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ds3231s供应商优质现货

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ds3231s中文资料

  • 精密计时

    于芯片内,不需要额外的输入。 晶体在生产过程中优化于特定的负载电容,数据资料中提供了相应的规格。如果实际负载电容不符合规格要求,将相对于标称频率产生偏差。这也正是tcxo提高精度的途径。如果知道特定晶体在每个温度点的频偏,tcxo可以通过调整负载电容来调整频偏。 使用现成的tcxo不需要研究算法,也不需要工厂校准。缺点是增加了成本,这种多芯方案也增大了pcb面积。 最精确的方案―集成rtc/tcxo/晶体 理想的精确计时器件是集成了rtc、tcxo和石英晶体的单芯片方案。ds3231s、 ds3232和即将公布的ds3234既是这样的器件。这些器件具有无与伦比的精度:0°c到+40°c范围内精度为±2.0ppm,相当于每年±1.0分钟;-40°c到0°c和+40°c到+85°c范围内为±3.5ppm,相当于每年±1.8分钟。最差情况下所能提供的精度如图4所示。如上所述,集成tcxo使晶体原有的抛物线特性曲线变成较为平坦的曲线。 图4. ds3231s在最差情况下的精度 与上述tcxo方案相同,完全集成的器件经过工厂校准,不需要用户校准,也不需要额外的开发投入。

  • 精密计时——自动化与大众化

    料中提供了相应的规格。如果实际负载电容不符合规格要求,将相对于标称频率产生偏差。这也正是tcxo提高精度的途径。如果知道特定晶体在每个温度点的频偏,tcxo可以通过调整负载电容来调整频偏。 使用现成的tcxo不需要研究算法,也不需要工厂校准。缺点是增加了成本,这种多芯方案也增大了pcb面积。 最精确的方案—集成rtc/tcxo/晶体 理想的精确计时器件是集成了rtc、tcxo和石英晶体的单芯片方案。ds3231s、 ds3232和即将公布的ds3234既是这样的器件。这些器件具有无与伦比的精度:0°c 到 +40°c范围内精度为±2.0ppm,相当于每年±1.0分钟;-40°c到0°c和+40°c到+85°c范围内为±3.5ppm,相当于每年±1.8分钟。最差情况下所能提供的精度如图4所示。如上所述,集成tcxo使晶体原有的抛物线特性曲线变成较为平坦的曲线。 与上述tcxo方案相同,完全集成的器件经过工厂校准,不需要用户校准,也不

ds3231s替代型号

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