IRF7853TRPBF
8680
SOP8/21+
原装、公司现货提供技术支持
IRF7853TRPBF
79999
SOP8/1809+
一部只上传优势台产MOSFET现货或发货
IRF7853TRPBF
7216
SOP8/21+
原装现货
IRF7853TRPBF
5000
SOP8/1703+
原装
IRF7853TRPBF
12000
SOP8/-
原装现货,多数量可订货
IRF7853TRPBF
65200
SOP8/22+
全网价,认准华盛锦
IRF7853PBF
9866
SOP8/24+
公司原装现货,力挺实单,支持含税
IRF7853TRPBF
16550
-/22+
诚信合作 一站配件
IRF7853TRPBF
3562
SOP8/22+
原装现货
IRF7853TRPBF
30
SOP/1735
原装现货
IRF7853TRPBF
4000
SOP8/18+
原装,假一罚十
IRF7853TRPBF
12000
SMD/2023+
全新原装欢迎询价
IRF7853TRPBF
284
SOP8/1703+
原装/假一赔十
IRF7853TRPBF
10000
SOP8/23+
性价比一站式配单,可靠、高效、价格好
IRF7853TRPBF
15000
SO8/18+
-
IRF7853TRPBF
12033
SMD/21+
全新原装IR场效应管,价格优势.
IRF7853
4800
SOP8/23+
只做原装进口现货,专注配单
国际整流器公司(international rectifier,ir)近日推出全新60、80和100v的n沟道hexfet mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir的沟道mosfet技术,可以大幅度降低rds(on)和qg,为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet配合ir的低电压mosfet和控制器ic,可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外,当与smartrectifier智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时,这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet及对应的散热器,提升整体系统效率达1%。 100v irf7853专为隔离
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(international rectifier,简称ir)近日推出全新60、80和100v 的n沟道hexfet® mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir 的沟道mosfet技术,可以大幅度降低rds(on) 和qg,为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet 配合ir 的低电压mosfet 和控制器ic,可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外,当与smartrectifiertm 智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时,这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet 及对应的散热器,提升整体系统效率达1%。 100
国际整流器公司(international rectifier,ir)近日推出全新60、80和100v的n沟道hexfet mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir的沟道mosfet技术,可以大幅度降低rds(on)和qg,为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet配合ir的低电压mosfet和控制器ic,可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外,当与smartrectifier智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时,这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet及对应的散热器,提升整体系统效率达1%。 100v irf7853专为隔离式dc-dc总线转换器的通信总线宽电压输入
直接感测sr mosfet的电压门限值,实现了快速、准确的控制,使功耗降至最低。” 严国富还补充道:“ir1167能提升1%的整体系统效率,减少mosfet温升10度,并使得电路元件数减少为过去的1/4。” ir1167智能整流ic采用ir专有的hvic技术,能够与各种mosfet栅极兼容,还可以直接连接ir各种30v至200v 的sr mosfet。在与具有优化导通电阻及栅极电荷特性的ir mosfet产品共同使用时,ir1167智能整流ic的优势将更加突出,具有这些特性的产品有:irf7853、irfb4110和irfb4227等。这些优化的mosfet能与ir1167 smartrectifier ic融合在一起,成为“整体芯片组解决方案”,进一步提升sr电路的效率和功率密度。 由于新的ic能脱离主控独立运行,所以它适用于多种开关模式变压器和电容输出滤波器应用。与初级部分独立,意味着ir1167在低功率的“跳频模式”下运作,使产品符合“待机功率小于1w”以及加州能源委员会的80plus规定。 严国富还指出:“以往在共振半桥拓扑结构中,同步整流在商业上并不可行,因为变化的
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(international rectifier,简称ir)近日推出全新60、80和100v 的n沟道hexfet® mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir 的沟道mosfet技术,可以大幅度降低rds(on) 和qg,为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet 配合ir 的低电压mosfet 和控制器ic,可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外,当与smartrectifiertm 智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时,这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet 及对应的散热器,提升整体系统效率达1%。 10
国际整流器公司(international rectifier,ir)近日推出全新60、80和100v的n沟道hexfet mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir的沟道mosfet技术,可以大幅度降低rds(on)和qg,为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet配合ir的低电压mosfet和控制器ic,可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外,当与smartrectifier智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时,这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet及对应的散热器,提升整体系统效率达1%。 100v irf7853专为隔离式dc-dc总线转换器的通信总线宽电压输入(36v-75v)的原边桥拓扑结构作了优
国际整流器公司(international rectifier,ir)近日推出全新60、80和100v的n沟道hexfet mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir的沟道mosfet技术,可以大幅度降低rds(on)和qg,为转换器电路带来显著的系统级优势。”这些中电压mosfet配合ir的低电压mosfet和控制器ic,可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外,当与smartrectifier智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时,这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet及对应的散热器,提升整体系统效率达1%。100v irf7853专为隔离式dc-dc总线转换器的通信总线宽电压输入(36v-75v)的原边桥拓
感测srmosfet的电压门限值,实现了快速、准确的控制,使功耗降至最低。” 严国富还补充道:“ir1167能提升1%的整体系统效率,减少mosfet温升10度,并使得电路元件数减少为过去的1/4。” ir1167智能整流ic采用ir专有的hvic技术,能够与各种mosfet栅极兼容,还可以直接连接ir各种30v至200v的srmosfet。在与具有优化导通电阻及栅极电荷特性的irmosfet产品共同使用时,ir1167智能整流ic的优势将更加突出,具有这些特性的产品有:irf7853、irfb4110和irfb4227等。这些优化的mosfet能与ir1167smartrectifieric融合在一起,成为“整体芯片组解决方案”,进一步提升sr电路的效率和功率密度。 由于新的ic能脱离主控独立运行,所以它适用于多种开关模式变压器和电容输出滤波器应用。与初级部分独立,意味着ir1167在低功率的“跳频模式”下运作,使产品符合“待机功率小于1w”以及加州能源委员会的80plus规定。 严国富还指出:“以往在共振半桥拓扑结构中,同步整流在商业上并不可行,因