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IGBT MODULE GATE HYBRID IC
ETC
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IGBT MODULE GATE HYBRID IC
ETC [ETC]
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57962al在被驱动igbt出现这些现象时，进行软关断的保护。如图2中，典型的应用电路，实现隔离和保护功能。m57962al的第1脚与igbt集电极c相连，用外接的稳压管（图2中dz5）代替m57962al内部的稳压管。为了防止门极驱动电路出现高压尖峰，损坏igbt，在栅极和发射极之间反向串联两个稳压二极管。 从图1，图2和图3可以知道igbt驱动工作原理为：图1中dsp产生的pwm传给图2中的b1，经过三级管放大反相，进入m57962al芯片的第13脚（图2中驱动芯片的信号输入引脚），在m57959al的第5脚产生+15v开栅和-10v关栅电压，驱动igbt导通与关断。 同理，igbt的保护原理为：当过流发生时，igbt的uce会显着高于正常导通时，饱和压降一般为7v以上，就发生所谓的器件/退饱和现象，m57962al的第1脚起到保护作用。m57959al内置定时器启动，通过关栅电路和降压电路将短路电流钳制在较低的值，同时检测电路把m57962al的第8脚拉为低电平光耦（图2中所示）响应，产生短路保护信号short1（图2中所示）为低电平，short1送给dsp，立即关闭pwm的输出。驱动
gbt 的擎住效应，驱动电压低，承受过电流时间长，igbt 必须加负偏压，igbt 生产厂家一般推荐加-5v 左右的反偏电压。在有负偏压情况下，驱动正电压在10—15v 之间，漏极电流可在5～10μs 内超过额定电流的4～10 倍，所以驱动igbt 必须设计负偏压。由于ups 负载冲击特性各不相同，且供电的设备可能发生电源故障短路，所以在ups 设计中采取限流措施进行igbt的电流限制也是必须的，可考虑采用igbt 厂家提供的驱动厚膜电路。如fuji 公司的exb841、exb840，三菱公司的m57959al，57962cl，它们对igbt 的集电极电压进行检测，如果igbt 发生过电流，内部电路进行关闭驱动。这种办法有时还是不能保护igbt，根据ir 公司的资料，ir 公司推荐的短路保护方法是：首先检测通态压降vce，如果vce 超过设定值，保护电路马上将驱动电压降为8v，于是igbt 由饱和状态转入放大区，通态电阻增大，短路电路减削，经过4us 连续检测通态压降vce，如果正常，将驱动电压恢复正常，如果未恢复，将驱动关闭，使集电极电流减为零，这样实现短路电流软关断，可以避免快速关断造成的过大di
gbt 的擎住效应，驱动电压低，承受过电流时间长，igbt 必须加负偏压，igbt 生产厂家一般推荐加-5v 左右的反偏电压。在有负偏压情况下，驱动正电压在10—15v 之间，漏极电流可在5～10μs 内超过额定电流的4～10 倍，所以驱动igbt 必须设计负偏压。由于ups 负载冲击特性各不相同，且供电的设备可能发生电源故障短路，所以在ups 设计中采取限流措施进行igbt的电流限制也是必须的，可考虑采用igbt 厂家提供的驱动厚膜电路。如fuji 公司的exb841、exb840，三菱公司的m57959al，57962cl，它们对igbt 的集电极电压进行检测，如果igbt 发生过电流，内部电路进行关闭驱动。 这种办法有时还是不能保护igbt，根据ir 公司的资料，ir 公司推荐的短路保护方法是：首先检测通态压降vce，如果vce 超过设定值，保护电路马上将驱动电压降为8v，于是igbt 由饱和状态转入放大区，通态电阻增大，短路电路减削，经过4us 连续检测通态压降vce，如果正常，将驱动电压恢复正常，如果未恢复，将驱动关闭，使集电极电流减为零，这样实现短路电流软关断，可以避免快速关断造成的过
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