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rjp020n06中文资料

  • 典型关断延迟时间:

    40 ns

  • 典型接通延迟时间:

    8 ns

  • 典型栅极电荷@Vgs:

    5 nC V @ 4

  • 典型输入电容值@Vds:

    160 pF V @ 10

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 宽度:

    2.5mm

  • 封装类型:

    MPT

  • 尺寸:

    4.5 x 2.5 x 1.5mm

  • 引脚数目:

    4

  • 最大功率耗散:

    2000 mW

  • 最大栅源电压:

    ±12 V

  • 最大漏源电压:

    60 V

  • 最大漏源电阻值:

    0.24

  • 最大连续漏极电流:

    2 A

  • 每片芯片元件数目:

    1

  • 类别:

    功率 MOSFET

  • 通道模式:

    增强

  • 通道类型:

    N

  • 配置:

    单

  • 长度:

    4.5mm

  • 高度:

    1.5mm

  • RJP020N06

    电流参数：ID (*)=±2A/ID(#)=±8A/IS (*)=2A/ISP(#)=8A/IDSS=1μA/IGSS=±10μA 电压参数：UDSS=600V/UGSS=±12V/U(BR)DSS=60V/UGS(th)=0.8~1.5V功 率： PCh=0.5W其他参数：2.5V/0.21~0.3Ω，4V/0.17~0.25Ω，4.5V/0.165~0.24Ω极 性：N

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