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用于下一代分布电源结构的直流总线变换器和负载点电源模块技术
还表明，当在初级比较directfet产品与并联的so-8产品时，directfet仍然获得大约0.4%的更高效率，确认了directfet产品可替换并联的标准器件的事实。 directfet半导体封装技术实际上消除了整个通态电阻对mosfet封装的影响，最大化了电路效率。directfet封装技术还提供了非常好的到pcb的热阻，大约为1oc/w，而通过器件的顶部(壳)的热大约为1.4 oc/w。irf6612 或irf6618 门驱动电压通过采用双30v so-8 封装mosfet irf9956钳位到7.5v 的最佳值。潜在的220w 直流总线变换器的大小可以是2.05英寸x 0.85英寸，这比业界标准1/8砖减小了大约25%，1/8砖的尺寸测量为2.30英寸x 0.90英寸。当今提供的一些具有完全特色的解决方案是1/4砖的波形因数，其标准大小为2.30英寸x 1.45英寸，如果使用直流总线变换器的设计方法，可提供53%的空间节省。开关频率的选择会影响变换器的效率、大小和费用。提高开关频率降低输出电压波纹，并且可采用更小的磁性元件，因为磁通密度降低了。变压器可以更小，具有更低
分布式电源系统中直流母线电压变换器的选择与应用
fet功率晶体管，可以用于副边的自驱动同步整流电路。 directfet 半导体封装技术实际上消除了mosfet晶体管的封装电阻，最大程度地提高了电路的效率，处于导通状态时的总电阻很小。利用directfet 封装技术，它到印刷电路板的热阻极小，大约是1°c/w，directfet器件的半导体结至顶部（外壳）的热阻大约是 1.4°c/w。 irf6612 或者irf6618的栅极驱动电压限制在最优的数值7.5v ，与包含两个 30v、使用 so-8 封装的mosfet晶体管irf9956一样。副边的偏置电路是为了把两个直流母线转换器的输出并联起来，而它们的输入电压是不同的，而且在其中一个输入出现短路或者切断的情况下，仍然可以连续地提供输出功率。功率为150w 的直流母线转换器的尺寸可以做到是1.95 × 0.85英寸，比符合工业标准的1/8砖还小，1/8砖的标准尺寸是2.30 × 0.90英寸，小了25%。有一些功能齐全的解决方案现在有尺寸为1/4砖的产品，它的标准尺寸是2.30 × 1.45英寸，如果使用直流母线转换器，可节省空间53%。如

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