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2021
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8913
BGA/23+
柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分
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8300
BGA/21+
原装正品假一赔十
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6000
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1200
BGA/04+
只做原装 支持BOM配单服务 企业QQ 3003975274
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BGA/21+
原厂原装现货
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69000
BGA/21+
原厂原装现货 假一赔十
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45000
BGA/23+
原装认证有意请来电或QQ洽谈
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BGA/2023+
终端可免费供样，支持BOM配单
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BGA/20+
富士康现货，技术支持
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BGA/04+
原厂原装现货
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BGA/-
20年配单 只求现货匹配
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456000
NEW/NEW
一级代理正品保证
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BGA/05+
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AT52BC6402AT
19636
NA//23+
优势代理渠道,原装,可全系列订货开增值税票
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BGA/22+
一诺千金，诚信经营
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48000
BGA/23+
只做原装,提供一站式配套服务，BOM表秒报
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BGA/-
全新原装
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3588
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原装 部分现货量大期货
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64 MBIT FLASH 16 MBIT PSRAM
ATMEL
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64 MBIT FLASH 16 MBIT PSRAM
ATMEL [ATMEL Corporation]
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AT52BC6402AT-70CI
64 MBIT FLASH 16 MBIT PSRAM
ATMEL
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64 MBIT FLASH 16 MBIT PSRAM
ATMEL [ATMEL Corporation]
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AT52BC6402AT-85CI
64 MBIT FLASH 16 MBIT PSRAM
ATMEL
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AT52BC6402AT-85CI
64 MBIT FLASH 16 MBIT PSRAM
ATMEL [ATMEL Corporation]
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层叠式存储模块功能：64M Flash＋16M PSRAM，电源电压：2.7～3.1V； 数据1/O×16.66引脚的CBGA封装； 64MFlash功能：64M（4M×16）Flash寄存器； 读/写操作电压范围：2.7～3.1V； 高性能：异步存取时间：70/85ns； 扇区擦除架构：8个带有个别写锁定的4K字扇区，带有个别写锁定的32K字主扇区； 典型的扇区擦除时间：32K字扇区需500ms，4K字扇区需100ms； 64M，4层结构，当其他3层并行读操作时不被编程/擦除：寄存器层A：寄存器的16M，包括8个4K字扇区； 寄存器层B：寄存器的16M，由32K字的扇区组成； 寄存器层C：寄存器的16M，由32K字的扇区组成；寄存器层D：寄存器的16M，由32K字的扇区组成； 低功耗操作：正常工作时为30mA，待机时为35μA； 用于写保护和加速编程操作的VPP引脚，用于设各初始化的RESET引脚；顶部或底部的启动块配置提供； 128位保护寄存器； 共用闪存接口（CFI）； 16M PSRAM功能：16M（1M×16）；操作电压范围：2.7～3.1V； 读取时间：70ns；Flash启动块：底部启动
ry. at52bc1661at 16-mbit flash + 8-mbit psram stacked memory. at52bc3221a 32-mbit flash + 8-mbit psram stacked memory. at52bc3221at 32-mbit flash + 8-mbit psram stacked memory. at52bc6402a 64 mbit multi-plane flash combined with a 16m psram at52bc6402at 64 mbit multi-plane flash combined with a 16m psram flash/sram 设备 描述 at52br1664a 16 mbit single-plane flash combined with a 4m sram at52br1664at 16 mbit single-plane flash combined with a 4m sram at52br3224a 32 mbit single-plane flash combi
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