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基于C8051F的模数转换及直流电机驱动系统中的应用
间的电压差必须满足数据手册中的规定 d <0.5 v。 2) 将模拟地和数字地分开，不能混用。注意一定要在远离cpu处(或电源处)通过导线连接，否则会在cpu的模拟地和数字地引脚之间产生电势差，造成系统不稳定，甚至死机现象。 3) 没有用到的模拟引脚要接模拟地。 4) 在vref引脚接0.1μf和4.7μf电容，用于滤波和抑制噪声。 5) 模拟信号的输入电压不能超过av+-0.3 v，为保证模拟输入引脚不被高电平损伤，要采取保护措施，如加入稳压二极管mbr360等。另外为防止模拟输入通过大的电流，还要在模拟引脚和模拟地之间加一只1μf的电容。参考文献:[1]. c8051f001 datasheet http://www.dzsc.com/datasheet/c8051f001_209881.html.[2]. max873 datasheet http://www.dzsc.com/datasheet/max873_862955.html.[3]. mbr360 datasheet http://www.dzsc.com/datasheet/m
TNY256型单片机开关电源及其应用
f1为保险丝电阻器。85～265v交流电经过d1～d4桥式整流和c1、c2滤波后，得到约300v的直流高压vi。鉴于在功率mosfet关断瞬间，脉冲变压器的漏感会产生尖峰电压，因此，由电阻器r3、c3和超快恢复二极管d5（1n4937）组成的功率mosfet漏极钳位保护电路，可有效抑制漏极上的反向峰值电压，从而保护tny256内的功率mosfet不受损坏。c3选用10000pf/1kv的高压陶瓷电容器。次级电压通过d6、c6、c7、l3和c8整充滤波后，得到9v、0.6a的直流输出。d4采用mbr360的肖特基二极管。为了抑制初、次级之间的共模干扰，在初、次级的同名端还并联一只2200pf/2kv的高压陶瓷电容c5。输出电压由精密电阻r7、r8决定，电阻r9为tl431的限流电阻。 5 tny256的使用注意事项 tny256在中等负载或轻负载下工作时会跳过一些时钟周期，这容易使高频变压器产生音频噪声干扰。为减小此干扰，宜选磁通密度小于0.3t的磁芯材料。此外，最好用tvs二极管和陶瓷电容构成的漏极箝位保护电路来衰减视频噪声。使用nty256系列时推荐的一种印制板设计如图4所示。设计时
SEPTNY256型单片机开关电源及其应用
、c2滤波后，得到约300v的直流高压vi。鉴于在功率mosfet关断瞬间，脉冲变压器的漏感会产生尖峰电压，因此，由电阻器r3、c3和超快恢复二极管d5（1n4937）组成的功率mosfet漏极钳位保护电路，可有效抑制漏极上的反向峰值电压，从而保护tny256内的功率mosfet不受损坏。c3选用10000pf/1kv的高压陶瓷电容器。图３ 5.5w、9vdc电源适配器电路原理图次级电压通过d6、c6、c7、l3和c8整充滤波后，得到9v、0.6a的直流输出。d4采用mbr360的肖特基二极管。为了抑制初、次级之间的共模干扰，在初、次级的同名端还并联一只2200pf/2kv的高压陶瓷电容c5。输出电压由精密电阻r7、r8决定，电阻r9为tl431的限流电阻。 5 tny256的使用注意事项 tny256在中等负载或轻负载下工作时会跳过一些时钟周期，这容易使高频变压器产生音频噪声干扰。为减小此干扰，宜选磁通密度小于0.3t的磁芯材料。此外，最好用tvs二极管和陶瓷电容构成的漏极箝位保护电路来衰减视频噪声。使用tny256系列时推荐的一种印制板设计如图4
C8051F的模数转换及直流电机驱动系统中的应用
将模拟电源和数字电源分开，电源之间的电压差必须满足数据手册中的规定 d <0.5 v。 2) 将模拟地和数字地分开，不能混用。注意一定要在远离cpu处(或电源处)通过导线连接，否则会在cpu的模拟地和数字地引脚之间产生电势差，造成系统不稳定，甚至死机现象。 3) 没有用到的模拟引脚要接模拟地。 4) 在vref引脚接0.1μf和4.7μf电容，用于滤波和抑制噪声。 5) 模拟信号的输入电压不能超过av+-0.3 v，为保证模拟输入引脚不被高电平损伤，要采取保护措施，如加入稳压二极管mbr360等。另外为防止模拟输入通过大的电流，还要在模拟引脚和模拟地之间加一只1μf的电容。来源:零八我的爱

MBR360RLG的技术参数
产品型号:MBR360RLG
反向重复峰值电压VRRM(max)(V):60
平均整流器前向电流IO(max)(A):3
瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.74@3A
非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):80
瞬间反转电流IR(max)(mA):20
封装/温度(℃):DO-201/-65~150
...
MBR360G的技术参数
产品型号:MBR360G
反向重复峰值电压VRRM(max)(V):60
平均整流器前向电流IO(max)(A):3
瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.740@3.0A
非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):80
瞬间反转电流IR(max)(mA):0.600
封装/温度(℃):DIODE201/125（m...

MBR360
35.0A/60V

SEPTNY256型单片机开关电源及其应用
、c2滤波后，得到约300v的直流高压vi。鉴于在功率mosfet关断瞬间，脉冲变压器的漏感会产生尖峰电压，因此，由电阻器r3、c3和超快恢复二极管d5（1n4937）组成的功率mosfet漏极钳位保护电路，可有效抑制漏极上的反向峰值电压，从而保护tny256内的功率mosfet不受损坏。c3选用10000pf/1kv的高压陶瓷电容器。图３ 5.5w、9vdc电源适配器电路原理图次级电压通过d6、c6、c7、l3和c8整充滤波后，得到9v、0.6a的直流输出。d4采用mbr360的肖特基二极管。为了抑制初、次级之间的共模干扰，在初、次级的同名端还并联一只2200pf/2kv的高压陶瓷电容c5。输出电压由精密电阻r7、r8决定，电阻r9为tl431的限流电阻。 5 tny256的使用注意事项 tny256在中等负载或轻负载下工作时会跳过一些时钟周期，这容易使高频变压器产生音频噪声干扰。为减小此干扰，宜选磁通密度小于0.3t的磁芯材料。此外，最好用tvs二极管和陶瓷电容构成的漏极箝位保护电路来衰减视频噪声。使用tny256系列时推荐的一种印制板设计如图4

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