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FQP6N80C 800V N-Channel MOSFET FAIRCHILD FQP6N80CPDF下载
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历史最低报价：￥0.5000 历史最高报价：￥6.5000 历史平均报价：￥2.9447

型号厂家封装批号数量日期价格
FQP6N80C TO220 FAIRCHILD 06+/07+ 2007/11/14 0:00:00 0.5000/pcs
FQP6N80C Fairchild TO-220 10+ 18000 2011/8/5 20:37:10 0.7500/pcs
FQP6N80C FSC TO220 2000 2011/11/8 11:04:29 1.0000/pcs
FQP6N80C FSC TO-220 07+ 2007/12/26 0:00:00 1.0000/pcs
FQP6N80C FAIRCHIL O6+ 5230 TO-220 2012/5/3 14:54:44 1.4500/pcs
FQP6N80C FAIRCHILD TO-220 05+ 2007/11/14 0:00:00 1.5000/pcs
FQP6N80C FAIRCHILD TO-220 11+无铅 1000 2012/5/3 16:59:06 1.6000/pcs
FQP6N80C TO-220 05+(PB-FRE 2008/5/23 0:00:00 1.6000/pcs
FQP6N80C FAIRCHIL.. 04+ TO-220 2006/5/16 0:00:00 1.6000/pcs
FQP6N80C FAIRCHILD TO-220 11+ 5000 2012/12/13 10:46:16 1.7500/pcs

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引脚图及结构图
相关资讯

产品培训模块:
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装:
50
类别:
分离式半导体产品
家庭:
FET - 单
系列:
QFET™
FET 型:
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:
标准型
漏极至源极电压(Vdss):
800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
5.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:
2.5 欧姆 @ 2.75A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
1310pF @ 25V
功率 - 最大:
158W
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-220-3
供应商设备封装:
TO-220
包装:
管件

FQP6N80C
5.0A/800V

2011年8月1日维库电子市场网IC报价
元上海芯睿电子有限公司max5494etemax 16-tqfn 11+ 3867 55.00元深圳朝方电子科技有限公司tlc59281dbqti/bb ssop 10/11+ 1000 0.80元上海芯睿电子有限公司lm1117idtx-5.0ns sot252 10+ 150 4.00元深圳朝方电子科技有限公司tps5430ddati 原厂封装 09+ 100 3.50元深圳市国贸电子有限公司nl27wzu04dtt1on tsop-6 01+ 24013 1.70元深圳市盈利讯科技有限公司fqp6n80cfsc 220 10+ 8000 3.60元深圳市隆旺盛电子cd74hc4067sm96ti 10+ 1000 3.10元深圳市明城科技有限公司sii1160ctusilicon image tqfp 08+ 358 23.00元深圳市科维诺电子科技有限公司cdce949pwrti/bb tssop 10/11+ 2000 3.30元上海芯睿电子有限公司fqp6n80c仙童 to-220 11+ 60000 3.00元深圳市诺美思科技有限公司销售二部 cd74hc4067sm96ti/bb s

FQP6N90C FQPF12N60C FQPF18N20V2 FQPF18N50V2 FQPF5N60 FQV251 FR101 FR102 FR103 FR104

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开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

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输入电容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安装类型:

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