储容量为32 mb，工作电压为2. 65~ 3. 6 v，数据宽度为16 b，并以16 b( 字模式) 数据宽度的方式工作。 ②sdram 存储器作为程序的运行空间，如前所述，sdram 的存储单元可以理解为一个电容，总是倾向于放电，为避免数据丢失，必须定时刷新( 充电) 。由此可见，要在系统中使用sdram，就要求微处理器具有刷新控制逻辑，或在系统中另外加入刷新控制逻辑电路。本控制器采用的控制芯片具有用sdram 刷新控的制逻辑，可以直接与sdram 接口连接。sdram 存储器芯片采用hy57v281620hg，单片存储容量为4 组! 32 mb，工作电压为3. 3 v，数据宽度为16 b。本控制器采用2 片16 b 数据宽度的hy57v281620hg 并联为32 b数据宽度的sdram 存储系统。 ③nand flash 作为系统的数据存储器，芯片采用k9f1208u om yib0，存储容量为64 mb，数据总线宽度为8 位，工作电压为2. 7~ 3. 6 v。为了提高控制芯片的驱动能力，在这部分设计中加入了74hc245 总线驱动器，74hc245 提供双向总线驱动，主要使用在数据的双向
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