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实现mosfet或igbt的软关断,以防止开关器件因过压而损坏。 2.3 全桥逆变主回路的设计 本文采用全桥逆变电路,如图4所示。与半桥逆变相比,全桥逆变具有结构简单,电压利用率与可输出功率高的特点。另外,在一般情况下,最大反向电压不会超过电源电压vs,4个再生二极管能消除一部分由漏感产生的瞬间电压。开关管采用mosfet,是因为其具有导通压降小,开关速度快,输出功率大等特点。采用rc缓冲器可以在开关管关断时减小集电极电压应力,以防止开关管因反压过大而烧坏。 选用rfp50n05l,to-220ab封装作为开关管进行计算。以开关管导通电阻rds(on)=0.027 ω,高频变压器效率η=0.9,输入电压ui=24 v,磁控管功率po=920 w,占空比d=0.5为例,得ii=43.6 a,vds(on)=43.6×0.027=1.17 v,pds=1.17×43.6×2×0.5=51.3 w。 3 高频变压器设计 高频变压器是作为开关电源最主要的组成部分。开关电源中的拓扑结构有很多。比如半桥式功率转换电路,工作时两个开关三极管轮流导通来产生100khz的高频脉冲波