带有此标记的料号：
1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了2万保证金，经维库认证中心严格审查。
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78
SOT233/1828+
一定原装房间现货
21380
SOT23/22+/23+
原装现货 有单就出，一站式BOM配单 假一赔十
30000
N/A/22+
原装现货，主营全系列产品
4000
SOT233/-
代理现货库存 挂就有
10000
SOT233/22+
全新原装现货，认准华盛锦
10000
SOT23/22+
Genuine original packaging
2500
SOT235/15+
全新原装、支持实单
60000
-/22+
只做原装20年老牌供应商，现货请私聊
BSS138
SIPMOS Small-Signal Transistor (N ch...
INFINEON
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BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL ...
ZETEX
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BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFF...
DIODES
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BSS138
N-Channel Logic Level Enhancement Mo...
FAIRCHILD
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BSS138
N-Channel Enhancement Mode Field Eff...
CET
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BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23
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BSS138
SIPMOS Small-Signal Transistor (N ch...
SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]
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BSS138
N-Channel Logic Level Enhancement Mo...
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL ...
ZETEX [Zetex Semiconductors]
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BSS138
N-Channel Enhancement Mode Field Eff...
CET [Chino-Excel Technology]
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现两种功能。 另一方面，电流参考电阻（图7电路图中的r3）减小到5.6 kω时，可补偿晶体管q1的vcesat。 图8、图9中的波形说明了采用rb=1.3 mω/cbe=2.2mf产生软启动时，输出至4个led的电流均为25 ma。当然，通过调整rb/cbe网络可以增加或减小斜升延迟。但1.5 mω以上的rb值将造成系统对环境噪声敏感。如前所述，cbe电容不可采用低成本电解电容，必须采用陶瓷型电容，以实现所期望的长时序。 可以采用小信号nmos器件替代外部晶体管q1，如bss138。由于门极输入不吸收电流，可以产生更大时延。虽然还可以采用更小的器件运行这种应用，但必须避免所选nmos的大rdson造成的非受控工作电流。实际上，对于rdson额定值为5000ω的器件，上述参数变化较大（在整个温度范围内大概为1:2），且输出电流同时变化，使得led亮度不均匀。因此，必须选择rdson较小的器件，以确保led在正常工作中可准确控制。 另外，由于nmos的vt大于双极型器件vbe的两倍，采用nmos器件一般不会在开始时序上增加工作延迟：vbe为0.6 v时，范围在1.5 v
产品型号:BSS138LT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):50
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3500
最大漏极电流Id(on)(A):0.200
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-23/-55~150
描述:小信号N沟道SOT23封装场效应管
价格/1片(套):￥.60<...
产品型号:BSS138LT1
源漏极间雪崩电压VBR(V):50
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3500
最大漏极电流Id(on)(A):0.200
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-23/-55~150
描述:小信号N沟道SOT23封装场效应管
价格/1片(套):￥.60
0.22A/50V
其实也不见得未完全关闭看他的图7002的s极大概是240mv的正电平，g＝低时甚至可能vgs<0，如果这样还不能彻底关断，那只能是一个解释：2n7002本身性能不够。类似的场合，我用的是bss138。贵一些，但性能好不少。其实性能最好的还应该是模拟开关。至于工频干扰说，有些牵强。怎么那么巧每次都是凸的，而不是凹的呢？除非他的50hz触发信号就是用工频信号过零比较来的，刚好同步。
请教dmos管的作用学习射频电路时发现开关管dmos应用的很多，例如fairchild公司的bss138，我想了解这种元件的工作原理和应用范围，请有心人帮个忙吧。谢谢。 并求开关管dmos的相关资料。
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