当前位置:维库电子市场网>IC>powerso-10 更新时间:2024-04-21 23:09:24

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  • ST 电源变换器一次侧开关

    per53的替代产品。 当viper53e用于二侧稳压功能时,vdd电源电压范围9v到18v ,因此,电源设计人员可以更加灵活地选择变压器。 这个器件还具备其它优点,例如,反馈监控和延时设备复位可以控制过载和短路条件;通过改进器件跳跃脉冲的方式提高了待机效率;集成的启动电流源在正常工作时被关断,以降低所需的输入功率。 新产品还具有其它保护功能,如超过18v的过压保护以及欠压保护、过热保护和过漏流保护等。从外部可以把开关频率设定到300khz。 这个器件采用贴面封装dip-8 和 powerso-10 封装,定货量1万件的单价为0.90美元。 来源:零八我的爱

  • 意法半导体针对工业应用推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L

    发出一项引线带楔焊键合创新技术,典型导通电阻rds(on)极低,只有800微欧(0.8毫欧),为高电流的mosfet器件创造了一个新的工业基准。这款20v的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件,短路保护功能十分优越,关断时间极短。 关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源,或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管,现在,为了实现更高的性能,mosfet取代了二极管。现在功耗低的stv300nh02l在电源效率上又向前迈出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封装,订货1000件,单价4.50美元。 来源:小草

  • 意法半导体针对工业应用推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L9

    发出一项引线带楔焊键合创新技术,典型导通电阻rds(on)极低,只有800微欧(0.8毫欧),为高电流的mosfet器件创造了一个新的工业基准。这款20v的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件,短路保护功能十分优越,关断时间极短。 关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源,或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管,现在,为了实现更高的性能,mosfet取代了二极管。现在功耗低的stv300nh02l在电源效率上又向前迈出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封装,订货1000件,单价4.50美元。 来源:小草

  • ST推出微欧功率MOSFET晶体管提高并联服务器电源的能效

    一项引线带楔焊键合创新技术,典型导通电阻rds(on) 极低,只有800微欧 (0.8毫欧),为高电流的mosfet器件创造了一个新的工业基准。这款20v的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件,短路保护功能十分优越,关断时间极短。 关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源,或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管,现在,为了实现更高的性能,mosfet取代了二极管。现在功耗低的stv300nh02l在电源效率上又向前迈出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封装,订货1000件,单价4.50美元。 ST的ac-dc转换器专用开关芯片适合离线电源应用

    et、起动高压电源和几种片上保护电路集成在一起。用作二次侧变压器时,viper53e的vdd电压范围从9v到18v,可帮助电源设计师更加灵活地选择变压器。 该器件的其它优点还包括:过载和短路条件由反馈监视和延迟的器件重置来控制;待机模式增加了跳跃脉冲(skips pulses);集成的起动电源在正常工作时不起作用,从而降低输入功率。 viper53e还提供其它的保护,如电压大于18v和欠压、超温和漏极过流保护等,开关频率可从外部设定,最高可达300khz。st现可提供表面安装dip-8和powerso-10两种封装的viper53e开关,10k订量时单价为0.90美元(仅供参考)。 来源:小草

  • ST推出微欧功率MOSFET提高并联服务器电源能效

    st开发出一项引线带楔焊键合创新技术,典型导通电阻rds(on)极低,只有800微欧(0.8毫欧),为高电流的mosfet器件创造了一个新的工业基准。这款20v的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件,短路保护功能十分优越,关断时间极短。 关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源,或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管,现在,为了实现更高的性能,mosfet取代了二极管。现在功耗低的stv300nh02l在电源效率上又向前迈出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封装,订货1,000件,单价4.50美元。

  • ST推微欧功率MOSFET晶体管,提高并联服务器电源能效

    t开发出一项引线带楔焊键合创新技术,典型导通电阻rds(on) 极低,只有800微欧 (0.8毫欧),为高电流的mosfet器件创造了一个新的工业基准。这款20v的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件,短路保护功能十分优越,关断时间极短。 关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源,或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管,现在,为了实现更高的性能,mosfet取代了二极管。现在功耗低的stv300nh02l在电源效率上又向前迈出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封装,订货1000件,单价4.50美元。 详情登录st公司网站:www.stmicroelectronics.com.cn/pmos 关于意法半导体(st)公司 意法半导体,是微电子应用领域中开发供应半导体解决方案的世界级主导厂商。硅片与系统技术的完美结合,雄厚的制造实力,广泛的知识产权组合(ip),以及强大的战略合作伙伴关系,使意法半导体在系统级芯片(soc)技术方面居最前沿地位。在今天实现技术一体化的发展趋势中,st的产品扮演了一个重要的角色。公司股票分别在纽约股票交易所、巴黎euro

  • 意法微欧功率MOSFET提高并联服务器电源能效

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  • 意法半导体上市导通电阻仅800μΩ的功率MOSFET

    减小电源系统的电力损耗及提高转换效率。 为提高服务器电源系统的可靠性,一般采用并联电源,使系统具有冗余性,或者增大电源容量的办法。此前,这种电源系统采用的是二极管。近年来,为进一步提高性能,很多厂商使用mosfet取代了二极管。意法半导体此次上市的产品,利用引线带楔焊键合(ribbon bonding)技术使用电阻比金属线低的带状引线进行封装,减小了导通电阻。这样,在降低高效dc-dc转换器的二次整流损耗方面,可以实现20v的最优元件,将关闭性能高速化,提高保护性能。 该产品采用powerso-10封装,1000个批量购买时的单价约4.50美元。

  • 意法半导体针对工业应用推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L

    st开发出一项引线带楔焊键合创新技术,典型导通电阻rds(on)极低,只有800微欧(0.8毫欧),为高电流的mosfet器件创造了一个新的工业基准。这款20v的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件,短路保护功能十分优越,关断时间极短。 关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源,或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管,现在,为了实现更高的性能,mosfet取代了二极管。现在功耗低的stv300nh02l在电源效率上又向前迈出了一大步。 stv300nh02l采用powerso-10封装,订货1000件,单价4.50美元。

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POWERPRECISE POWERPC603 POWER POS-25 POS-200 POS-100 PORT PO188 PO1200N PNX4008

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