速缓存,或者两者的某种组合。存储器是单片机的又一个重要组成部分,图6给出了一种存储容量为256个单元的存储器结构示意图。其中每个存储单元对应一个地址,256个单元共有256个地址,用两位16进制数表示,即存储器的地址(00h~ffh)。 当配置为高速缓存时,l1程序(l1p)是一个直接映射高速缓存,而l1数据(l1d)是一个双向指令集结合高速缓存。二级(l2)存储在程序与数据空间之间共享。l2存储也能配置为映射ram、高速缓存或者两者的某种组合。设计师可使用片上存储器为其项目增加特色。 c652还包括两个串行吉比特媒体独立接口(sgmii)以太媒体接入控制(mac)口和一个吉比特开关。此开关通过自动监控数据流以确保只有一个合适的ti将决策门加到所能的开关上,例如,用来辨别语音和数据通信,以提高多芯片设计的效率。如果dsp全部用于语音处理,就会阻止数据流进入,这样可更有效地使用其处理带宽。 c6?52上的其他i/o有一个66mhz pci接口或通用主机端接口(uhpi);一个到外部存储器的双数据率(ddr2)接口;ti开发的专利串行通信接口vlynq;一个16位外部存储器接口(emi
相关元件pdf下载:an5551 c458 c2373 和日立cmt2988枕校电路相同的机型还有:日立25m8c、cmt2518、cmt2718、cmt2916、cmt2588、cmt2598、cmt2998、福日hfc2581、2586、2587、2986、2987等。 r617两端的约4v(峰-峰值)锯齿波电压,经c651、r651加到ic651的(1)脚,经其内部放大、积分处理后,从(2)脚输出约2v(峰-峰值)的下凹抛物波电压,再经c653、c652、r666积分后,由r657调节其抛物波的幅度,再经c655加到ic651的(7)脚,经内部放大、整形后从(8)脚输出上凸的抛物波电压,再经q652射极跟随、q651倒向放大后,在c727两端形成约9v(峰-峰值)的下凹抛物波电压,经l703送到行偏转线圈,对行偏转电流调制,校正了枕形失真。 r655为行幅调节电位器,r657为枕校调节电位器。imgload(document.getelementbyid('bodylabel'));
彩电枕校电路图四: 和日立cmt2988枕校电路相同的机型还有:日立25m8c、cmt2518、cmt2718、cmt2916、cmt2588、cmt2598、cmt2998、福日hfc2581、2586、2587、2986、2987等。 r617两端的约4v(峰-峰值)锯齿波电压,经c651、r651加到ic651的(1)脚,经其内部放大、积分处理后,从(2)脚输出约2v(峰-峰值)的下凹抛物波电压,再经c653、c652、r666积分后,由r657调节其抛物波的幅度,再经c655加到ic651的(7)脚,经内部放大、整形后从(8)脚输出上凸的抛物波电压,再经q652射极跟随、q651倒向放大后,在c727两端形成约9v(峰-峰值)的下凹抛物波电压,经l703送到行偏转线圈,对行偏转电流调制,校正了枕形失真。 r655为行幅调节电位器,r657为枕校调节电位器。 来源:university