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电源应用中场效应晶体管的崩溃效应
z θ jc(t2) ----- (4) 其中 t1 : 连续脉波的脉波宽度 t2 : 连续脉波的总合时间公式 (4) 适合于无限脉冲波之情况。当冲击波是有限个数时，其 r θ jc(1us) 应由 z θ jc(t) 替换下来，其中 t 是有限冲击波持续的时间。假设一种情况 , 当一组开关电源线路在做短路测试时 , 其量测到的场效应晶体管的 drain 及 source 两端电压超过了其最大的额定电压 , 而且持续了一段时间直到短路保护动作。此条件下的参数如下 : fqa9n90c 为其场效应晶体管 , 100ns tav, 9.2us 周期长度以及 20ms 延迟时间。在此条件下 , 其瞬时的热阻计算如下 z θ jc(t) = 0.01 x z θ jc(20ms) + (1-0.01) z θ jc(9.3us) + z θ jc(100ns) - z θ jc(9.2us) = 0.00274 ° c/w 我们假设有 5kw 的功率消耗此时会消耗在场效应晶体管上那么所得到的接合面温度会上升如下 d t = 5000 x 0.00274 = 1
确定功率MOSFET的适用性
转换成等效的长方形脉冲，以方便计算。图 6 给出了三角形和正弦波功率脉冲的示例。方程 (3) 也可用于重复脉冲的应用。重复脉冲的瞬态热阻可以下式表示：其中， t_{1}：功率脉冲宽度t_{2}：功率脉冲周期方程 (4) 适用于无限脉冲串。在功率脉冲数目有限的情况下，应将公式第 1 项的 r jc 替换成 z jc(t)。假设：在应用于开关电源的mosfet 的源漏电压超过了产品数据表中所规定延迟时间内（在做短路测试时）的最大额定电压值。这个特定的情况下：fqa9n90c 作为开关器件、tav=100ns、脉冲周期=9.2 s、保护电路触发延迟时间=20ms。这时，瞬态热阻将为： z_{ jc}(t)=0.01 z_{ jc}(20ms)+(1-0.01) z_{ jc}(9.3 s)+z_{ jc}(100ns)-z_{ jc}(9.2 s)=0.00274 如果假设雪崩期间的功率损耗为 5kw，结区温度将升高为： t=5kw 0.00274℃/w=13.7℃ 这个额外的结区温度增加是由雪崩击穿所造成。因此，系统设计人员应首先计算正常工作情况下的结区温

功率器件市场缺口扩大厂商需提早备货
nn经常就是给一些小工厂下大单，你工厂小生产不出来，就只好加大投入，增加工人，假如foxconn那天稍微订单减少点，你就资金周转不过来了，只有被他收购。另外飞兆的ka5l0380从2009年7月份到现在已经缺货2个月，价格也涨幅到3.6元人民币，市场出现了久违的火爆，为此飞捷公司积极备货fgl60n100bntd、rhrp860、fql40n50、fqd5n50c、isl9v3040s3s、fdd8880、sgs10n60rufdtu、sgl50n60rufdtu、fsbb20ch60、fqa9n90c等市场型号，以应对错综复杂的市场变化，同时也提醒您做好自己的生产计划，适当做些库存。我们预估未来几个个月功率器件价格大概整体会有3%-5%的提升。

MOSFET的实际击穿电压一般比额定值能高出多少？
c{t_{1}}{t_{2}}r_{ jc}+(1-\frac{t_{1}}{t_{2}})z_{ jc}(t_{1}+t_{2})+z_{ jc}(t_{1})-z_{ jc}(t_{2})其中，t_{1}：功率脉冲宽度t_{2}：功率脉冲周期方程 (4) 适用于无限脉冲串。在功率脉冲数目有限的情况下，应将公式第 1 项的 r jc 替换成 z jc(t)。假设：在应用于开关电源的mosfet 的源漏电压超过了产品数据表中所规定延迟时间内（在做短路测试时）的最大额定电压值。这个特定的情况下：fqa9n90c 作为开关器件、tav=100ns、脉冲周期=9.2 s、保护电路触发延迟时间=20ms。这时，瞬态热阻将为：z_{ jc}(t)=0.01 z_{ jc}(20ms)+(1-0.01) z_{ jc}(9.3 s)+z_{ jc}(100ns)-z_{ jc}(9.2 s)=0.00274如果假设雪崩期间的功率损耗为 5kw，结区温度将升高为：t=5kw 0.00274℃/w=13.7℃这个额外的结区温度增加是由雪崩击穿所造成。因此，系统设计人员应首先计算正常工作情况下的结区温度，然后再加上上

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