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IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的中电压MOSFET
855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出：“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir 的沟道mosfet技术，可以大幅度降低rds(on) 和qg，为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet 配合ir 的低电压mosfet 和控制器ic，可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外，当与smartrectifiertm 智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时，这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet 及对应的散热器，提升整体系统效率达1%。 100v irf7853专为隔离式dc-dc总线转换器的通信总线宽电压输入（36v-75v）的原边桥拓扑结构作了优化。80v irf7854则可用于有源oring和热插拔应用。三款mosfet都是针对5-19v输出的反激转换器的次级同步整流和共振半桥式应用设计的，并可以作为18-36v输入的隔离式 dc-dc转换器的正激拓扑结构或推挽式
IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的N沟道MOSFET..
pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出：“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir的沟道mosfet技术，可以大幅度降低rds(on)和qg，为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet配合ir的低电压mosfet和控制器ic，可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外，当与smartrectifier智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时，这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet及对应的散热器，提升整体系统效率达1%。 100v irf7853专为隔离式dc-dc总线转换器的通信总线宽电压输入(36v-75v)的原边桥拓扑结构作了优化。80v irf7854则可用于有源oring和热插拔应用。三款mosfet都是针对5-19v输出的反激转换器的次级同步整流和共振半桥式应用设计的，并可以作为18-36v输入的隔离式dc-dc转换器的正激拓扑结构
绿达同步整流芯片适用于LLC/QR大功率电源
绿达同步整流芯片gr8387适用于llc/qr大功率电源，脚位兼容于ir1167 gr8387简介 gr8387 是一同步整流芯片，用于flyback电源中次级电路 n通道mos管同步整流的控制，gr8387 可以控制一个或多个并联的整流mos管, 从而取代肖特基二级管。该芯片的工作机理是通过检测整流mos管的vds电压，选择合适时机，让同步整流mos管开通和关断。以下是脚位定义。谐振桥式电路分析图1 所示为典型谐振桥式电路次级线路。用分离组件(discrete)实现同步整流需要两个电流传感器，两个高速比较器和两个大电流、低延时的驱动器。现有的单芯片同步整流是基于锁相环技术的，从初级取信号同步控制次级整流mos管。这种方法的缺点是不能保证在间隔模式（轻载或空载时发生）下可靠操作。同步整流（synchronous rectifier）技术相对这两种方法有明显的优势，它检测的是次级mos管电压，完全不依赖初级信号，并且没有类似分离组件方法（变压器传感）响应过慢的缺点，非常适合桥式谐振电路。图1: 谐振桥式电路次级整流示意在谐振桥式线路中，
节能法规鞭策电源设计，IC方案上演性能竞赛
。其产品ncp1280和ncp1562有源钳位电路控制器具有的软开关能力及其它独特性能，提高了功率段的效率。过去同步整流技术大多是用在电信交换机等高功率大型设备的电源上，但近年来随着一般pc或消费电子产品对低电压、大电流需求不断升高，业内纷纷舍弃功耗较大的肖特基二极管整流，改用同步整流mosfet以降低功耗。但在100w到300w的反击电路中，由于同步整流mosfet的极性转换感应需要很高的反向电流，传统的变压器控制电路复杂、笨重、还浪费能量。针对此问题，国际整流器(ir)公司的智能整流ic ir1167能直接感测同步整流mosfet的电压门限值，实现了快速准确的控制，使功耗降至最低。另外，该ic还能提升1%的整体系统效率，把mosfet温升减少10度。准谐振技术是提升电源效率、减小由经典反激电源产生emi的良好解决方案。ucc28600是ti公司一款8引脚准谐振控制器，能够显著提升消费类电子系统与ac电源适配器的能量效率。该款反激pwm器件不仅可在轻负载条件下实施准谐振控制技术与频率返送操作，而且还采用专用引脚，以禁用待机工作下的功率因数校正(pfc)级。此外，ucc28600还针对高达20
IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的N沟道MOSFET
bf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出：“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir的沟道mosfet技术，可以大幅度降低rds(on)和qg，为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet配合ir的低电压mosfet和控制器ic，可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外，当与smartrectifier智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时，这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet及对应的散热器，提升整体系统效率达1%。 100v irf7853专为隔离式dc-dc总线转换器的通信总线宽电压输入(36v-75v)的原边桥拓扑结构作了优化。80v irf7854则可用于有源oring和热插拔应用。三款mosfet都是针对5-19v输出的反激转换器的次级同步整流和共振半桥式应用设计的，并可以作为18-36v输入的隔离式dc-dc转换器的正激拓扑结构或推挽式拓

