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  • MOSFET的驱动保护电路的设计与应用

    。 在应用中使mos管驱动器与mos管匹配主要是根据功率mos管导通和截止的速度快慢即栅极电压的上升和下降时间,也即是mos管栅极电容的充放电速度。mos管栅极电容导通与截止的时间与mos管驱动器的驱动电流的关系可以表示为: t=(vxc)/i (4) 其中:t表示导通与截止时间,v表示mos管栅极源极两端的电压,c表示栅极电容,i表示驱动器峰值驱动电流。 根据栅极电压与栅极电容的乘积为栅极电荷q则上式可转化为t=q/i.本设计中功率mosfet采用ir公司的irf3710s功率mosfet芯片,从其datasheet可以得到mosfet的栅极电荷为26 nc,导通/截止时间为106 ns,可以得到峰值驱动电流为,驱动电压为12 v,本设计驱动芯片采用ir公司的ir2130驱动模块,该芯片可用来驱动工作在母电压不高于600 v的电路中的功率mos门器件,其可输出的最大正向峰值驱动电流为250ma,输出驱动电压为10~20v而反向峰值驱动电流为500 ma.它内部设计有过流、过压及欠压保护、封锁和指示网络,使用户可方便的用来保护被驱动的mos门功率管,加之内部自举技术

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