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  • NTJD2152P、NTJD4152P内部电路图

    　　NTJD2152P、NTJD4152P内部电路如下图所示：

    NTJD2152P、NTJD4152P内部电路图

  • NTJD2152PT1G的技术参数

    产品型号:NTJD2152PT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):8
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):300
    最大漏极电流Id(on)(A):0.775
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150
    描述:8V双功率MOSFET带ESD保护
    价格/1片(套):￥1.80

  • NTJD2152P

    电流参数：ID=-0.775A/IDM=±12A电压参数：UDSS=8V/UGS=±8V功 率： PD=0.27W& PD=0.55W其他参数：4.5V/0.22Ω、2.5V/0.32Ω、1.8V/0.51Ω、tn=78ns极 性：P备 注：双场效应管

ntjd2152p替代型号

NTJD1155LT1G NTHS5443T1G NTHS5441T1G NTHS5441 NTHS5404T1G NTHS4501NT1G NTHS4101PT1G NTHS2101PT1G NTHD4P02FT1G NTHD4N02FT1

NTJD2152PT1G NTJD4001N NTJD4001NT1G NTJD4105CT1G NTJD4152P NTJD4152PT1G NTJD4158CT1G NTJD4401N NTJD4401NT1G NTJS3151P

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