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整流二极管工作，可以很大限度地降低整流损耗，即通过检测流过自身的电流来获得mosfet驱动信号，vt在流过正向电流时导通。而当流过自身的电流为零时关断，使反相电流不能流过vt,故mosfet与整流二极管一样只能单向导通。与电压型同步整流技术相比，电流驱动同步整流技术对不同的变换器拓扑结构适应性好。 选择同步整流管主要是考虑管子的通态电流要大，通态电阻小，反向耐压足够（应按24v时变压器次级变换反向电压计算），且寄生二极管反向恢复时间则要短。经对实际电路的分析计算，选用onsemi公司生产的mty100n10e的mosfet管，其耐压电压为100v,通态电流为100a,通态电阻为11m!,反向恢复时间为145ns,开通延迟时间和关断延迟时间分别为48ns和186ns,能满足系统工作要求。 3 降耗及降电磁污染的设计要点 3.1降耗措施 （1）利用tda4863芯片优越性能。 tda4863的性能特点是：当输入电压较高时，片内apfc电路从电网中吸取较多的功率；反之，当输入电压较低时则吸收较少的功率，这就抑制产生的谐波电流，使功率因数接近于1;片内还包含有源滤波电路，能滤除因输出
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