R4320
Silicon Power Rectifier
MICROSEMI
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Silicon Power Rectifier
MICROSEMI [Microsemi Corporation]
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R4322
Optoelectronic
ETC
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，图像场幅也正常，但行幅不足满幅的1/2，且线性极差。此时测得q416 的c 极电压为+56 v，可见+b 电源仍有问题。 分析电路，q416 c 极的行频脉冲经t402 取样，q461、q462 放大，然后经d464 送到ic401（uc3842）的④脚，使⑥脚输出的脉冲频率锁定为行频。检查该取样电路，并无元器件损坏，代换ic401 后，故障依旧。测量ic401 各脚电压，发现ic401③脚（电流检测端）电压约为0.7 v（高于正常值0.47 v）。检查ic401 的③脚外围的r431、r432、r433、正常，怀疑输出变压器t402 和行偏转线圈不良。试换t402 后，故障排除。 小结：q416 e 极接行电流检测电阻r431、r432、r433，将行电流转化为电压，经r422 送至ic401 的③脚，当③脚电压超过1 v 时，ic 内部振荡电路停振，⑥脚无脉冲输出。估计本机ic401 的③脚可能处于临界过电流状态，即在一个行周期的某段时间内，ic401 的③脚电压超过了1 v，则⑥脚无输出，从而导致+b 电源输出电压低的故障。 [例13] 创维34t66hd 多频扫描彩
认为：大多数响声一般是由偏转线圈、行高压包、行枕校电感引起的。检查上述元器件没发现明显问题。检查行电路部分，b+电压为135v正常，测量行输出脉冲也正常，行频15625hz也正常，测量行管及高压包输出部分也没发现明显异常，关断电源用放大镜观察电路板也未发现有虚焊、断裂、接触不良等现象。更换行输出变压器后故障依旧，由此维修陷人困境。 经上述检查后，怀疑枕校电路有问题，此机的枕校电路如图1所示。由ic301（stv6888）内部ew放大器产生的ew东西枕形抛物波脉冲，从（24）脚输出，通过电阻r432加到q405的基极，经q405和q406放大后，再经电阻r429、电感l405加至电容c414上形成场频抛物波电压，去调制行扫描电流。q406漏极输出带有直流成分的抛物波加到阻尼二极管d434、d435时，被行扫描电流调制成下凹的调制电压。由于行管集电极为等幅的行反峰脉冲，其直流电压为固定的135v。当电容c414两端电压为下凹的场锯齿波电压时，c416的两端电压则为上凸的抛物波，电容c416两端电压作为行偏转电流的供电电路，则流过行偏转线圈的电流受场频抛物波调制，以达到光栅的东西枕形校正目的。
1. +b电源过流保护 该电路由取样电路v404（pnp三极管）和r920（0.68ω）、分压电阻r432（39 kω）、r433（10 kω）和vd422（12 v稳压二极管）等元件组成。 r920 是行电流取样电阻，当行电流正常时，r920上的电压降较小，v404 截止，对保护电路不产生影响；当行电路发生故障而电流增加过大时，r920 上的电压降随之增加，使v404 导通；当导通电流在分压电阻r433 上的电压降大于12 v 时，vd422 击穿导通，将该电压通过r619 加到v404 的基极，v404 饱和导通，将微处理器40脚（int4）的电压拉低，微处理器据此进入保护状态（参见上期图1）。 2. 场过流保护 该电路由取样电路v406（pnp 三极管）和r434（1 ω）、分压电阻r438（1.5 kω）、r439（47 kω）和vd423（11 v稳压二极管）等元件组成。r434 是场输出电流取样电阻，当场输出级电流正常时，r434 上的电压降较小，而v406 截止，对保护电路不产生影响；当场电路发生故障电流增加时，r434 上的电压降随之增加使v406
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