1.表示供应，口碑良好，缴纳了2万保证金，经维库认证中心严格审查。
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TSOP54/15+
公司100%全新原装现货
480
TSSOP54/08+
全新原装现货
HY57V641620HG-5
TSSOP54/04+
原装进口现货
HY57V641620ETP-6
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160TSOP54/16008+
160原装现货
HY57V641620FTP-7
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TSSOP/08+
全新原装，现货库存
HY57V641620FTP-6-A
15000
TSOP54/23+
全新原装进口特价
HY57V641620ETP-H-C
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TSOP54/2105
军工单位指定合供方/只做原装,自家现货
HY57V641620
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HY57V641620ETP-H-C
6394
TSOP54/22+
只售原装，假一罚十。
HY57V641620HGT-HDR
3200
TSOP54/23+
百分百进口原厂原装仓库现货
HY57V641620FTP-6
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TSOP/08+
原装新货库存
HY57V641620ETP-6
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TSOP54/2015+
SDRAM代理销售，4x16M大量原装现货热卖产品
HY57V641620FTP-7
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TSSOP54/08+
全新原装现货
HY57V641620FTP-H-A
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TSOP/22+
全网价保证原装
HY57V641620ETP-7-C
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TSOP/07+
进口原装现货支持实单
HY57V641620ETP-7
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TSOP54/06+07+
原装现货
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HY57V641620HGLT-SI
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TSOP54/17+
原装深圳现货
HY57V641620ETP-7
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TSSOP54/0826
原装，假一赔十
HY57V641620HG
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TSOP54/406
原装现货 力挺实单
HY57V641620ET
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64Mb Synchronous DRAM based on 1M x ...
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的处理器,有着丰富的外围接口资源。at91m42800a有2个usart外围接口，系统用usart0口和max485组成485接口电路，具体的接口电路如图2所示。at91m42800a还有2个spi口，每个spi口有4根片选信号，通过片选均可以支持外接15个设备。该系统的做法是将2个spi口分别接到列驱动电路和行驱动电路上，并利用各自的2个片选信号cs0和cs1完成驱动电路的信号锁存和允许输出控制，spi的clk输出作为驱动电路的时钟信号输入，工作频率为4 mhz。 sram接口电路由2块hy57v641620芯片并联组成，hy57v641620是hynix公司生产的4 banks×1m×16位的sdram芯片,单片hy57v641620存储容量为4组×16 m位（8 mb），支持自动刷新，16位数据宽度。为充分发挥32位cpu的数据处理能力，系统用2块8 ns的hy57v641620组成32位sdram存储器系统。flash存储器接口电路由1块hy29lv160芯片组成。hy57v641620是flash存储器芯片，单片存储容量为16 m图2485接口电路、a6b595和a6276级联电路原理图位(
架构的处理器,有着丰富的外围接口资源。at91m42800a有2个usart外围接口，系统用usart0口和max485组成485接口电路，具体的接口电路如图2所示。at91m42800a还有2个spi口，每个spi口有4根片选信号，通过片选均可以支持外接15个设备。该系统的做法是将2个spi口分别接到列驱动电路和行驱动电路上，并利用各自的2个片选信号cs0和cs1完成驱动电路的信号锁存和允许输出控制，spi的clk输出作为驱动电路的时钟信号输入，工作频率为4 mhz。 sram接口电路由2块hy57v641620芯片并联组成，hy57v641620是hynix公司生产的4 banks×1m×16位的sdram芯片,单片hy57v641620存储容量为4组×16 m位（8 mb），支持自动刷新，16位数据宽度。为充分发挥32位cpu的数据处理能力，系统用2块8 ns的hy57v641620组成32位sdram存储器系统。flash存储器接口电路由1块hy29lv160芯片组成。hy57v641620是flash存储器芯片，单片存储容量为16 m图2485接口电路、a6b595和a6276级联电路原理图位(