IR推新型智能整流IC节省75%的元件数量
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（internationalrectifier，简称ir）近日推出ir1167智能整流（smartrectifier）ic，它适用于膝上电脑、迷你pc、液晶和等离子电视、游戏机及其他数字计算和家庭娱乐系统中的ac-dc电源转换器应用。该器件不仅能简化设计，还能提升大功率回扫和共振半桥转换电路中的次级同步整流（sr）效率，使设计更小巧，散热效果更佳。 ir中国及香港销售总监严国富指出：“在100w到300w的回扫电路中，传统的变压器控制电路既复杂又笨重，还浪费能量，因为srmosfet的极性转换感应需要很高的反向电流。相比之下，ir全新的智能整流ic凭借新的技术标准和直接感测srmosfet的电压门限值，实现了快速、准确的控制，使功耗降至最低。” 严国富还补充道：“ir1167能提升1%的整体系统效率，减少mosfet温升10度，并使得电路元件数减少为过去的1/4。” ir1167智能整流ic采用ir专有的hvic技术，能够与各种mosfet栅极兼容，还可以直接连接ir各种30v至200v的srmosfet
IR整流器: IR新型智能整流IC节省75%的元件数量(图)
算和家庭娱乐系统中的ac-dc电源转换器应用。该器件不仅能简化设计，还能提升大功率回扫和共振半桥转换电路中的次级同步整流（sr）效率，使设计更小巧，散热效果更佳。 ir中国及香港销售总监严国富指出：“在100w到300w的回扫电路中，传统的变压器控制电路既复杂又笨重，还浪费能量，因为sr mosfet的极性转换感应需要很高的反向电流。相比之下，ir全新的智能整流ic凭借新的技术标准和直接感测sr mosfet的电压门限值，实现了快速、准确的控制，使功耗降至最低。” 严国富还补充道：“ir1167能提升1%的整体系统效率，减少mosfet温升10度，并使得电路元件数减少为过去的1/4。” ir1167智能整流ic采用ir专有的hvic技术，能够与各种mosfet栅极兼容，还可以直接连接ir各种30v至200v 的sr mosfet。在与具有优化导通电阻及栅极电荷特性的ir mosfet产品共同使用时，ir1167智能整流ic的优势将更加突出，具有这些特性的产品有：irf7853、irfb4110和irfb4227等。这些优化的mosfet能与ir1167 smartrectifie
IR新型智能整流IC节省75%的元件数量
他数字计算和家庭娱乐系统中的ac-dc电源转换器应用。该器件不仅能简化设计，还能提升大功率回扫和共振半桥转换电路中的次级同步整流（sr）效率，使设计更小巧，散热效果更佳。 ir中国及香港销售总监严国富指出：“在100w到300w的回扫电路中，传统的变压器控制电路既复杂又笨重，还浪费能量，因为sr mosfet的极性转换感应需要很高的反向电流。相比之下，ir全新的智能整流ic凭借新的技术标准和直接感测sr mosfet的电压门限值，实现了快速、准确的控制，使功耗降至最低。” 严国富还补充道：“ir1167能提升1%的整体系统效率，减少mosfet温升10度，并使得电路元件数减少为过去的1/4。” ir1167智能整流ic采用ir专有的hvic技术，能够与各种mosfet栅极兼容，还可以直接连接ir各种30v至200v 的sr mosfet。在与具有优化导通电阻及栅极电荷特性的ir mosfet产品共同使用时，ir1167智能整流ic的优势将更加突出，具有这些特性的产品有：irf7853、irfb4110和irfb4227等。这些优化的mosfet能与ir1167 smartrectifier
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改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出：“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir的沟道mosfet技术，可以大幅度降低rds(on)和qg，为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet配合ir的低电压mosfet和控制器ic，可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外，当与smartrectifier智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时，这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet及对应的散热器，提升整体系统效率达1%。 100v irf7853专为隔离式dc-dc总线转换器的通信总线宽电压输入(36v-75v)的原边桥拓扑结构作了优化。80v irf7854则可用于有源oring和热插拔应用。三款mosfet都是针对5-19v输出的反激转换器的次级同步整流和共振半桥式应用设计的，并可以作为18-36v输入的隔离式dc-dc转换器的正激拓扑结构或推挽式拓扑结
面向网络通信开关式转换器，IR推出N沟道MOSFET
irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。ir中国大陆及香港销售总监严国富指出：“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir的沟道mosfet技术，可以大幅度降低rds(on)和qg，为转换器电路带来显著的系统级优势。”这些中电压mosfet配合ir的低电压mosfet和控制器ic，可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外，当与smartrectifier智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时，这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet及对应的散热器，提升整体系统效率达1%。100v irf7853专为隔离式dc-dc总线转换器的通信总线宽电压输入(36v-75v)的原边桥拓扑结构作了优化。80v irf7854则可用于有源oring和热插拔应用。三款mosfet都是针对5-19v输出的反激转换器的次级同步整流和共振半桥式应用设计的，并可以作为18-36v输入的隔离式dc-dc转换器的正激拓扑结构或推挽式拓扑结构的

反击型电源电路
工作原理：当初级电路开关m1关断，因为m2尚未开通，次级电路中的电流通过m2的寄生二极管（这类似于利用整流二极管整流的情况）。智能整流控制技术的关键是检测整流开关管源极到漏极的电压，通过比较两个电平阙值决定何时开通和关断同步整流开关。当-vds上升到vth2时开通开关管，当-vds下降到vth1时关断开关管，当vds达到vth3时ir1167复位。来源:qick

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IR推新型智能整流IC节省75%的元件数量

IR整流器: IR新型智能整流IC节省75%的元件数量(图)

IR新型智能整流IC节省75%的元件数量

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面向网络通信开关式转换器，IR推出N沟道MOSFET

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