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hcpl-316j中文资料

  • IGBT模块的一种驱动设计

    高速开关特性;导通状态低损耗。igbt在综合性能方面占有明显优势,广泛应用于工作频率为几十千赫兹,输出功率为几千瓦到几十千瓦的各类电力变换装置。在设计驱动电路时,主要考虑以下参数:igbt的额定值、短路电流特性、感性负载的关断特性、最大栅极发射极电压、栅极输入电容、安全工作区特性。 光电耦合驱动器件的输入、输出都是有源的,其正向脉冲及负向闭锁脉冲的宽度不受限制,可容易地通过检测igbt通态集电极电压实现过流及短路保护,并向微处理器发出过流报警信号。 2 igbt下桥臂驱动器件hcpl-316j hcpl-316j的主要特征:16引脚双列直插封装;可驱动150 a/1 200 v的igbt;宽电源电压范围为15 v~30 v;最大开关时间为0.5μs;死区时间为2μs;兼容cmos/ttl电平;具有光隔离、故障状态反馈功能;igbt“软”关断;vce欠饱和检测及带滞环欠压锁定保护;用户可配置自动复位、自动关闭。最小共模抑制15 kv/μs(vcm=1500 v时);具有过流关断、欠压封锁功能;当线路过流或vcc欠压时可自动闭锁所有输出,并发出报警信号;当高侧的悬浮偏置电压源欠

  • 一款1700V,200~300A IGBT的驱动和保护电路设计

    igbt的开关频率不宜过大,因为高速开通和关断时,会产生很高的尖峰电压,极有可能造成igbt或其他元器件被击穿。 3)选择合适的栅极串联电阻rg和栅射电容cg对igbt的驱动相当重要。rg较小,栅射极之间的充放电时间常数比较小,会使开通瞬间电流较大,从而损坏igbt;rg较大,有利于抑制dvce/dt,但会增加igbt的开关时间和开关损耗。 4)当igbt关断时,栅射电压很容易受igbt和电路寄生参数的干扰,使栅射电压引起器件误导通,为防止这种现象发生,可以在栅射间并接一个电阻。 3 hcpl-316j驱动电路 3.1 hcpl-316j内部结构及工作原理 hcpl-316j的内部结构如图1所示,其外部引脚如图2所示。 从图1可以看出,hcpl-316j可分为输入ic(左边)和输出ic(右边)二部分,输入和输出之间完全能满足高压大功率igbt驱动的要求。 各引脚功能如下: 脚1(vin+)正向信号输入; 脚2(vin-)反向信号输入; 脚3(vcg1)接输入电源; 脚4(gnd)输入端的地; 脚5(resert)芯片复位输入端; 脚6(fa

  • 隔离驱动IGBT等功率器件设计所需要的一些技巧

    我们的门极驱动光耦有不同的封装。每个封装都有其自身的特点 - 如不同的爬电距离和间隙,以配合不同的应用。不同的爬电距离和间隙对应于不同的工作绝缘电压,viorm。最大viorm从566v至2262v之间。你可以参考隔离产品选型指南 7、请问:欠压,缺失饱和如何更好的被避免?谢谢! avago门极驱动光耦带有欠压闭锁 (uvlo)保护功能。当igbt故障时,门极驱动光耦供电的电压可能会低于阈值。有了这个闭锁保护功能可以确保igbt继续在低电阻状态。 我们的智能门极驱动光耦, hcpl-316j和acpl-33xj,附带desat检测功能。当desat引脚上的电压超过约7v的内部参考电压,而igbt仍然在运行中,后约5μs, fault 引脚改成逻辑低状态, 以通知mcu / dsp。 在同一时间,那1x小粒晶体管会导通,把igbt的栅极电平 通过rg电阻来放电。由于这种晶体管比实际关断晶体管更小约50倍, igbt栅极电压将被逐步放电导致所谓的软关机。avago的应用笔记 an5324提供更详细的软关断描述。 8、请问:光耦栅极驱动器最高的输出电流是多少?谢谢! 根

  • 介绍IGBT双极型晶体管驱动电路

    igbt驱动电路 绝缘栅双极型晶体管(igbt)在今天的电力电子领域中已经得到广泛的应用,在实际使用中除igbt自身外,igbt 驱动器的作用对整个换流系统来说同样至关重要。驱动器的选择及输出功率的计算决定了换流系统的可靠性。驱动器功率不足或选择错误可能会直接导致 igbt 和驱动器损坏。 整个电路板的作用相当于一个光耦隔离放大电路。它的核心部分是芯片hcpl-316j,其中由控制器(dsp-tms320f2812)产生xpwm1及xclear*信号输出给hcpl-316j,同时hcpl-316j产生的igbt故障信号fault*给控制器。同时在芯片的输出端接了由npn和pnp组成的推挽式输出电路,目的是为了提高输出电流能力,匹配igbt驱动要求。 当hcpl-316j输出端vout输出为高电平时,推挽电路上管(t1)导通,下管(t2)截止, 三端稳压块lm7915输出端加在igbt门极(vg1)上,igbt vce为15v,igbt导通。当hcpl-316j输出端vout输出为低电平时,上管(t1)截止,下管(t1)导通,vce为-9v,igbt关断。以上就是igbt的开通关断过程。 来

  • 哪儿能买到tlp350?

    n/a n/a 1 300 mil dip 0.5 us 0.5 us 0.3 us 30 v n/a call for price hcpl-3150 hcpl-315j active data sheet(s) 0.5 amp output current igbt gate drive optocoupler 15000 v/ms n/a n/a 2 300 mil s016 0.5 us 0.5 us 0.3 us 30 v n/a call for price hcpl-315j hcpl-316j active data sheet(s) 2.0 amp gate drive optocoupler with integrated desaturation detection and fault status feedback 15000 v/ms n/a n/a 1 300 mil s016 0.5 us 0.5 us 0.3 us 30 v n/a call for price hcpl-316j hcpl-3180 active data sheet(s) 2 amp outpu

  • 寻求一场效应管驱动芯片

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