流关系图可看出，跨导的上升使mosfet管的增益正比例提高，即导致漏极电流的增大，而这种情况又增大了输入电容，因此，增设推动级使得有足够电流对输入电容充电，减小上升和下降时间，提高mosfet的开关速度。推动级又有足够低的输出阻抗避免电路正反馈振荡。另外，mosfet在高频工作时容易产生振荡，所以，在电路板设计时应尽可能减小与mosfet管脚连接线的长度，特别是栅极引线的长度。否则须用一个小电阻与mosfet管脚串接，并使小电阻尽量靠近管子栅极。本电路采用100ω电阻与栅极串接，另加两组rc回路r728、c707和r727、c708来改变mosfet管的负载曲线，并吸收多余关断mosfet的能量，作为mosfet管的开关保护电路。 变压器的制作方面，首先必须根据输出功率确定磁芯及其横截面积s，它主要决定开关电源的效率。应保证变压器在磁化曲线线性区工作。并确定最大磁通密度bmax，最佳的起点是bmax=bsat /2。然后再根据所需功率选择导线，再由n=v×104 / 4f×bmax×s确定初级线圈圈数，其中f为工作频率，v为工作电压。 并根据次级所需电压确定次级线圈圈数。
实际上是一个常数，从图4跨导gfs与漏极电流关系图可看出，跨导的上升使mosfet管的增益正比例提高，因此，增设推动级使得有足够电流对输入电容充电，减小上升和下降时间，提高mosfet的开关速度。 推动级又有足够低的输出阻抗避免电路正反馈振荡。另外，mosfet在高频工作时容易产生振荡，所以，在电路板设计时应尽可能减小与mosfet管脚连接线的长度，特别是栅极引线的长度。否则须用一个小电阻与mosfet管脚串接，并使小电阻尽量靠近管子栅极。本电路采用100ω电阻与栅极串接，另加两组rc回路r728、c707和r727、c708来改变mosfet管的负载曲线，并吸收多余关断mosfet的能量，作为mosfet管的开关保护电路。 变压器的制作方面，首先必须根据输出功率确定磁芯及其横截面积s,它主要决定开关电源的效率。应保证变压器在磁化曲线线性区工作。并确定最大磁通密度bmax,最佳的起点是bmax=bsat/2.然后再根据所需功率选择导线，再由n=v×104/4f×bmax×s确定初级线圈圈数，其中f为工作频率，v为工作电压。 不同音响所需电压高低不同，可适当改变初、次级线圈
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