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数字晶体管的测试与一般小信号晶体管相比,有较大的区别,主要测输入截止电压vi(off)(7bton),输入开启电压vi(on)(8bton),输出电压vo(on)(9vcesat),输入截止电流ii(10ieb),输出截止电流io(off)(11ices),直流电流增益gi(12hfe),电阻r1(22r1),电阻r2(23r2)括号内对应附表中计算机测试程序中的相应项,其中电阻r1与r2因不能直接测试,要测试正确比较困难。下面以dtc114esa举例说明测试原理。如图2所示,由于基极与发射极上并联了一只10k电阻,基极上又串联一只10k的电阻,测试时晶体管eb结构的特性就与小信号晶体管eb结的正反向特征有很大区别,一般晶体管的正向特性曲线如图3所示,从0.7v左右正向电流随正向电压徒直上升,方向特性在6~10v左右开始雪崩击穿,像一只6~10v的稳压二极管如图4所示,而数字晶体管串联r1及并联r1电阻后,输入特性曲线如图5所示,所加正向电压小于0.7v时,晶体管可当作截止状态,eb两端的电压除以电流,所得的电阻r为r1与r2之和。当所加正向电压大于0.7v时,晶体管可作为导通,导通
电流参数:IO=50mA/IC=100mA电压参数:UCC=50V功 率:PD=300mW其他参数:fT=250MHZ极 性:NPN