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程序中,列混淆变换和密钥扩展的代码设计难度较高,算法较复杂。下面是列混淆子程序的代码设计: mixcolumn ;子程序入口 ldr r0,=state ;取变量地址 ldr r1,=coefmix ldr r2,=temp ;temp中间变量 mov r3,#0 ;i=0 loop_i;i循环入口 mov r4,#0;j=0 loop_j;j循环入口 mov r5,#0 ;k=0 loop_k ;k循环入口 mov r6,r3,lsl #2 add r6,r6,r5 ldrb r6,[r1,r6] ;读取coefmix[i,k] mov r7,r5,lsl #2 add r7,r7,r4 ldrb r7,[r0,r7] ;读取state[k,j] loop_temp ;此循环用来计算 mov r8,r3,lsl #2 add r8,r8,r4 and r9,r6,#1 cmp r9,#1 ;判断coefmix[i,k]的最低位是否为1 bne notequal ;若不为1,转向执行 ldrb r9,[r2,r8] ;若为1,则temp
下: __asm { instruction [; instruction] … [instruction] } asm(“instruction [; instruction]”); 下面通过一个例子来说明如何在c中内嵌汇编语言, #include <stdio.h> void my_strcpy(const char *src, char *dest) { char ch; __asm { loop: ldrb ch, [src], #1 strb ch, [dest], #1 cmp ch, #0 bne loop } } int main() { char *a = "forget it and move on!"; char b[64]; my_strcpy(a, b); printf("original: %s", a); printf("copyed: %s", b); return 0; } 在这里c和汇编之间的值传递是用c的指针
12根地址线却能够访问8mb地址空间的问题。 3. 存储系统接口电路具体设计 从2.2节的分析可以知道所谓的片选信号对4510来说就是存储器组选择信号。4510把nrcs<5:0>用作flash的片选信号,把nsdcs[3:0]用作sdram的片选信号。从参考文献3看到hy57v1620的ldqm和udqm两引脚是起到data input/output mask的作用。存储系统是如何利用这两个引脚的呢?当4510执行内存中半字数据读取指令ldrh、字节数据读取指令ldrb等指令时,这两个引脚就发挥作用了。例如当执行ldrb时,4510就会发出控制信号使得sdram1的udqm、sdram2的ldqm和udqm有效,就是它们把32位数据中的高24位屏蔽掉,从而进行字节读取。ldqm是low (byte) dq mask的缩写。udqm则是upper (byte) dq mask的缩写。dq指sdram的输入/输出数据。 上图是存储系统电路原理图。两片hy57v1620的并联设计是为了充分发挥32位mpu的性能 4. 存储系统在嵌入式操作系统uclin
在系统掉电的情况下,rtc单元可由后备电池供电,保证rtc的继续运行。rtc可通过strb/ldrb指令向中央处理器传送8位bcd数据,这些数据包括秒、分、时、星期、日、月、年等。在s3c44b0嵌入式系统中,rtc单元时钟源采用单独外部晶振32.768khz提供。rtc的系统框架图如图1所示。 图1 rtc的系统框架图 rtc的特性包括: ·包括秒、分、时、日、月、年的bcd数据 这些数据都是直接读/写rtc模块中的寄存器,这些寄存器包括:bcdsec(秒)、bcdmin(分)、bcdhour(时)、bcdday(日)、bcddate(星期)、bcdmon(月)、bcdyear(年)。 ·闰年发生器 闰年发生器是根据bcdday、bcdmon和bcdyear的数据来决定每个月的天数是28、29、30或31天。因为一个8位计数器只能表示2个bcd数据,因此不能直接判断00是否为闰年。例如,它不能区分1900年和2000年哪一个为闰年,而在s3c44b0中有可以处理这种闰年的硬件逻辑。 ·秒、毫秒中断报警 rtc可以根据用户的需求设定时间,
009 四字节的内容。但是,在 arm 处理器上,这个存取操作载入了0x8004、0x8005、0x8006 和 0x8007 字节的内容。这就是在未对齐的地址上使用指针存取所得到的循环移位结果。 因而,如果想将指针定义到一个指定地址(即该地址为非自然边界对齐),那么在定义该指针时,必须使用 __packed 限定符来定义指针: 例如, __packed int *pi; // 指针指向一个非字对其内存地址 使用了_packed限定符限定之后,arm 编译器将产生字节存取命令(ldrb或strb指令)来存取内存,这样就不必考虑指针对齐问题。所生成的代码是字节存取的一个序列,或者取决于编译选项、跟变量对齐相关的移位和屏蔽。但这会导致系统性能和代码密度的损失。 值得注意的是,不能使用 __packed 限定的指针来存取存储器映射的外围寄存器,因为 arm 编译程序可使用多个存储器存取来获取数据。因而,可能对实际存取地址附近的位置进行存取,而这些附近的位置可能对应于其它外部寄存器。当使用了位字段(bitfield)时, arm 程序将访问整个结构体,而非指定字段。 编译
