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分离式半导体产品
IGBT - 单路
TrenchStop™
沟道和场截止
1200V
2.2V @ 15V,20A
40A
178W
标准型
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3
管件
SP000014881
数量,该产品还在封装内集成一个续流二极管。 主要特性 传导损耗与开关损耗实现最佳平衡;抗交叉传导现象;电参数分布公差小;低输入电容(驱动更容易);栅电荷最小化;与优化续流二极管共用封装。 stgw30ncl20hd与其它产品性能对比。(stgw30ncl20hd的最高标频率为20khz,bvces为1200v,ic(在100℃时)为30a,vce(在100℃时) 为1.9v,tf(25℃时为355ns)在一个1800w的电磁炉(tcl tcl 8a)内对stgw30ncl20hd和英飞凌的ihw20t120进行了性能对比,测试结果显示,st的1200vigbt的外壳温度几乎与最出色的竞争产品不相上下。 多锅系统中的半桥配置 在多锅系统通常使用的半桥配置中,600v超快速系列适合中频电磁炉应用,同时,把工作频率提高一倍的新发展趋势需要一个开关速度更快的元器件,如超高速系列产品。 7、消费设备hdmi端口专用超宽带esd保护器件 随着显示器分辨率、色深越来越高以及电视数字化程度加深,消费设备的数据速率最近几年得到大幅度提高,设备连接涉及的敏感器件要求静电放电(esd)保护功能不得影响信号的完整