HY64UD16322A
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要对大量数据进行快速存储和读取,而这种先进先出的结构特点很好地适应了这些要求,是传统ram无法达到的。许多系统都需要大容量fifo作为缓存,但是由于成本和容量限制,常采用多个fifo芯片级联扩展,这往往导致系统结构复杂,成本高。本文分别针对hynix公司的两款sram和dram器件,介绍了使用cpld进行接口连接和编程控制,来构成低成本、大容量、高速度fifo的方法。该方法具有通用性,可以方便地移植到与其他ram器件相连的应用中去[1]。 2基于sram的设计与实现 2.1 sram结构芯片hy64ud16322a静态随机存取存储器sram(static random access memory)是一种非常重要的易失性存储器,它的速度非常快,并且能在快速读取和刷新时保持数据完整性。本系统sram器件采用hynix公司的hy64ud16322a[2]。hy64ud16322a是高速、超低功耗32 mbit sram,内部具有2 097 152个16 bit字容量。采用了cmos制造工艺、ttl电平接口以及三态输出,具有较大的输入电压和温度范围。同时hy64ud16322a支持dpd(deep power d
据进行快速存储和读取,而这种先进先出的结构特点很好地适应了这些要求,是传统ram无法达到的。 许多系统都需要大容量fifo作为缓存,但是由于成本和容量限制,常采用多个fifo芯片级联扩展,这往往导致系统结构复杂,成本高。本文分别针对hynix公司的两款sram和dram器件,介绍了使用cpld进行接口连接和编程控制,来构成低成本、大容量、高速度fifo的方法。该方法具有通用性,可以方便地移植到与其他ram器件相连的应用中去[1]。 2基于sram的设计与实现 2.1 sram结构芯片hy64ud16322a 静态随机存取存储器sram(static random access memory)是一种非常重要的易失性存储器,它的速度非常快,并且能在快速读取和刷新时保持数据完整性。本系统sram器件采用hynix公司的hy64ud16322a[2]。hy64ud16322a是高速、超低功耗32 mbit sram,内部具有2 097 152个16 bit字容量。采用了cmos制造工艺、ttl电平接口以及三态输出,具有较大的输入电压和温度范围。同时hy64ud16322a支持dpd(deep power