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当前位置：维库电子市场网>IC>m25p80 更新时间:2024-04-24 23:44:00

m25p80供应商优质现货

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  • 深圳市创德丰电子有限公司

  • M25P80-VMW6TG

  • 严选现货

    严选现货= 现货+好口碑+品质承诺

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  • 10

  • ST

  • SOP8/1424+

  • 一定原装房间现货

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m25p80价格行情

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历史最低报价：￥1.8000 历史最高报价：￥10.0000 历史平均报价：￥5.8333

m25p80中文资料

  • 基于FPGA的串行Flash扩展实现

    1 引言 fpga凭借其方便灵活、可重复编程等优点而日益被广泛应用;闪速存储器(flash memory)以其集成度高、成本低、使用方便等优点，在众多领域中也获得了广泛应用。在现代数字电路设计中。经常需要保存大量数据，而flash存储速度快、体积小、功耗低且价格低廉，可在线电擦写，信息在掉电后不会丢失，因此成为设计人员的首选。 2 m25p80的介绍 flash是一种具有电可擦除的可编程rom，可以分为两大类：并行flash和串行flash。并行flash存储量大，速度快;而串行flash存储量相对较小，但体积小，连线简单，可减小电路面积，节约成本，二者各有其优缺点，可依据实际需要选取。本文开发的系统对速度的要求不是很高，而对电路板的面积要求则较为苛刻，因此系统设计选用了串行flashm25p80。 m25p80是意法半导体推出的一款高速8 mbit串行flash，共由16部分组成，每一部分有256页，每页有256个字节。m25p80具有先进的写保护机制，读取数据的最大时钟速率为40 mhz。m25p80的工作电压范围为2.7 v～3.6 v，具有整体擦除和扇区擦除、灵活

  • 基于增强型SPI接口的大容量Flash扩展实现

    地实现了对系统存储容量的扩展。2 系统总体介绍 flash扩展实现的硬件系统是具有ethernet接口的基于dsp和cpld的运动控制板，系统总体结构如图1所示，核心器件是ti公司推出的32位定点dsp-tms320f2812和altera公司推出的maxii系列cpld-epm1270g。主要完成系统输入信号的检测、处理，各种控制算法以及和各种接口（ethernet接口和rs232接口）的通讯，运动控制系统的部分控制程序、大量的初始化数据和系统的配置信息都存在大容量的串行接口flash m25p80中，通过dsp增强型spi接口实现与核心处理器dsp的高速通信。 3 flash扩展的硬件设计3.1 tms320f2812的增强型spi接口特性（1）可编程的125种不同的波特率。（2）可编程的1-16位有效数据长度。（3）支持4种时钟模式，不带相位延时的下降沿模式、带相位延迟的下降沿模式、不带相位延时的上升沿模式和带相位延时的上升沿模式。（4）可持续操作的特性：16级发送和接收fifo；可编程的中断优先级和延时发送控制功能。 时钟模式应根据具体应用中与mcu接口

  • ST率先推出SO8N封装的8Mbit和16Mbit串行代码存储闪存

    世界最大的串行闪存供应商意法半导体（纽约证券交易所：stm）推出高速8-mbit和16-mbit串行闪存，新产品采用市场上同类产品中最小的封装：so8n。st是市场上第一个推出这些封装闪存的制造商，新产品尺寸紧凑，成本低廉，适合各种对成本有较高要求的计算机及消费电子产品的代码存储应用，如打印机、光驱、无线局域网 (wlan)模块以及机顶盒(stb)。 m25p80和m25p16是8-mbit (1m x 8)和16-mbit (2m x 8)串行闪存，具有先进的写保护机制，支持速度高达50mhz的spi兼容总线的存取操作，能够把程序快速加载到设备的ram内存中。用一条四线高速串行接口替代并行存储器接口，这种设计可以使用更小的封装，需要的引脚的数量较少，从而实现了节省成本和电路板空间的目的。此外，系统cpu或asic的引脚数量也相应地被减少。 采用0.11纳米制造技术，st的设计在150mm宽的so8封装的裸片上实现了高达16mbit的存储容量。新产品还有其它型号的封装，包括 5 x 6mm mlp8。m25p16还有一款208mm宽的so8w封装。全部都是无铅封装，并达到了rohs法令

