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卓芯微电子P型MOSFET集成肖特基产品RCRH010FA/RCRH003FB出炉
卓芯微电子(innova-semi)推出p型mosfet集成肖特基产品rcrh010fa 和rcrh003fb。p沟道增强型场效应管采用高密度dmos生产工艺，具有极低的导通电阻，并且在低至1.8v的栅极电压下仍可正常开启。配合使用的肖特基芯片采用low vf工艺，同时具有极佳的反向漏电特性。该两款产品主要应用在充电电路，dc/dc 转换器和led控制电路。整个器件在正向导通时具有很低的正向压降，不仅满足使用usb接口进行充电的要求，同时具有极低的功率耗散，提升整个系统的能效。这两款产品已广泛应用于手机充电线路部分，主要适用于基于mtk平台、adi平台、spreadtrum平台以及部分ti平台和infineon平台的方案中。其基本电路如图所示：电源管理器件通过控制栅极电压来控制充电电流，肖特基二极管可防止电流倒灌。rcrh010fa采用dfn3×2封装(3.0×2.0×0.8mm)，rcrh0003fb采用dfn2×2封装(2.0×2.0×0.55mm)，相比同类产品，具有以下优势：采用了更薄的封装，适用于超薄机型设计；在器件腹部增加了散热片，大幅提升器件额定
卓芯微电子推出P型MOSFET集成肖特基产品
卓芯微电子(innova-semi)推出p型mosfet集成肖特基产品rcrh010fa和rcrh003fb。p沟道增强型场效应管采用高密度dmos生产工艺，具有极低的导通电阻，并且在低至1.8v的栅极电压下仍可正常开启。配合使用的肖特基芯片采用lowvf工艺，同时具有极佳的反向漏电特性。该两款产品主要应用在充电电路，dc/dc转换器和led控制电路。整个器件在正向导通时具有很低的正向压降，不仅满足使用usb接口进行充电的要求，同时具有极低的功率耗散，提升整个系统的能效。这两款产品已广泛应用于手机充电线路部分，主要适用于基于mtk平台、adi平台、spreadtrum平台以及部分ti平台和infineon平台的方案中。其基本电路如图所示：电源管理器件通过控制栅极电压来控制充电电流，肖特基二极管可防止电流倒灌。rcrh010fa采用dfn3×2封装(3.0×2.0×0.8mm)，rcrh0003fb采用dfn2×2封装(2.0×2.0×0.55mm)，相比同类产品，具有以下优势： ·采用了更薄的封装，适用于超薄机型设计； ·在器件腹部增加了散热片
P型MOSFET集成肖特基产品RCRH010FA/RCRH003FB
卓芯微电子(innova-semi)推出p型mosfet集成肖特基产品rcrh010fa 和rcrh003fb。p沟道增强型场效应管采用高密度dmos生产工艺，具有极低的导通电阻，并且在低至1.8v的栅极电压下仍可正常开启。配合使用的肖特基芯片采用low vf工艺，同时具有极佳的反向漏电特性。该两款产品主要应用在充电电路，dc/dc 转换器和led控制电路。整个器件在正向导通时具有很低的正向压降，不仅满足使用usb接口进行充电的要求，同时具有极低的功率耗散，提升整个系统的能效。这两款产品已广泛应用于手机充电线路部分，主要适用于基于mtk平台、adi平台、spreadtrum平台以及部分ti平台和infineon平台的方案中。其基本电路如图所示：电源管理器件通过控制栅极电压来控制充电电流，肖特基二极管可防止电流倒灌。rcrh010fa采用dfn3×2封装(3.0×2.0×0.8mm)，rcrh0003fb采用dfn2×2封装(2.0×2.0×0.55mm)，相比同类产品，具有以下优势：采用了更薄的封装，适用于超薄机型设计；在器件腹部增加

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