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安森美半导体推出符合AdvancedMC(tm)的电源管理解决方案系列
分布式电源结构的设计要求。这周全advancedmc(tm) 解决方案中的模拟器件包括： - ncp5425 双同步降压控制器包含内部门极驱动器，可提供两个独立的输出或一个高电流输出。该控制器特性丰富，可提供高达750千赫兹（khz）的可调开关频率和+1 ％ 0.8 v参考。 - ncp1580 低压同步降压控制器提供1.5安培（a）浮动门极驱动器设计，以便采用同步配置驱动n沟道mosfet。此控制器具有固定的350 khz振荡器和软启动功能，而且可产生低至0.8 v的输出电压。 - ncp5210 pwm双降压和线性 ddr2 功率控制器，含有两个同步脉冲宽度调制（pwm）降压控制器，用于驱动四个n沟道mosfet，以形成ddr存储器供电电压（vddq）和存储器控制插孔（mch）稳压器。分立元件每种夹层卡电源管理子系统需要不同的mosfet、二极管、整流器和晶体管，以完成控制电路的设计并实现特定的负载点电压。安森美半导体具有广泛和知名的分立元件产品系列，能满足这种需要。客户只需与安森美半导体一家供应商合作就能解决上述问题，大大提高了采购和供应的便利性。 advancedm
安森美半导体推出符合AdvancedMC(tm)的电源管理解决方案系列，应用于+12 V电信子系统
分布式电源结构的设计要求。这周全advancedmc(tm) 解决方案中的模拟器件包括： - ncp5425 双同步降压控制器包含内部门极驱动器，可提供两个独立的输出或一个高电流输出。该控制器特性丰富，可提供高达750千赫兹（khz）的可调开关频率和+1 ％ 0.8 v参考。 - ncp1580 低压同步降压控制器提供1.5安培（a）浮动门极驱动器设计，以便采用同步配置驱动n沟道mosfet。此控制器具有固定的350 khz振荡器和软启动功能，而且可产生低至0.8 v的输出电压。 - ncp5210 pwm双降压和线性 ddr2 功率控制器，含有两个同步脉冲宽度调制（pwm）降压控制器，用于驱动四个n沟道mosfet，以形成ddr存储器供电电压（vddq）和存储器控制插孔（mch）稳压器。分立元件每种夹层卡电源管理子系统需要不同的mosfet、二极管、整流器和晶体管，以完成控制电路的设计并实现特定的负载点电压。安森美半导体具有广泛和知名的分立元件产品系列，能满足这种需要。客户只需与安森美半导体一家供应商合作就能解决上述问题，大大提高了采购和供应的便利性。 advancedm

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