HS100B
24000
LQFN48/24+
一级代理商，原装
HS10 220R J
100
-/20+
-
HS10470RJ
17
Original/2312
原装现货
HS100-L08N-N62
100000
-/2024+
原装现货，价格优势
HS100B
30000
LQFP48/18+
原装正品假一赔十 代理渠道 可含增值税
HS101
150
N/A/16+
原厂
HS102
10000
-/-
功率0.2w - 9w 持续工作电压 2.0kv - 48kv阻值100KR -...
HS10
80000
-/23+
原装现货
HS10
65286
-/21+
全新原装现货，长期供应，免费送样
HS10
85300
2019+/-
誉辉天成，只做原装正品
HS10
69800
-/2022+
特价现货，提供BOM配单服务
HS10
80000
-/23+
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
HS10
3000
-/N/A
原装正品热卖，价格优势
HS10
47001
-/24+
房间现货，诚信经营，提供BOM配单服务
HS10
96000
SENSOR LINEAR DISPLACEMENT .5/2020+
原装现货价格优势
HS10
28800
-/22+
原装现货，提供配单服务
HS10
80000
-/23+
原装现货
HS10
36000
-/24+
只做原装有货
HS10
38000
-/2021+
原装，提供一站式配套服务
HS10
9800
N/A/1808+
原装正品，亚太区混合型电子元器件分销
HS10
SILICON TRIGGER SWITCH DIODE (STS)|1...
ETC
HS10PDF下载
HS10
Nut Driver; Drive Size:5/16"; Bl...
Cooper
HS10PDF下载
HS100
Peripheral IC
ETC
HS100PDF下载
HS100
HS100_NEL.pdf
NEL
HS100PDF下载
HS101
Peripheral IC
ETC
HS101PDF下载
HS101
Peripheral IC - Datasheet Reference
HS101PDF下载
HS101
Peripheral IC - Datasheet Reference
HS101PDF下载
HS102
Peripheral IC
ETC
HS102PDF下载
HS103
Peripheral IC
ETC
HS103PDF下载
HS103
Heat Sink Multiple Series
HS103PDF下载
1
继电器
配件
-
散热片
1.1° C/W
Multiple 系列
-
×200mt条件下）。在 80℃时损耗最小，为280mw/cm3。25℃时bs为 540mt，100℃时，bs为420mt。还开发出高温高饱和磁密材料pe33，居里点tc>290℃，在100℃ 下，bs为450mt。在100℃，100khz×200mt条件下，pc≤1100mw/cm3，日本fdk公司，德国 epcos公司、ferrocube公司也开发出类似的高温高饱和磁密材料。 高磁导率材料也有许多新品种，如tdk公司的脉冲变压器用h5c5，μi为30000左右。抗电磁干扰电感器用hs10，同时具有良好的频率特性和阻抗特性，在500khz仍具有较高磁导率，虽然初始磁导率不高，只有10000左右。高磁导率高饱和磁密材料dn50，在25℃时bs为550mt，在100℃时bs为380mt，μi为5200左右，居里温度tc≥210℃。 在新工艺方面，自蔓延高温合成法（shs）是近年来的研究热点，其原理是利用反应物内部的化学能来合成材料。整个工艺极为简单，能耗低，生产效率与产品纯度高，对环境无污染，已经成功合成mg、mgzn、mnzn、nizn铁氧体，正在实现产业化。火花等离子烧结法
×200mt条件下）。在 80℃时损耗最小，为280mw/cm3。25℃时bs为 540mt，100℃时，bs为420mt。还开发出高温高饱和磁密材料pe33，居里点tc>290℃，在100℃ 下，bs为450mt。在100℃，100khz×200mt条件下，pc≤1100mw/cm3，日本fdk公司，德国 epcos公司、ferrocube公司也开发出类似的高温高饱和磁密材料。 高磁导率材料也有许多新品种，如tdk公司的脉冲变压器用h5c5，μi为30000左右。抗电磁干扰电感器用hs10，同时具有良好的频率特性和阻抗特性，在500khz仍具有较高磁导率，虽然初始磁导率不高，只有10000左右。高磁导率高饱和磁密材料dn50，在25℃时bs为550mt，在100℃时bs为380mt，μi为5200左右，居里温度tc≥210℃。
hz×200mt条件下）。在 80℃时损耗最小，为280mw/cm3。25℃时bs为 540mt，100℃时，bs为420mt。还开发出高温高饱和磁密材料pe33，居里点tc>290℃，在100℃ 下，bs为450mt。在100℃，100khz×200mt条件下，pc≤1100mw/cm3，日本fdk公司，德国 epcos公司、ferrocube公司也开发出类似的高温高饱和磁密材料。 高磁导率材料也有许多新品种，如tdk公司的脉冲变压器用h5c5，μi为30000左右。抗电磁干扰电感器用hs10，同时具有良好的频率特性和阻抗特性，在500khz仍具有较高磁导率，虽然初始磁导率不高，只有10000左右。高磁导率高饱和磁密材料dn50，在25℃时bs为550mt，在100℃时bs为380mt，μi为5200左右，居里温度tc≥210℃。 在新工艺方面，自蔓延高温合成法（shs）是近年来的研究热点，其原理是利用反应物内部的化学能来合成材料。整个工艺极为简单，能耗低，生产效率与产品纯度高，对环境无污染，已经成功合成mg、mgzn、mnzn、nizn铁氧体，正在实现产业化。火花等离子烧结法（s
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