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栅极驱动器输出,从而保护外部mosfet。 irs2153d是基于ir2153x产品系列而设计,将“555”型振荡器与一个600v半桥栅极驱动器集成在一起,以驱动两个输出场效应管或igbt。该器件采用ir专有的hvic技术制造,最适用于设计驱动mosfet和igbt的半导体产品。其中,栅极驱动器输出的设计采用了一个免闭锁cmos电路。该技术将一个低压驱动器与一个用于高端和低端栅极驱动器的高压电平转换器集成在单片ic中。 新元件已经开始供货,其中包括irs2153dpbf、irs2153dspbf和irs2153dstrpbf等不同型号,均有管式或带式包装可供选择。所有器件均不含铅,并且符合rohs《电子产品有害物质限制指令》。 来源:小草
切换高端栅极驱动器输出,从而保护外部mosfet。 irs2153d是基于ir2153x产品系列而设计,将“555”型振荡器与一个600v半桥栅极驱动器集成在一起,以驱动两个输出场效应管或igbt。该器件采用ir专有的hvic技术制造,最适用于设计驱动mosfet和igbt的半导体产品。其中,栅极驱动器输出的设计采用了一个免闭锁cmos电路。该技术将一个低压驱动器与一个用于高端和低端栅极驱动器的高压电平转换器集成在单片ic中。 新元件已经开始供货,其中包括irs2153dpbf、irs2153dspbf和irs2153dstrpbf等不同型号,均有管式或带式包装可供选择。所有器件均不含铅,并且符合rohs《电子产品有害物质限制指令》。 来源:小草