F508
8000
SOP8/2035+
原厂原装现货库存支持单天发货
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96000
QFN8/2022+
100%进口原装现货
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4226
SOP8/2023+
终端可免费供样，支持BOM配单
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69000
MSOP8/21+
原厂原装现货 假一赔十
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7182
BGA8D/-
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100%原装深圳现货
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原装 部分现货量大期货
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10000
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全新原装进口深圳现货，可售样品
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14850
MSOP8/2022+
特价现货，没有最低，只有更低
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一級代理
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全新原装公司现货可免费送样可含税可BOM配单-终端享
F508
9731
BGA8/-
真实库存绝无虚报
F508
U.L. Approved Dual Function Fuse Res...
IRCTT [IRC - a TT electronics Company.]
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误差及措施 根据电感测微仪和机械传动系统计算得知当光电池传感器输出电压差δv＝1 mv时，相当于电感测微仪显示值与被测点实际高度差2μm，此时就要求驱动系统动作使之达到平衡状态。所以光电池传感器输入是微弱缓变电信号。此信号非常容易被干扰，而使系统工作不稳定。因此对控制电路抗干扰性要求较高，要求合理设计印制板，以减小相互干扰。2．2．1 对元器件严格筛选 元器件质量直接影响测量结果，必须严格选择和筛选。运放选择除考虑总电压增益外，主要选择失调电压低、漂移小、共模抑制比大的器件，如ad508l，f508，f030等。如f030d温漂为0．015μv／℃，共模抑制比cmrr≥120 db。 电阻选用rjj型精密金属膜电阻，精度0．1％，不能用rj普通金属膜电阻代替，两者材料温度系数不同，稳定性能远不如前者。电位器选用rx11-6型多圈线绕电位器，电容器选用聚丙烯cbb电容。三极管采用低漂移、低失真管子。以上元器件要经过老化处理，再逐一筛选。2．2．2 优化电路结构 为了减小温漂影响，电路输入级采用数据放大器电路（测量放大电路），该电路增益高，输入阻抗大和高共模抑制比的直接耦合放大器，一般具有
unsigned char data a,b; 5: i = 0xaa; c:0x0003 900000 mov dptr,#0x0000 c:0x0006 74aa mov a,#0xaa c:0x0008 f0 movx @dptr,a 6: a = i; c:0x0009 e0 movx a,@dptr c:0x000a f508 mov 0x08,a 7: b = i; c:0x000c e0 movx a,@dptr c:0x000d f509 mov 0x09,a 可以看到，变量用volatile声明后，每次调用都会从变量的存储地址调入值，而不是从寄存器中调入，对比没有用volatile声明的代码，你就能明白 3: unsigned char /*volatile*/ xdata i;
请教关于pic12c508和pic12f508我写了个程序，运行于508上，先用f508测试，使用内置振荡，开wdt，可正常运行于f508上。但使用同样的设定，烧写进c508后一点反应都没有，我都烧坏了六块芯片了，改了一些参数，但还是不行，请教各位了。谢谢
28 mov r5,#0x28c:0x000e 12001c lcall c?imul(c:001c)c:0x0011 ef mov a,r7c:0x0012 24e3 add a,#0xe3c:0x0014 ff mov r7,ac:0x0015 e4 clr ac:0x0016 3e addc a,r6c:0x0017 f508 mov ddptr(0x08),ac:0x0019 8f09 mov 0x09,r7 10: } c:0x001b 22 ret 结果1为ddptr=0x1083测试程序2：先相乘，再强制转换#define normal 0xe3#define uint unsigned intunsigned char code *ddptr;unsigned char mod;void main(void){ mod=100
误差及措施 根据电感测微仪和机械传动系统计算得知当光电池传感器输出电压差δv＝1 mv时，相当于电感测微仪显示值与被测点实际高度差2μm，此时就要求驱动系统动作使之达到平衡状态。所以光电池传感器输入是微弱缓变电信号。此信号非常容易被干扰，而使系统工作不稳定。因此对控制电路抗干扰性要求较高，要求合理设计印制板，以减小相互干扰。2．2．1 对元器件严格筛选 元器件质量直接影响测量结果，必须严格选择和筛选。运放选择除考虑总电压增益外，主要选择失调电压低、漂移小、共模抑制比大的器件，如ad508l，f508，f030等。如f030d温漂为0．015μv／℃，共模抑制比cmrr≥120 db。 电阻选用rjj型精密金属膜电阻，精度0．1％，不能用rj普通金属膜电阻代替，两者材料温度系数不同，稳定性能远不如前者。电位器选用rx11-6型多圈线绕电位器，电容器选用聚丙烯cbb电容。三极管采用低漂移、低失真管子。以上元器件要经过老化处理，再逐一筛选。2．2．2 优化电路结构 为了减小温漂影响，电路输入级采用数据放大器电路（测量放大电路），该电路增益高，输入阻抗大和高共模抑制比的直接耦合放大器，一般具有
unsigned int k, j=0x12dd; 9: unsigned char i=0xf0; c:0x0800 7df0 mov r5,#b(0xf0) 10: j=i; c:0x0802 ed mov a,r5c:0x0803 33 rlc ac:0x0804 95e0 subb a,acc(0xe0) 11: k=j; c:0x0806 f508 mov 0x08,ac:0x0808 7509f0 mov 0x09,#b(0xf0) 12: p0=i; 13: 14: 15: c:0x080b 8d80 mov p0(0x80),r5 16: while(1); c:0x080d 80fe sjmp c:080d///////////////////////////////////////////////
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