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    AT49F001N引脚图单电压操作:5V读,5V再编程;快速读存取时间为55ns;内部编程控制和计时器;扇区架构:1个16K字启动区块,具有程序闭锁,2个8K字参数区块,2个(32KB,64KB)主存储区块;快速擦除周期时间为10s;按字节编程为10μs/字节;硬件数据保护;Data轮询用作程序结束检测;典型的10000次写入周期;低功耗:50mA工作电流,100μA CMOS待机电流

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