fdmc7570s供应商_fdmc7570s中文资料_fdmc7570sPDF下载地址价格行情【维库电子市场网】

飞兆半导体第六次荣获《今日电子》十大DC-DC功率产品大奖
全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 赢得《今日电子》杂志2010年度十大dc-dc功率产品大奖，这是飞兆半导体公司第六次获得这一声名卓着的奖项。今年飞兆半导体的获奖产品是fdmc7570s 25v mosfet系列，fdmc7570s能够实现更薄、更轻和更紧凑的电源解决方案，同时继续提供高效率和出色的热性能。获奖产品是采用3mm x 3mm mlp 封装、具有业界最低rds(on)的25v mosfet器件，可提供无与伦比的效率和结温性能。fdmc7570s在10vgs 下的rds(on) 为1.6mohm，在4.5vgs下则为2.3mohm；其传导损耗更比其它外形尺寸相同的替代解决方案降低50%，为设计人员提供了目前最高的功率密度。飞兆半导体公司中国及东南亚地区销售和市场推广部副总裁陈坤和称：“fdmc7570s能够满足全球对降低功耗，从而实现更高能效的技术需求，飞兆半导体一直处于应对这些技术挑战的前沿，而我们很高兴看到业界认可我们的努力，把我们的产品评选为《今日电子》十大dc-dc功率产品。” 《今
飞兆半导体微型以封装高效产品应对DC-DC设计挑战
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出具高效率和出色热性能，并有助实现更薄、更轻和更紧凑的电源解决方案的mosfet产品系列，可应对工业、计算和电信系统对更高效率和功率密度的设计挑战。 fdmc7570s是采用3mm x 3mm mlp 封装、具有业界最低rds(on)的25v mosfet器件，可提供无与伦比的效率和结温性能。fdmc7570s在10vgs 下的rds(on) 为1.6mohm，在4.5vgs下则为2.3mohm；其传导损耗更比其它外形尺寸相同的替代解决方案降低50%，为设计人员提供了目前最高的功率密度。所有这些改进都是飞兆半导体性能先进的专有powertrench® 工艺技术的成果，这项技术带来了极低的rds(on)值、总体栅极电荷(qg)和米勒电荷(qgd)。fdmc7570s另一优势为其专有的屏蔽栅极架构，可以减少高频开关噪声。此外，fdmc7570s的输出电容(coss)和反向恢复电荷(qrr)均被降至最低，以减少降压转换中同步mosfet的损耗，从而获得目前同类器件所无法匹敌的高峰值效率。除25v fdmc757

维库电子市场网-十六年专注打造电子元器件采购网

fdmc7570s供应商优质现货

fdmc7570sPDF下载地址

fdmc7570s价格行情

fdmc7570s中文资料

标准包装:

类别:

家庭:

系列:

FET 型:

FET 特点:

漏极至源极电压(Vdss):

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

闸电荷(Qg) @ Vgs:

输入电容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安装类型:

封装/外壳:

供应商设备封装:

包装:

其它名称:

飞兆半导体第六次荣获《今日电子》十大DC-DC功率产品大奖

飞兆半导体微型以封装高效产品应对DC-DC设计挑战

fdmc7570s替代型号

维库电子市场网-十六年专注打造电子元器件采购网

fdmc7570s供应商优质现货

fdmc7570sPDF下载地址

fdmc7570s价格行情

fdmc7570s中文资料

标准包装:

类别:

家庭:

系列:

FET 型:

FET 特点:

漏极至源极电压(Vdss):

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

闸电荷(Qg) @ Vgs:

输入电容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安装类型:

封装/外壳:

供应商设备封装:

包装:

其它名称:

飞兆半导体第六次荣获《今日电子》十大DC-DC功率产品大奖

飞兆半导体微型以封装高效产品应对DC-DC设计挑战

fdmc7570s替代型号

我要上传PDF

建议反馈