NAND08GW3B2A
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-/21+
全新原装现货,长期供应,免费送样
NAND08GW3B2A
41101
STMICRO/-
大量现货,提供一站式配单服务
NAND08GW3B2A
10611
TSOP/05+
原厂原装现货
NAND08GW3B2A
50000
TSOP/22+
进口原装现货实单可谈接受,假一罚十
NAND08GW3B2A
3000
-/2035+
原厂原装现货库存支持单天发货
NAND08GW3B2A
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STMICRO/2215+
原装现货,可提供一站式配套服务
NAND08GW3B2A
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STMICRO/2215+
原装现货,可提供一站式配套服务
高密度的NAND Flash存储器:高达8G位存储器阵列,成本效益的解决方案用于大规模存储应用;NAND接口:16倍总线宽度,多路复用地址/数据;电源电压:1.8V/3.0V设备;页大小:8倍设备:(2048+64备用)字节,16倍设备:(1024+32备用)字;块大小:8倍设各:(128K+4K备用)字节,16倍设备:(64K+2K备用);页读/程序:随机存取:25μs(最大值),顺序存取:25ns(最小值),页程序时间:200μs(典型值),多层页程序时间(2页):200μs(典型值);缓冲读模式;快速块擦除:1.5ms(典型值),多块擦除时间(2块):1.5ms(典型值);状态寄存器;硬件数据保护:程序/擦除锁定在功率转换器件,非易失性保护项;数据的完整性:100000程序/擦除周期(具有ECC),10年的数据保留时间;操作电压:VDD=1.7~1.95V;高密度NAND Flash存储器:多达8G位存储器阵列