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  • IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的N沟道MOSFET..

    国际整流器公司(international rectifier，ir)近日推出全新60、80和100v的n沟道hexfet mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出：“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir的沟道mosfet技术，可以大幅度降低rds(on)和qg，为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet配合ir的低电压mosfet和控制器ic，可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外，当与smartrectifier智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时，这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet及对应的散热器，提升整体系统效率达1%。 100v irf7853专为隔离

  • IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的中电压MOSFET

    全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（international rectifier，简称ir）近日推出全新60、80和100v 的n沟道hexfet® mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出：“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir 的沟道mosfet技术，可以大幅度降低rds(on) 和qg，为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet 配合ir 的低电压mosfet 和控制器ic，可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外，当与smartrectifiertm 智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时，这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet 及对应的散热器，提升整体系统效率达1%。 100

  • IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的N沟道MOSFET

    国际整流器公司(international rectifier，ir)近日推出全新60、80和100v的n沟道hexfet mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出：“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir的沟道mosfet技术，可以大幅度降低rds(on)和qg，为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet配合ir的低电压mosfet和控制器ic，可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外，当与smartrectifier智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时，这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet及对应的散热器，提升整体系统效率达1%。 100v irf7853专为隔离式dc-dc总线转换器的通信总线宽电压输入

  • IR整流器: IR新型智能整流IC节省75%的元件数量(图)

    直接感测sr mosfet的电压门限值，实现了快速、准确的控制，使功耗降至最低。” 严国富还补充道：“ir1167能提升1%的整体系统效率，减少mosfet温升10度，并使得电路元件数减少为过去的1/4。” ir1167智能整流ic采用ir专有的hvic技术，能够与各种mosfet栅极兼容，还可以直接连接ir各种30v至200v 的sr mosfet。在与具有优化导通电阻及栅极电荷特性的ir mosfet产品共同使用时，ir1167智能整流ic的优势将更加突出，具有这些特性的产品有：irf7853、irfb4110和irfb4227等。这些优化的mosfet能与ir1167 smartrectifier ic融合在一起，成为“整体芯片组解决方案”，进一步提升sr电路的效率和功率密度。 由于新的ic能脱离主控独立运行，所以它适用于多种开关模式变压器和电容输出滤波器应用。与初级部分独立，意味着ir1167在低功率的“跳频模式”下运作，使产品符合“待机功率小于1w”以及加州能源委员会的80plus规定。 严国富还指出：“以往在共振半桥拓扑结构中，同步整流在商业上并不可行，因为变化的

  • IR推出开关式转换器应用的中电压MOSFET

    全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(international rectifier，简称ir)近日推出全新60、80和100v 的n沟道hexfet® mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir 的沟道mosfet技术，可以大幅度降低rds(on) 和qg，为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet 配合ir 的低电压mosfet 和控制器ic，可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外，当与smartrectifiertm 智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时，这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet 及对应的散热器，提升整体系统效率达1%。 10

  • IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的N沟道MOSFET

    国际整流器公司(international rectifier，ir)近日推出全新60、80和100v的n沟道hexfet mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出：“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir的沟道mosfet技术，可以大幅度降低rds(on)和qg，为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet配合ir的低电压mosfet和控制器ic，可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外，当与smartrectifier智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时，这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet及对应的散热器，提升整体系统效率达1%。 100v irf7853专为隔离式dc-dc总线转换器的通信总线宽电压输入(36v-75v)的原边桥拓扑结构作了优

  • 面向网络通信开关式转换器，IR推出N沟道MOSFET

    国际整流器公司(international rectifier，ir)近日推出全新60、80和100v的n沟道hexfet mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。ir中国大陆及香港销售总监严国富指出：“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir的沟道mosfet技术，可以大幅度降低rds(on)和qg，为转换器电路带来显著的系统级优势。”这些中电压mosfet配合ir的低电压mosfet和控制器ic，可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外，当与smartrectifier智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时，这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet及对应的散热器，提升整体系统效率达1%。100v irf7853专为隔离式dc-dc总线转换器的通信总线宽电压输入(36v-75v)的原边桥拓

  • IR推新型智能整流IC节省75%的元件数量

    感测srmosfet的电压门限值，实现了快速、准确的控制，使功耗降至最低。” 严国富还补充道：“ir1167能提升1%的整体系统效率，减少mosfet温升10度，并使得电路元件数减少为过去的1/4。” ir1167智能整流ic采用ir专有的hvic技术，能够与各种mosfet栅极兼容，还可以直接连接ir各种30v至200v的srmosfet。在与具有优化导通电阻及栅极电荷特性的irmosfet产品共同使用时，ir1167智能整流ic的优势将更加突出，具有这些特性的产品有：irf7853、irfb4110和irfb4227等。这些优化的mosfet能与ir1167smartrectifieric融合在一起，成为“整体芯片组解决方案”，进一步提升sr电路的效率和功率密度。 由于新的ic能脱离主控独立运行，所以它适用于多种开关模式变压器和电容输出滤波器应用。与初级部分独立，意味着ir1167在低功率的“跳频模式”下运作，使产品符合“待机功率小于1w”以及加州能源委员会的80plus规定。 严国富还指出：“以往在共振半桥拓扑结构中，同步整流在商业上并不可行，因

irf7853替代型号

IRF7832ZPBF IRF7832 IRF7823PBF IRF7822 IRF7821 IRF7811AV IRF7805 IRF7601 IRF7493 IRF7455

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