  • 意法半导体率先推出SO8N封装的8Mbit和16Mbit串行代码存储闪存

    世界最大的串行闪存供应商意法半导体日前推出高速8-mbit和16-mbit串行闪存，新产品采用市场上同类产品中最小的封装：so8n。st是市场上第一个推出这些封装闪存的制造商，新产品尺寸紧凑，成本低廉，适合各种对成本有较高要求的计算机及消费电子产品的代码存储应用，如打印机、光驱、无线局域网 (wlan)模块以及机顶盒(stb)。 m25p80和m25p16是8-mbit (1m x 8)和16-mbit (2m x 8)串行闪存，具有先进的写保护机制，支持速度高达50mhz的spi兼容总线的存取操作，能够把程序快速加载到设备的ram内存中。用一条四线高速串行接口替代并行存储器接口，这种设计可以使用更小的封装，需要的引脚的数量较少，从而实现了节省成本和电路板空间的目的。此外，系统cpu或asic的引脚数量也相应地被减少。 采用0.11纳米制造技术，st的设计在150mm宽的so8封装的裸片上实现了高达16mbit的存储容量。新产品还有其它型号的封装，包括 5 x 6mm mlp8。m25p16还有一款208mm宽的so8w封装。全部都是无铅封装，并达到了rohs法令的规定。 s

  • ST推出SO8N封装8Mbit及16Mbit串行代码存储闪存

    意法半导体推出高速8-mbit和16-mbit串行闪存，新产品采用市场上同类产品中最小的封装：so8n。st是市场上第一个推出这些封装闪存的制造商，新产品尺寸紧凑，成本低廉，适合各种对成本有较高要求的计算机及消费电子产品的代码存储应用，如打印机、光驱、无线局域网 (wlan)模块以及机顶盒(stb)。 m25p80和m25p16是8-mbit (1m x 8)和16-mbit (2m x 8)串行闪存，具有先进的写保护机制，支持速度高达50mhz的spi兼容总线的存取操作，能够把程序快速加载到设备的ram内存中。用一条四线高速串行接口替代并行存储器接口，这种设计可以使用更小的封装，需要的引脚的数量较少，从而实现了节省成本和电路板空间的目的。此外，系统cpu或asic的引脚数量也相应地被减少。 采用0.11纳米制造技术，st的设计在150mm宽的so8封装的裸片上实现了高达16mbit的存储容量。新产品还有其它型号的封装，包括 5 x 6mm mlp8。m25p16还有一款208mm宽的so8w封装。全部都是无铅封装，并达到了rohs法令的规定。 s t拥有

  • M25P80-VMW6的技术参数

    产品型号:M25P80-VMW6
    位密度:8M
    结构:×8
    扇区(BYTE):65536
    页(BYTE):256
    接口:SPI
    工作电压(V):2.7~3.6
    静态电流(uA):10
    时钟速率:40MHz
    页写/扇区擦除周期(ms):1.4/1000
    擦写寿命(次):100000
    数据保存时间(...

  • 基于增强型SPI接口的大容量Flash扩展实现

    h，高效地实现了对系统存储容量的扩展。2 系统总体介绍flash扩展实现的硬件系统是具有ethernet接口的基于dsp和cpld的运动控制板，系统总体结构如图1所示，核心器件是ti公司推出的32位定点dsp-tms320f2812和altera公司推出的maxii系列cpld-epm1270g。主要完成系统输入信号的检测、处理，各种控制算法以及和各种接口（ethernet接口和rs232接口）的通讯，运动控制系统的部分控制程序、大量的初始化数据和系统的配置信息都存在大容量的串行接口flash m25p80中，通过dsp增强型spi接口实现与核心处理器dsp的高速通信。 3 flash扩展的硬件设计3.1 tms320f2812的增强型spi接口特性（1）可编程的125种不同的波特率。（2）可编程的1-16位有效数据长度。（3）支持4种时钟模式，不带相位延时的下降沿模式、带相位延迟的下降沿模式、不带相位延时的上升沿模式和带相位延时的上升沿模式。（4）可持续操作的特性：16级发送和接收fifo；可编程的中断优先级和延时发送控制功能。 时钟模式应根据具体应用中与mcu接口器件的操

