量为200uh，匝比为1：1。图23 红色波形为驱动源v1的输出，绿色为q1的g级波形。可以看到，q1-g的波形为具有正负电压的方波，幅值6v了。为什么驱动电压会下降呢，是因为v1的电压直流分量，完全被c1阻挡了。所以c1也称为隔直电容。下图为c1上的电压。图24 其平均电压为6v，但是峰峰值，却有2v，显然c1不够大，导致驱动信号最终不够平。那么把c1变为470n。q1-g的电压波形就变成如下：图25 驱动电压变得平缓了些。如果把驱动变压器的电感量增加到500uh。驱动信号就如下图：图26 驱动信号显得更为平缓。从这里可以看到，这种驱动，有个明显的特点，就是驱动电平，最终到达mos的时候，电压幅度减小了，具体减小多少呢，应该是d*v，d为占空比，那么如果d很大的话，驱动电压就会变得很小，如下图，d=0.9 图27 发现驱动到达mos的时候，正压不到2v了。显然这种驱动不适合占空比大的情况。从上面可以

开发部工程师工作指导及规范(转贴)
k7、4k99、49k9≤1m 整数表示为 xxm，例如1m、10m 包含小数表示为xmx，例如4m7、2m2电阻如只标数值，则代表其功率低于1/4w。如果其功率大于1/4w，则需要标明实际功率。为区别电阻种类可在其后标明: cf碳膜、mf金属膜、pf氧化膜、fs熔断、ce瓷壳。电容≤1pf 以小数加p表示，例如0p47≤999pf 整数表示为 xxp，例如100p、470p 包含小数表示为xpx，例如4p7、6p8≤999nf 整数表示为 xxn，例如100n、470n 包含小数表示为xnx，例如4n7、6n8 习惯上，接近1uf的电容也可以以0.xxu表示，例如0.1u、0.22u≥1uf 整数表示为 xxu，例如100u、470u、1000u 包含小数表示为xux，例如4u7、6u8习惯上，大于1000uf的也可以xm表示，1m=1000u容值后标明耐压，以“/”与容值隔开。电解电容必须标明耐压，其他介质电容，如不标明耐压，则缺省定义为“耐压63v”。电感的电感量标法同电容容量标法。二、三极管、集成电路以及继电器等标实际型号即可，如有特殊要求

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