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mtp2p50e中文资料

  • 使用简化电路的高压放大器

    驱动器在很多应用系统中适合于驱动电极。难点在于将普通运算放大器的输出提高到很高的电压。现有的交流高压放大器模块只能将输出放大到大约1200v p-p 以内。本设计实例提出的一种简化交流高压放大器使用了互补的级联nmos和pmos晶体管(图1)。op07运算放大器的输入失调电压低,输入偏置电流小,开环增益高。这些特性使这种运算放大器非常适合用于高增益仪器系统。此外,op07的失调和增益具有极好时间稳定性和温度稳定性。lm356级的交流增益取决于r3、r4、r7和r9,大约为100。 mtp2p50e型高压 p沟道mosfet的最大漏级-源级标称电压和最大栅极-漏级标称电压均为500v。buk456800b型 高压n沟道mosfet的最大漏级-源级标称电压和最大栅极-漏级标称电压均为800v。q1~q6都是pmos晶体管,q7~q12均为nmos晶体管。这些场效应管非常适合用于高压级联电路。它们对称地串联连接起来,以提高它们适用于电源系统的总击穿电压。偏压电路由成对独立的偏置电阻器r10~r13和r14~r17组成,从而形成了高压放大器的对称输出。图2示出了峰-峰电压为8v p-p、频率为1

  • MTP2P50EG的技术参数

    产品型号:MTP2P50EG
    源漏极间雪崩电压VBR(V):500
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6000
    最大漏极电流Id(on)(A):2
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):TO-220AB/-55~150
    描述:小信号P沟道TO-220AB封装场效应管
    价格/1片(套):¥13....

  • MTP2P50E

    2.0A/500V

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MTP2P50EG MTP3N120E MTP3N60 MTP401-40B MTP4N80 MTP50P03HDLG MTP5P25 MTP60N06 MTP6N60E MTS102

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