  • ST发布SO8N封装的串行闪存，用于多种设备的代码存储

    意法半导体(st)日前推出高速8mbit和16mbit串行闪存，新产品采用市场上同类产品中最小的封装：so8n。st据称是市场上第一个推出这些封装闪存的制造商，新产品尺寸紧凑，成本低廉，适合各种对成本有较高要求的计算机及消费电子产品的代码存储应用，如打印机、光驱、无线局域网(wlan)模块以及机顶盒(stb)。 据介绍，m25p80和m25p16是8mbit(1m×8)和16mbit(2m×8)串行闪存，具有先进的写保护机制，支持速度达50mhz的spi兼容总线的存取操作，能够把程序快速加载到设备的ram内存中。用一条四线高速串行接口替代并行存储器接口，这种设计可以使用更小的封装，需要的引脚的数量较少，从而实现了节省成本和电路板空间的目的。此外，系统cpu或asic的引脚数量也相应地被减少。 采用0.11纳米制造技术，st的设计在150mm宽的so8封装的裸片上实现了16mbit的存储容量。新产品还有其它型号的封装，包括5×6mm mlp8。m25p16还有一款208mm宽的so8w封装。全部都是无铅封装，并达到了rohs法令的规定。 st拥有各种不同系列的串行闪存产品，新的8mbit

  • 意法半导体率先推出SO8N封装的8Mbit和16Mbit串行代码存储闪存

    封装最小的8mbit和16mbit高频串行闪存 世界最大的串行闪存供应商意法半导体日前推出高速8-mbit和16-mbit串行闪存，新产品采用市场上同类产品中最小的封装：so8n。st是市场上第一个推出这些封装闪存的制造商，新产品尺寸紧凑，成本低廉，适合各种对成本有较高要求的计算机及消费电子产品的代码存储应用，如打印机、光驱、无线局域网 (wlan)模块以及机顶盒(stb)。 m25p80和m25p16是8-mbit (1m x 8)和16-mbit (2m x 8)串行闪存，具有先进的写保护机制，支持速度高达50mhz的spi兼容总线的存取操作，能够把程序快速加载到设备的ram内存中。用一条四线高速串行接口替代并行存储器接口，这种设计可以使用更小的封装，需要的引脚的数量较少，从而实现了节省成本和电路板空间的目的。此外，系统cpu或asic的引脚数量也相应地被减少。 采用0.11纳米制造技术，st的设计在150mm宽的so8封装的裸片上实现了高达16mbit的存储容量。新产品还有其它型号的封装，包括 5 x 6mm mlp8。m25p16

  • 那位兄弟有STR912的SSP与M25P80的测试程序？

    那位兄弟有str912的ssp与m25p80的测试程序？已经目前俺的程序无法正确读写m25p80，可惜手头没逻辑分析仪！那位兄弟有str912的ssp与m25p80的测试程序？能否贴一份出来，或给我发一份，谢谢！email: yixxmcu#126.com ,# = @

  • 大容量(4Mb以上)串行flash应该选哪种合适？AT45系列似乎不太好。

    今天威力姆的人又说最低擦写次数是1000次！越发不可靠了。怎么和mcu的擦写次数一样了呢，还比不上并行flash芯片的寿命。我看我还得选择其他厂家的，人家都说至少1万次、至少10万次。。。st的m25p80、sst的25vf080，这些价格都不比at45db081贵，而且寿命都长，不过也有些缺点。比如m25p80：没有页擦除功能，擦除一个扇区要1～3秒呢！整片擦除要10秒！但页写入快，才1.4ms

  • EASYPRO 80B编程器软件问题

    编程器easypro 80b如何增加芯片型号 芯片具体型号：m25p80；m25d80；m25t80；en25t80；a25l80p；a29l040；a29lv040；en29lv040b；

  • 各位前辈,有用过A25L80P这个FLASH的吗?

    没找到资料，amic.com网站是个什么呀？！我用过st公司的m25p80，也不知道是不是一样的

  • 请教5509SPI BOOTLOADER

    请教5509spi bootloader我是初做5509spi bootloader的。看到前面的朋友讨论过一个相关的话题，但是我在向eeprom（m25p80）写入数据时却总是出错，写不进去。我想问一下，这和时钟有关系吗？（我在ccs下已经看到mcbsp0正确配置成spi了且数据也已经成功的送入ddr1寄存器中了）

m25p80替代型号

M25P64-VMF6TP M25P64-VMF6P M25P64 M25P40-VMN6TPB M25P40-VMN6 M25P40 M25P32-VMF6G M25P32 M25P20 M25P16-VMF6P

M25P80-VMW6 M25PE10 M25PE16 M25PE20 M25PE40 M25PE80 M260 M266 M27256 M27C020

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MJD32C MX29LV640DBTC-90G MM74HC244WM MP1410ES MT6318A/D MAX485CSA+T MMSZ5257BT1G MIC2025-1YMM MBR0520LT1 M62213FP

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