就能明白了仅用它的12根地址线却能够访问8mb地址空间的问题。 3.存储系统接口电路具体设计 从2.2节的分析可以知道所谓的片选信号对4510来说就是存储器组选择信号。4510把nrcs<5:0>用作flash的片选信号,把nsdcs[3:0]用作sdram的片选信号。从参考文献3看到hy57v1620的ldqm和udqm两引脚是起到data input/output mask的作用。存储系统是如何利用这两个引脚的呢?当4510执行内存中半字数据读取指令ldrh、字节数据读取指令ldrb等指令时,这两个引脚就发挥作用了。例如当执行ldrb时,4510就会发出控制信号使得sdram1的udqm、sdram2的ldqm和udqm有效,就是它们把32位数据中的高24位屏蔽掉,从而进行字节读取。ldqm是low (byte)dq mask的缩写。udqm则是upper (byte) dq mask的缩写。dq指sdram的输入/输出数据。 上图是存储系统电路原理图。两片hy57v1620的并联设计是为了充分发挥32位mpu的性能 4.存储系统在嵌入式操作系统uclinux中的实现与
够访问8mb地址空间的问题。 3. 存储系统接口电路具体设计 从2.2节的分析可以知道所谓的片选信号对4510来说就是存储器组选择信号。4510把nrcs<5:0>用作flash的片选信号,把nsdcs[3:0]用作sdram的片选信号。从参考文献3看到hy57v1620的ldqm和udqm两引脚是起到data input/output mask的作用。存储系统是如何利用这两个引脚的呢?当4510执行内存中半字数据读取指令ldrh、字节数据读取指令ldrb等指令时,这两个引脚就发挥作用了。例如当执行ldrb时,4510就会发出控制信号使得sdram1的udqm、sdram2的ldqm和udqm有效,就是它们把32位数据中的高24位屏蔽掉,从而进行字节读取。ldqm是low (byte) dq mask的缩写。udqm则是upper (byte) dq mask的缩写。dq指sdram的输入/输出数据。 上图是存储系统电路原理图。两片hy57v1620的并联设计是为了充分发挥32位mpu的性能 4. 存储系统在嵌入式操作系
手指点指点,谢谢!///////////////////////////汇编///////////////////////////////////////#include <stdio.h>//字符串比较函数int my_strcmp(const char * str1,char * str2){ int ch1; int ch2; int s; __asm { loop:#ifndef __thumb //arm指令 ldrb ch1,[str1],#1 ldrb ch2,[str2],#1#else //thumb指令 ldrb ch1,[str1] add str1,#1 ldrb ch2,[str2] add str2,#1#endif cmp ch1,ch2 cmpeq ch1,#0 cmpne ch
ldr和ldrb的使用问题; 文件名:test2.s; 功能:使用ldr、str指令对变量numcount进行加1操作; 说明:使用armulate软件仿真调试numcount equ 0x80003000 ; 定义变量numcount area example2,code,readonly entry main ldr r0,=numcount ; 使用ldr伪指令装载numcount的地址到r0 ldr r1,[r0] ; 取出变量值 add r1,r1,#1 ; numcount=numcount+1 str r1,[r0] ; 保存变量值halt b halt
return tmp; } 0x0000009c: e3a010fd .... mov r1,#0xfd 0x000000a0: e3a00780 .... mov r0,#0x2000000 0x000000a4: e5c01001 .... strb r1,[r0,#1] 0x000000a8: e5d01000 .... ldrb r1,[r0,#0] 0x000000ac: e1a01401 .... mov r1,r1,lsl #8 0x000000b0: e5d00000 .... ldrb r0,[r0,#0] 0x000000b4: e0800001 .... add r0,r0,r1 0x000000b8: e1a0f00e .... mov
请教各位高手我在ads中观察汇编窗口,有段程序是这样[0xe5d02000] * ldrb r2,[r0,#0][0xe5d02000] ldrb r2,[r0,#0][0xe3520000] cmp r2,#0[0x0a000004] beq 0x80002cec ; (task1 + 0x60)[0xe5d02000] ldrb r2,[r0,#0][0xe0020291] mul r2,r1,r2[0xe1a01002] mov r1,r2[0xe2800001] add r0,r0,#1直接从最后一句跳到最上面一句了,请问是怎么回事?
lock操作的大概步骤如下: 1.unlock 2.erase 3.check empty 所有的block完成上述操作,且状态正确,才能进行下一步,写 4.write arm汇编程序 ldr r2, =flashbase ;flash起始地址//第一步,unlock的64个block,步骤和上边一样 mov r1,#63 ;63x64k block 计数 01 ldrb r3, =x16_flash_command_config_setup strb r3, [r2] ;该block的首地址 ldrb r3, =x16_flash_command_unlock_block strb r3, [r2] ;将unlock命令写入 add r2, r2, #0x10000