，有着丰富的外围接口资源。at91m42800a有2个usart外围接口，系统用usart0口和max485组成485接口电路，具体的接口电路如图2所示。at91m42800a还有2个spi口，每个spi口有4根片选信号，通过片选均可以支持外接15个设备。该系统的做法是将2个spi口分别接到列驱动电路和行驱动电路上，并利用各自的2个片选信号cs0和csl完成驱动电路的信号锁存和允许输出控制，spi的clk输出作为驱动电路的时钟信号输入，工作频率为4 mhz。 sram接口电路由2块hy57v641620芯片并联组成，hy57v641620是hynix公司生产的4 banksxlm×16位的sdram芯片，单片hy57v641620存储容量为4组×16 m位(8 mb)，支持自动刷新，16位数据宽度。为充分发挥32位cpu的数据处理能力，系统用2块8 ns的hy57v641620组成32位sdram存储器系统。flash存储器接13电路由1块hy29lvl60芯片组成。hy57v641620是flash存储器芯片，单片存储容量为16 m位(2 mb)，8／16位数据宽度，本系统采用16位数据宽度
上的ddr已经发展到ddr5） 与flash存储器相比较，sdram不具有掉电保持数据的特性，但其存取速度大大高于flash存储器，且具有读/写的属性。因此，sdram在系统中主要用作程序的运行空间、数据及堆栈区。当系统启动时，cpu首先从复位地址0x0处读取启动代码，在完成系统的初始化后，程序代码一般应调入sdram中运行，以提供系统的运行速度。同时，系统及用户堆栈、运行数据也都存放在sdram中。与flash存储器相比，sdram的控制信号较多，其连接电路也相对复杂。 本系统采用两片hy57v641620并联构成32位的sdram存储系统，其中一片为高16位，另一片为低16位。两片hy57v641620的clk端接的sdclk端。两片hy57v641620的cle端接s3c4510b cle端。两片hy57v641620的a11~a0接s3c4510b addr<11>~addr<0>;高16位片的dq15~dq0接s3c4510b 的数据总线的高16位xdata<31>~xdata<16>;低16位片的dq15~dq0接s3c4510b的数据总
比单片机更适应与高速数据采集的场合。fpga（field－programmable gate array），即现场可编程门阵列，它是在pal、gal、cpld等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专用集成电路（asic）领域中的一种半定制电路而出现的，既解决了定制电路的不足，又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。因此，本文介绍了一种基于fpga来实现高速数据采集的方法，a／d转换器使用ad公司的ad9481，fpga使用altera公司的ep2c5q208，存储器使用hynix公司的hy57v641620。系统框图如图1所示。 fpga采用了逻辑单元阵列lca（logic cell array）这样一个概念，内部包括可配置逻辑模块clb（configurable logic block）、输出输入模块iob（input output block）和内部连线（interconnect）三个部分。 现场可编程门阵列（fpga）是可编程器件。与传统逻辑电路和门阵列（如pal，gal及cpld器件）相比，fpga具有不同的结构，fpga利用小型查找表（16×1ram）来实现组合逻辑，每个查找表连接
，有着丰富的外围接口资源。at91m42800a有2个usart外围接口，系统用usart0口和max485组成485接口电路，具体的接口电路如图2所示。at91m42800a还有2个spi口，每个spi口有4根片选信号，通过片选均可以支持外接15个设备。该系统的做法是将2个spi口分别接到列驱动电路和行驱动电路上，并利用各自的2个片选信号cs0和csl完成驱动电路的信号锁存和允许输出控制，spi的clk输出作为驱动电路的时钟信号输入，工作频率为4 mhz。 sram接口电路由2块hy57v641620芯片并联组成，hy57v641620是hynix公司生产的4 banksxlm×16位的sdram芯片，单片hy57v641620存储容量为4组×16 m位(8 mb)，支持自动刷新，16位数据宽度。为充分发挥32位cpu的数据处理能力，系统用2块8 ns的hy57v641620组成32位sdram存储器系统。flash存储器接13电路由1块hy29lvl60芯片组成。hy57v641620是flash存储器芯片，单片存储容量为16 m位(2 mb)，8／16位数据宽度，本系统采用16位数据宽度
请教一个电路连接 使用的cpu为s3c44b0x, hy57v641620为4×1m×16bit的sdram。请问hy57v641620的地址线a23~a21为什么要采用这样一种连接方式？ 还有，其中的电阻是作什么用的？
44b0下载程序校验出错问题各位大侠，有个问题： 用fluted往44b0下小系统板（44b0＋hy57v641620＋sst39vf3201）里下载程序时，下载完毕（100％）后，出现校验错误，大约是“verifying address missing……” 其中，小系统是按照44b0＋hy57v641620＋hy29lv320布的线，后来flash换成了sst39vf3201焊上去的。下载电缆用的是龚俊的。 程序可以跑，但是校验不行，不知道是什么原因？是不是flash id的问题？ 请高手赐教
请教sdram的频率与arm主频的匹配问题！目标板上arm是用samsung的s3c44b0，运行的主频大概在60mhz左右，sdram是一片hy57v641620，频率是133mhz，16bits宽度。现在的程序是拷贝到sdram上运行的，问题如下：1，arm运行时，按照频率来看，133mhz的内存应该满足arm的读取频率吧？还是看其它指标？怎么选型？2，系统升级到arm9的话，估计主频大概会到200～400mhz，那么133mhz是否成为一个瓶颈，有什么好方法解决？cache？请各位大侠指教，欢迎讨论，谢谢！
晕一般有sdram：hy57v641620或者其他 <系统内存> norflash：sst39lv160， <存放程序，或者做bios> nandflash：k9f2808，5608，1g08 <后备大容量存储器相当于硬盘>
flashpgm 2.00我用的是s3c44b0 flash:am29lv160db ram: hy57v641620 请问 在flashpgm 2.00中 cpu->write to these memory locations 框中写的是什么，我猜是s3c44b0 中的某个特殊寄存器，但是到底是哪个还有应往里面写什么？所以运行flashpgm 2.00中的某个按钮时会出现unable to write to target ram at 0x0c000000,check address 各位帮帮忙吧！
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