AM29LV200BB-50EE
9450
TSOP/2021+
原装现货。
AM29LV200BB-120ECT
2337
-/-
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AM29LV200BB-90EC
203060
TSOP48/24+
一手渠道 假一罚十 原包装常备现货林R Q2280193667
AM29LV200B-150EC
8000
TSOP/22+
原装现货
AM29LV200B
3588
-/-
原装 部分现货量大期货
AM29LV200B
6580
TSOP48/-
长期供应工厂以及个体客户 可开票 可长期供应
摘要:介绍在tms320c5410环境下对am29lv200b flash存储器进行程序烧写,并且实现了tms320c5410上电后用户程序并行自举引导。 关键词:am29lv200b flash dsp 并行自举引导 自举表 flash是一种可在线进行电擦写,掉电后信息不丢失的存储器。它具有低功耗、大容量、擦写速度快等特点,并且内部嵌入算法完成对芯片的操作,因而在数字信号处理系统中得到了广泛的应用。本文通过一个完整的实例,介绍am29lv200b flash存储器的烧写方法,实现tms320c5410(以下简称c5410)上电后用户程序的并行自举引导。1 am29lv200b flash存储器1.1 flash存储器简介 am29lv200b是amd公司生产的flash存储器,其主要特点有:3 v单电源供电,可使内部产生高电压进行编程和擦除操作;支持jedec单电源flash存储器标准;只需向其命令寄存器写入标准的微处理器指令,具体编程、擦除操作由内部嵌入的算法实现,并且可以通过查询特定的引脚或数据线监控操作是否完成;可以对任一扇区进行读、写或擦除操作,而不影响其它部分的数
易失性存储器,因此需要外部的非易失性存储介质,如eprom或flash,来存储程序和数据。5410片内有64k字ram。由于在片内ram运行程序比片外运行有高速度低功耗等显著优点,通常上电后都需要从片外eprom或flash上加载程序到片内ram,但是芯片自带的自举程序(简称bootloader)只支持32k字以内的外部程序加载,因此程序设计往往局限于32k字空间内,限制了编程的灵活性,不能充分发挥5410的性能,当程序空间大于32k字时,就需要自己编写程序来实现自举。下面首先介绍使用5410对am29lv200bflash存储器进行程序分页烧写的方法,然后重点介绍利用bootloader来编程实现多页并行自举引导的方法。 1 am29lv200b flash存储器的分页烧写 1.1 flash存储器简介 am29lv200b(简称flash)是amd公司生产的flash存储器,主要特点有:3v单电源供电,可内部产生高电压进行编程和擦除操作;支持jedec单电源flash存储器标准;只需向其命令存储器写入标准的微处理器指令,具体便编程、擦除操作由内部嵌入的算法实现,并且可以通过查询特定的引脚或
储器,因此需要外部的非易失性存储介质,如eprom或flash,来存储程序和数据。5410片内有64 k字ram,由于在片内ram运行程序比片外运行有高速度低功耗等显著优点,通常上电后都需要从片外eprom或flash上加载程序到片内ram,但是芯片自带的自举程序(简称bootloader)只支持32 k字以内的外部程序加载,因此程序设计往往局限于32 k字空间内,限制了编程的灵活性,不能充分发挥5410的性能。当程序空问大于32 k字时,就需要自己编写程序来实现自举。下面首先介绍使用5410对am29lv200bflash存储器进行程序分页烧写的方法,然后重点介绍利用bootloader来编程实现多页并行自举引导的方法。 1 am29lv200b flash 存储器的分页烧写 1.1 fiash 存储器简介 am29lv200b(简称flash)是amd公司生产的flash存储器,主要特点有:3 v单电源供电,可内部产生高电压进行编程和擦除操作;支持jedec单电源flash存储器标准;只需向其命令寄存器写人标准的微处理器指令,具
储器,因此需要外部的非易失性存储介质,如eprom或flash,来存储程序和数据。5410片内有64 k字ram,由于在片内ram运行程序比片外运行有高速度低功耗等显著优点,通常上电后都需要从片外eprom或flash上加载程序到片内ram,但是芯片自带的自举程序(简称bootloader)只支持32 k字以内的外部程序加载,因此程序设计往往局限于32 k字空间内,限制了编程的灵活性,不能充分发挥5410的性能。当程序空问大于32 k字时,就需要自己编写程序来实现自举。下面首先介绍使用5410对am29lv200bflash存储器进行程序分页烧写的方法,然后重点介绍利用bootloader来编程实现多页并行自举引导的方法。 1 am29lv200b flash 存储器的分页烧写 1.1 fiash 存储器简介 am29lv200b(简称flash)是amd公司生产的flash存储器,主要特点有:3 v单电源供电,可内部产生高电压进行编程和擦除操作;支持jedec单电源flash存储器标准;只需向其命令寄存器写人标准的微处理器指令,具体编程、