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命名,取m b:bridge 桥;barrier:势垒 r:rectifier,整流器 "mbr"意为整流器件 schottky:肖特基 schottky rectifier diodes:肖特基整流二极管。 例如:mbr20100ct m:motorola 缩写m b:barrier1 缩写b r:rectifier 缩写r 20:电流20a 100:电压100v c:表示to-220ab封装,常指半塑封。 t:表示管装 mbr1045ct,其中的"c":表示to-220封装;mbr6045pt,其中的"p":表示to-3p封装 元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现,例如: mbrd10100ct:第四位的d,表示贴片dpak封装 mbrb10100ct:第四位的b,表示贴片d2pak封装 mbrf10100ct:第四位的f,表示to-220全塑封 to-252,也就是贴片dpak封装;to-263,也就是贴片d2pak封装;任何型号的命名都有它的规律性可循。例如:mbr20100ct,型
产品型号:mbr1045反向重复峰值电压vrrm(max)(v):45平均整流器前向电流io(max)(a):10瞬间前向电压vf(max)@if(v):0.84 @ 20 a非重复峰值浪涌电流ifsm(max)(a):150瞬间反转电流ir(max)(ma):15 @ 125°c封装/温度(℃):3to220ac/-65~150价格/1片(套):¥3.60 来源:xiangxueqin
产品型号:MBR1045G
反向重复峰值电压VRRM(max)(V):45
平均整流器前向电流IO(max)(A):10
瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.55@10A
非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):150
瞬间反转电流IR(max)(mA):5.300
封装/温度(℃):TO-220/-65~150...
产品型号:MBR1045
反向重复峰值电压VRRM(max)(V):45
平均整流器前向电流IO(max)(A):10
瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.84 @ 20 A
非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):150
瞬间反转电流IR(max)(mA):15 @ 125°C
封装/温度(℃):3TO220...
肖特基整流二极管,45V,10A
10.0A/45V
电流参数:IO=IF(AV)=10A/IR=0.1mA/IRRM=1A/IFSM=150A电压参数:URRM=45V/UF(IF=20A)=0.84V功率:PD=2W备 注:肖特基二极管(IO为TL=125℃值)
的「最佳分销商大奖」和fairchild semiconductor corporation颁发 的「最佳销售表现奖」,奖项无数,备受赞誉。 目前主要代理美国福斯特first semiconductor 和韩国kec,授权分销美国安森美(onsemi)半导体,经营产品为二极管、三极管、mos管、肖特基、快恢复、可控硅,集成电路 mos管。 热卖型号:2n60 5n60 8n60 10n60 12n60 3n80 8n80 50n06 75n075,mbr10100、mbr20100、mbr1045、mbr2045、mbr20200……
滤波器(c1,l1,c6)并采取合理的接地措施,即可符合有关电磁兼容性的cispr2213国际标准。刚上电时,利用热敏电阻(rt)可对c2的冲击电流加以限制,防止保险丝损坏。压敏电阻(rv)的作用是吸收从电网窜入的浪涌电压。 为减小高频变压器的体积,次级绕组采用堆叠式绕法。辅输出绕组的电位参考点接vd10的负极而不是正极,目的是把高压输出的电压偏差降至最小。次级电压经过vd7~vd11、c7、c9、c11、c13、c16、c14和c17进行整流滤波。vd11为3.3v输出电路中的整流管,选用mbr1045型10a/45v的肖特基二极管,肖特基二极管适于作低压、大电流整流,利用其低压降之特性,可提高电源效率。vd10为5v输出的整流管,采用byv32200型20a/200v的超快恢复二极管。3.3v和5v输出端的两只滤波电容需作并联使用,以减小输出端的纹波电流。后置滤波器由l2~l5、c8′、c10、c12、c15和c18构成。电阻r6可防止30v绕组端在轻载时的峰值充电电流。3.3v输出经r11和r10取样后,接ic3(tl431a)的基准端,通过光耦ic2(ltv817)去调节top246y
波器(c1,l1,c6)并采取合理的接地措施,即可符合有关电磁兼容性的cispr2213国际标准。刚上电时,利用热敏电阻(rt)可对c2的冲击电流加以限制,防止保险丝损坏。压敏电阻(rv)的作用是吸收从电网窜入的浪涌电压。 为减小高频变压器的体积,次级绕组采用堆叠式绕法。辅输出绕组的电位参考点接vd10的负极而不是正极,目的是把高压输出的电压偏差降至最小。次级电压经过vd7~vd11、c7、c9、c11、c13、c16、c14和c17进行整流滤波。vd11为3.3v输出电路中的整流管,选用mbr1045型10a/45v的肖特基二极管,肖特基二极管适于作低压、大电流整流,利用其低压降之特性,可提高电源效率。vd10为5v输出的整流管,采用byv32200型20a/200v的超快恢复二极管。3.3v和5v输出端的两只滤波电容需作并联使用,以减小输出端的纹波电流。后置滤波器由l2~l5、c8′、c10、c12、c15和c18构成。电阻r6可防止30v绕组端在轻载时的峰值充电电流。3.3v输出经r11和r10取样后,接ic3(tl431a)的基准端,通过光耦ic2(ltv817)去调节top246y
波器(c1,l1,c6)并采取合理的接地措施,即可符合有关电磁兼容性的cispr2213国际标准。刚上电时,利用热敏电阻(rt)可对c2的冲击电流加以限制,防止保险丝损坏。压敏电阻(rv)的作用是吸收从电网窜入的浪涌电压。 为减小高频变压器的体积,次级绕组采用堆叠式绕法。辅输出绕组的电位参考点接vd10的负极而不是正极,目的是把高压输出的电压偏差降至最小。次级电压经过vd7~vd11、c7、c9、c11、c13、c16、c14和c17进行整流滤波。vd11为3.3v输出电路中的整流管,选用mbr1045型10a/45v的肖特基二极管,肖特基二极管适于作低压、大电流整流,利用其低压降之特性,可提高电源效率。vd10为5v输出的整流管,采用byv32200型20a/200v的超快恢复二极管。3.3v和5v输出端的两只滤波电容需作并联使用,以减小输出端的纹波电流。后置滤波器由l2~l5、c8′、c10、c12、c15和c18构成。电阻r6可防止30v绕组端在轻载时的峰值充电电流。3.3v输出经r11和r10取样后,接ic3(tl431a)的基准端,通过光耦ic2(ltv817)去调节top246y
就知道mbr1045不知道什么封装的你也不说 也不知道是不是型号